用正电子湮没技术研究形变铁的恢复

本文介绍应用正电子湮没寿命和多普勒加宽方法研究60％形变铁等时退火各阶段中缺陷的恢复行为,实验结果说明正电子湮没平均寿命τ及多普勒加宽的S参数都是退火温度的函数,完整晶体中湮没寿命τ_f=111±lPS,缺陷中湮没寿命τ_d=162±lps,本文还根据捕获模型计算了正电子的捕获速率及τ₁,结果证明与理论预期的完全一致,经计算得出捕获正电于的相对缺陷浓度的范围为10^-7-10^-4数量级。 关键词：     

GaAs晶体生长缺陷的正电子湮没研究

本文介绍用正电子湮没寿命和多普勒加宽技术研究750—950°掺Te液相外延生长的和1238℃熔体生长的GaAs晶体生长缺陷. 在800—1238℃生长的晶体中都观测到312±11ps的寿命组分τ₂, 其强度I₂, 多普勒加宽S参加和按捕获模型计算的平均寿命τ都随晶体生长温度增高而增大. 在掺Te外延晶体中, 312ps寿命的正电子陷阱浓度随晶体生长温度增高而线性地增大, 在熔体生长晶体中, 该陷阱浓度低得多, 远偏离以上线性关系. 312ps寿命归因于正电子在Ga空位湮没寿命, 结果显示出掺Te在GaAs晶体中诱导Ga空位.     

嵌段共聚物溶液胶束温度行为的郑电子湮没研究

用正电子寿命技术研究了聚苯乙烯—二甲基硅氧烷／正庚烷二嵌段共聚物溶液胶束的温度行为．结果表明正电子湮没参数对溶液中出现的结构和微观环境的变化十分灵敏．在一定的温度范围o-Ps寿命和强度的陡然变化反映了溶液中共聚物分子聚集态随温度经历不同阶段的变化，超过临界胶束温度o-Ps寿命随温度增高而迅速地增大，这一行为反映了分子聚集体解离成自由共聚物分子的过程．     

氢和温度对质子辐照硅的正电子捕获的影响

用正电子湮没寿命测量研究了在3.2×10¹⁷cm^-2和3.6×10¹⁶cm^-2质子辐照硅单晶中的正电子捕获,观测到辐照诱导的捕获正电子的缺陷主要是双空位,辐照过程中高剂量样品的双空位基本上都捕获了氢,低剂量样品还有一小部分未捕获氢,在高剂量样品的两轮和低剂量样品的第一轮升温测量中都观测到双空位进一步捕获氢,含氢双空位的荷电态随温度升高在145K附近发生由负荷电向中性转变,它的负荷电态正电子寿命比中性态正电子寿命长,无论 关键词：