| RTA对氮化硅薄膜发光光谱的影响 |
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| 引用本文： | 刘渝珍,石万全,赵玲莉,孙宝银,叶甜春.RTA对氮化硅薄膜发光光谱的影响[J].发光学报,2003,24(1):66-68. |
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| 作者姓名： | 刘渝珍 石万全 赵玲莉 孙宝银 叶甜春 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院研究生院,北京,100039
2. 中国科学院微电子研究中心,北京,100010 |
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| 基金项目： | 科技部专项基金资助项目 ( 2 0 0 1DIB2 0 10 7) |
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| 摘 要： | 在5.0eV的激光激发下，在室温下富硅的LPCVD氮化硅薄膜可发射六个PL峰，其峰位分别为2.97,2.77,2.55,2.32,2.10,1.9eV。经900－1100℃在N2气氛下快速退火（RTA）处理后，样品的六个PL峰变为3.1,2.0,2.85,2.6,2.36,2.2eV。本文对退火前后PL峰的产生和变化机制进行了初步探讨。
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| 关 键 词： | 发光光谱 LPCVD 氮化硅薄膜 快速退火 RTA |
| 文章编号： | 1000-7032(2003)01-0066-03 |
Study of PL Spectrum from LPCVD-Si3N4 Film after Rapid Thermal Annealing |
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| LIU Yu-zhen ,SHI Wan-quan ,ZHAO Ling-li ,SUN Bao-yin ,YE Tian-chun.Study of PL Spectrum from LPCVD-Si3N4 Film after Rapid Thermal Annealing[J].Chinese Journal of Luminescence,2003,24(1):66-68. |
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| Authors: | LIU Yu-zhen SHI Wan-quan ZHAO Ling-li SUN Bao-yin YE Tian-chun |
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| Institution: | LIU Yu-zhen 1,SHI Wan-quan 1,ZHAO Ling-li 2,SUN Bao-yin 2,YE Tian-chun 2 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) silicon nitride film rapid thermal annealing (RTA) |
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