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物理学
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2015年
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1
1.
拓扑绝缘体(Bi
0.5
Sb
0.5
)
2
Te
3
薄膜中的线性磁阻
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关童
滕静
吴克辉
李永庆
《物理学报》
2015,64(7):77201-077201
本文报道了拓扑绝缘体(Bi
0.5
Sb
0.5
)
2
Te
3
薄膜中线性磁阻问题的系统性研究工作. 此体系中, 线性磁阻在很宽的温度和磁场范围内出现: 磁场高达18 T时磁阻仍没有饱和趋势, 并且当温度不高于50 K时, 线性磁阻的大小对温度的变化不敏感. 栅压调控化学势可明显改变线性磁阻的大小. 当化学势接近狄拉克点时, 线性磁阻最为显著. 这些结果说明电荷分布的不均匀性是引起该材料线性磁阻的根源.
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