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| GaAs晶体生长缺陷的正电子湮没研究 | |
| 引用本文： | 熊兴民.GaAs晶体生长缺陷的正电子湮没研究[J].中国物理 C,1986,10(4):459-465. |
| 作者姓名： | 熊兴民 |
| 作者单位： | 中国科学院高能物理研究所 |
| 摘 要： | 本文介绍用正电子湮没寿命和多普勒加宽技术研究750—950°掺Te液相外延生长的和1238℃熔体生长的GaAs晶体生长缺陷. 在800—1238℃生长的晶体中都观测到312±11ps的寿命组分τ2, 其强度I2, 多普勒加宽S参加和按捕获模型计算的平均寿命τ都随晶体生长温度增高而增大. 在掺Te外延晶体中, 312ps寿命的正电子陷阱浓度随晶体生长温度增高而线性地增大, 在熔体生长晶体中, 该陷阱浓度低得多, 远偏离以上线性关系. 312ps寿命归因于正电子在Ga空位湮没寿命, 结果显示出掺Te在GaAs晶体中诱导Ga空位. |
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