同步镀铋膜差分脉冲伏安法测试土壤中铬

采用同步镀铋膜法修饰玻碳电极及差分脉冲溶出伏安法测试土壤中Cr。在优化的实验条件下,以KNO3为支持电解质,NaAc-HAc(pH=5.5)为缓冲溶液的铋膜上得到Cr溶出特征峰电位为-1.14V,线性方程为:I=0.0747C+0.31054,相关系数为0.9981,检出限为0.001μg/L,线性范围为0.01—60μg/L,RSD=2.47%,该方法简单快速,准确度和精密度均符合要求,回收率为96.7%—104.5%。     

分光光度法测定化探样品中痕量锡

本文提出以氢化物分离,高锰酸钾吸收,锡一水扬基萤光酮—CPB体系光度法测定锡的分析方法。实验表明,本法灵敏度较高(ε=1.75×10~5),检出限、可靠测定下限、精密度均能满足化探的要求。实验部分一、仪器及主要试剂日立220A分光光度计;自制氢化物分     

N型稀磁半导体Ge_(0.96–x) Bi_xFe_(0.04)Te薄膜的磁电性质研究

GeTe基稀磁半导体材料因具有可独立调控载流子浓度和磁性离子浓度的特性而受到广泛关注.本文利用脉冲激光沉积技术制备了该体系的单晶外延薄膜,并通过高价态Bi元素部分取代Ge元素的方法实现了材料中载流子类型从空穴向电子的转变,即制备出N型GeTe基稀磁半导体.测量结果表明,无论是室温还是低温下的Hall电阻曲线皆呈现负斜率,说明体系中载流子是电子;并且当Bi掺杂量达到32%时,电子浓度为10~(21)/cm~3.变温输运性质的测量证明体系的输运行为呈现半导体特征.通过测量低温10 K下的绝热磁化曲线,在高Bi掺杂体系中观测到了明显的铁磁行为,而低于32%Bi掺杂量的体系中未观察到.这一结果说明,高掺杂Bi的替代导致载流子浓度的增加,促进了载流子传递Ruderman-Kittel-Kasuya-Yoshida相互作用,使得分散的Fe-Fe之间产生磁耦合作用,进而形成铁磁有序态.