RTA对氮化硅薄膜发光光谱的影响

在5.0eV的激光激发下，在室温下富硅的LPCVD氮化硅薄膜可发射六个PL峰，其峰位分别为2.97,2.77,2.55,2.32,2.10,1.9eV。经900－1100℃在N2气氛下快速退火（RTA）处理后，样品的六个PL峰变为3.1,2.0,2.85,2.6,2.36,2.2eV。本文对退火前后PL峰的产生和变化机制进行了初步探讨。     

激光退火的机理

近几年来,半导体材料的激光退火引起人们很大兴趣,这是因为较之常规的热退火,激光退火有它独特的优点,即空间上的局域性和时间上的短暂性.离子注入后的半导体都伴有晶格损伤,使用常规的热退火来消除损伤,同时使注入杂质电激活,需要较高温度(～1000°C)和较长时间(～30 min)的热