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以稀土氧化物和硫醇酸为主要原料,在一定条件下进行合成反应,再与其它助剂复配制得热稳定剂R-9911。开辟了一条生产高效、低毒、质优价廉热稳定剂的新途径。 相似文献
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本文研究了一种新的铬变酸单偶氮类显色剂:3[(2—羧基—4—溴苯)偶氮]4,5—二羟基—2,7—萘二磺酸用分光光度法测定铝的条件。络合物的最大吸收在波长590nm处,表观摩尔吸光系数ε=3.1×10~4。酸度范围为PH4.37~5.20。大量的金属离子:Ca、Mg、Fe(Ⅱ)、Ni、Mn、Pb、Si不干扰测定 相似文献
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CaO—SnO2薄膜乙醇气敏元件的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
采用真空镀锡膜,锡膜氧化,浸泡掺杂的方法研制了掺CaO的SnO2薄膜气膜气敏元件。 相似文献
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MgO-SnO2薄膜乙醇气敏元件的研制 总被引:3,自引:1,他引:2
采用真空镀锡膜、锡膜氧化,浸泡掺杂的方法研制了掺MgO的SnO2薄膜气敏元件,在对乙醇、丙酮等八种气体的测试结果表明:MgO-SnO2元件提高了对乙醇的灵敏度和选择性,而对其余气体的气敏特性同未掺杂元件相类似,实验发现,随着浸泡液浓度的增大,元件对乙醇的灵敏度并不是单调地随之增大,而是出现了一个峰值,实验还发现经Mg(NO3)2溶液处理过的元件对乙醇的灵敏度与乙醇浓度之间的线性关系大大拓宽,在敏感机理方面,提出了流过元件电泫I的公式,该公式可以较好地解释实验现象,利用化学方法在SnO2薄膜中掺入MgO,所制备的元件既克服了烧结型元件的缺点,又克服了薄膜元件物理方法掺杂时掺杂量难以控制的不足之处,为开发新型薄膜气敏元件作了一种尝试。 相似文献
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基于NI开发平台的三重四极杆质谱控制系统设计 总被引:1,自引:0,他引:1
三重四极杆质谱作为生物小分子分析与定量工具被广泛应用。该文基于NI开发平台,利用LabVIEW软件开发了一套质谱控制系统。该系统硬件由PXIe板卡及部分辅助电路组成,实现了气路控制、真空控制、温度控制、扫描电路控制等功能。其中气体流量控制精度为0. 1%,真空系统压力为10-3Pa,温度控制范围为0~850℃,温度控制精度为±0. 5℃。使用该控制系统测试环孢霉素A(Cyclosporine A,Cs A)标准样品,获得了Cs A样品质谱图,结果发现,质量数为1 202. 8 Da的离子峰半峰宽为0. 44 amu。该控制系统具有较好的通用性、可扩展性及维护性,采用面向对象的编程设计,使软硬件分离,降低了软件对硬件的依赖,可满足仪器的使用要求。 相似文献
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纳米技术的不断发展需要更强大的纳米粒子表征技术。单颗粒电感耦合等离子体质谱(SP-ICP-MS)是近年来发展起来的纳米粒子检测新技术,能够快速的向研究人员提供关于纳米粒子尺寸、尺寸分布、粒子数目浓度和元素组成等信息,而且对样品干扰小。本工作探讨了SP-ICP-MS检测技术中影响金纳米粒子(Gold nanoparticles, AuNPs)测定的因素:包括仪器参数的优化,如驻留时间(Dwell time);样品基质的影响,包括含盐、含碳基质;以及溶液中溶解的被分析元素等。测得仪器对金纳米粒子的检测限是23 nm。通过加标回收的方式,测定了实际水样太湖水、东丽湖水中金纳米粒子,加标回收率分别为97.7%和84.4%。最后,对SP-ICP-MS纳米粒子检测的现存问题进行了几点思考。 相似文献
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随着加速器技术的发展,重离子加速器脉冲电源工作频率逐步提高,电流上升速率逐步提升。脉冲电源磁铁负载具有阻感特性,其在电流波形上升段将吸收大量的无功,会对电网产生周期性强冲击;同时,快电流上升速率下的高精度要求,对电源设计提出了新的挑战。论文设计了一种基于电容储能的悬浮型H桥级联拓扑,利用电源自身储能电容和负载电感进行无功交互,实现了无功能量的内部循环,以减小对其对电网冲击;同时采用H桥级联多电平结合移相倍频控制,以保证电源快动态响应下的高精度需求。样机实验结果验证了电源拓扑和控制原理的可行性,为加速器快电流上升速率脉冲电源提供了一种新的解决方案。 相似文献
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强流重离子加速器装置(HIAF)的增强器(BRing)二极铁电源样机采用多模块串并联的全储能快循环脉冲电源实现方案,电源功率达到MW级。由于电源规模庞大和功率巨大,为了在运行中迅速保护电源设备,设计并实现了一套双冗余的基于可编程逻辑控制器(PLC)、模块故障联锁板和现场可编程门阵列(FPGA)的模块故障联锁保护系统,利用硬件和软件同时对电源功率单元模块实施故障检测、故障传递和故障保护。设计完成后分别从电源联锁环路的响应时间、核心控制板故障引发电源环路联锁的总时间和设备故障响应等三个方面进行测试,测试结果表明,在电源发生故障时,模块故障联锁保护系统满足电源样机对实时性和可靠性的要求,达到设计目标。 相似文献
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对紫色陶瓷颜料进行了大量试验研究,并在此基础上进行正交试验筛选,得到了一组呈色较好的紫罗兰和紫红色配方。 相似文献
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采用光CVD法制备了良好的SiO2薄膜,为半导体器件及传感器表面修饰提供了一条新型可行的途径。 相似文献