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陈百屏教授,1913年4月生,安徽庐江县人,1935年毕业于上海交通大学电机系,后又在前中央大学机械系特别研究班学习一年半,毕业后,即在前中央大学航空系历任助教、讲师及副教授等职。1945年考取了前教育部留美公费生。1947年起赴美留学,曾在斯坦福大学机械系学习半年,又在布朗大学应用教学系学习三年,取得了应用数学系硕士和博士学位。1950年9月回国,尔后即在大连工学院任应用数学系教授及系主任。1952至1970年在哈尔滨军事工程学院任数学、理论力学及飞机设计等教研室主任。1970年至今,任西北工业大学飞机系教授,曾任该系副主任。陈教授长期担任过数学、力学等方面的课程教学。目前是 ... 相似文献
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微/纳米尺度亚表面缺陷会降低光学元件等透明样品的物理特性,严重影响光学及半导体领域加工制造技术的发展。为了快速、无损检测透明样品亚表面缺陷,本文针对光学元件亚表面内微米量级缺陷的检测需求,提出了一种基于过焦扫描光学显微镜(TSOM)的检测方法。利用可见光光源显微镜和精密位移台,沿光轴对亚表面缺陷进行扫描,得到亚表面缺陷的一系列光学图像。将采集到的图像按照空间位置进行堆叠,生成TSOM图像。通过获得所测特征的最大灰度值来获得亚表面缺陷的定位信息。提出方法对2000μm深亚表面缺陷的定位相对标准差达到0.12%。该研究为透明样品亚表面缺陷检测及其深度定位提供了一种新方法。 相似文献
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常用的带有4个联动小转轮的圆盘做成的科氏力演示仪,是利用小转轮带动的橡皮条相对圆盘运动时发生的弹性形变来证实科氏力的存在和方向的。我们利用该仪器稍做改进和标定,通过直接测量有关数据,可以间接测定科氏力的大小,定量验证科氏力公式。 相似文献
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采用电子束蒸发法制备了NiO薄膜,并对其作为碲化镉薄膜太阳电池背接触缓冲层材料进行了相关研究.NiO缓冲层的加入使得碲化镉太阳电池开路电压显著增大.通过X射线光电子能谱测试得到的NiO/CdTe界面能带图表明NiO和CdTe的能带匹配度很好.NiO是宽禁带P型半导体材料,在电池背接触处形成背场,减少了电子在背表面处的复合,从而提高电池开路电压.通过优化NiO薄膜厚度,制备得到转换效率为12.2%、开路电压为789 mV的碲化镉太阳电池.研究证实NiO是用来制备高转换效率、高稳定性碲化镉薄膜太阳电池的一种极有前景的缓冲层材料. 相似文献
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