基于1553B总线的制导炸弹传递对准仿真系统

为了减少载机交联成本和提高研制效率,基于1553B总线,设计与实现了一个制导炸弹传递对准仿真研究系统.首先分析了1553B总线协议;然后介绍了该仿真系统的结构功能与实现,并对该仿真系统的硬件设计、1553B总线通讯接口设计、传递对准算法设计和主控软件流程设计进行了论述;最后对该仿真系统进行地面跑车试验.试验结果表明,对准完成后惯导的姿态角误差得到了有效的修正,从而证明该仿真系统的设计是成功的.该系统已在某型号项目的研制中得到了成功的应用.     

数学无穷与中介逻辑(上)——Leibniz的割线与切线问题在中介逻辑中的逻辑数学解释方法(英文)

From the perspective of potential infinity (poi) and actual infinity, Ref [4] has confirmed that poi and aci are in ’unmediated opposition’ (P,﹁P ) whether in ZFC or not; it has further been proved that the manners in which a variable infinitely approaches its limit also satisfy the law of intermediate exclusion. With these results as theoretical bases, this paper attempts to provide an accurate and strict logical-mathematical interpretation of the incompatibility of Leibniz’s secant and tangent lines in the medium logic system from the perspective of logical mathematics.     

铌-二溴茜素紫-硫酸根-十六烷基三甲基溴化铵多元络合物测定铌

文献[1]提到二溴茜素紫(DBG)测定铌的可能性,但尚未见详细报导。至于DBG与铌组成四元混配络合物的研究迄今未见介绍。本文研究了DBG、CTMAB、SO₄^2-与铌组成四元混配络合物测定铌的新方法,并初步探讨了络合物的组成。     

SiO_2添加物对CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷的微观结构与介电性能的影响

采用传统固相反应法制备了不同SiO_2掺量的CaCu_3Ti_4O_(12)(CCTO) 陶瓷材料,并研究了SiO_2含量对CCTO陶瓷物相结构、微观形貌及介电性能的影响.结果表明:高温烧结时,SiO_2不会与CCTO发生固相反应,而作为第二相物质存在于CCTO陶瓷的晶界,并对CCTO陶瓷的微观结构产生不同程度的影响.CCTO陶瓷的介电常数和介电损耗随SiO_2含量的增多而相应减小.阻抗分析表明,CCTO陶瓷的晶粒电阻随SiO_2的掺入略有改变,而晶界电阻则随SiO_2的掺入而显著增大.分析认为,晶界电阻的增大是导致CCTO陶瓷介电损耗降低的主要原因.     

基于柔性玻璃衬底ZnO∶B薄膜的非晶硅太阳能电池的制备及其光电性能研究

采用低压化学气相沉积法(LPCVD)在大面积(40 cm ×40 cm)超薄柔性玻璃和硬质玻璃衬底上分别制备了B掺杂的ZnO(BZO)透明导电薄膜及非晶硅薄膜太阳能电池,对比了两种衬底上BZO薄膜的形貌、光学和导电性能及其非晶硅薄膜电池的性能.结果表明,在相同LPCVD工艺下,超薄柔性玻璃衬底上BZO薄膜的生长速率相对减小;当生长相同厚度BZO薄膜时,超薄柔性玻璃衬底的透光率相对于硬质玻璃衬底提高约2;,同时并具有相同的导电能力.在柔性玻璃衬底上制备的非晶硅薄膜电池的初始和稳定转化效率也相对提高,分别达到9.16;和7.82;.     

太阳能多晶硅锭中硬质夹杂及其形成

多晶硅锭中常出现的硬质夹杂是造成硅片线切割生产中断线的主要原因之一,同时影响到太阳能电池片的质量.我们采用扫描电镜-特征X射线能谱仪、3D数码显微镜、傅立叶红外光谱等手段对定向凝固多晶硅断面、抛光面、溶解沉淀以及硅片中的游离碳含量进行了分析.结果表明,硅锭顶表层出现大量SiC和Si3N4夹杂,其数量随深度迅速减小;硅锭内部SiC十分稀少,尺寸也一般很小,但有时会出现大颗粒(～100 μm).硅片中游离碳含量远低于形成SiC所需临界平衡C浓度.就以上结果对SiC形成原因进行了讨论,并提出了减少SiC夹杂的建议措施.     

高温超导YBa2Cu3O7-δ-Y2O3多层薄膜的制备及性能表征

采用脉冲激光沉积技术(PLD)在LaAlO3(100)单晶衬底上外延生长YBa2Cu3O7-δ-Y2O3多层薄膜,用X射线衍射技术(XRD)分析薄膜的物相结构和外延特性,通过原子力显微镜(AFM)观察薄膜的表面形貌.本文主要研究了最佳工艺参数下交替生长多层YBCO-Y2O3膜的超导性能.结果表明,YBa2Cu3O7-δ-Y2O3薄膜为纯c轴取向外延生长,临界电流密度Jc(H=0或H//C)均高于纯YBCO薄膜,纳米Y2O3起到磁通钉扎中心作用.     

不同退火温度下α-NaYF4:Eu3+红色荧光粉的合成与发光特性

采用溶剂热法合成了α-NaYF₄:5%Eu³⁺红色荧光粉,研究不同退火温度对荧光粉晶体结构、形貌、发光以及显色性能 (CIE)的影响。通过比较退火前后以及不同退火温度下荧光粉的发光性能,发现退火使得禁戒跃迁⁵D₀→⁷F₀发生,随着退火温度的升高,Eu³⁺所有发射峰都得到了相应的增强,并且相应的CIE更趋向于红色;但在高温退火时,纳米晶之间的团聚更加严重,而且CIE趋向于红色的速度变慢。基于非对称性比率σ的分析,认为本文中⁵D₀→⁷F₀跃迁是由于Eu³⁺占据非对称中心格位所致。     

阵列式碳纳米管雷达波吸收性能研究

研究了阵列式碳纳米管的雷达波吸收性能.采用化学气相沉积(CVD)工艺制备阵列式碳纳米管薄膜,并采用SEM 和TEM 对其进行观测.观测显示:阵列式碳纳米管薄膜中碳纳米管排列规则,有很好的定向性,直径30～50 nm.阵列式碳纳米管薄膜平铺在铝板上并用环氧树脂固定制成试样,采用反射率扫频测量系统HP8757E矢量网络分析仪检测阵列式碳纳米管吸波性能.结果表明:阵列式碳纳米管在2～18 GHz频段的较高频段表现出良好的吸波性能.吸波性能随薄膜厚度不同而改变.阵列式碳纳米管薄膜厚度为0.2 mm 时,雷达波吸收性能最佳,峰值R为-15.87 dB,波峰出现在17.83 GHz,带宽分别为4.25 GHz(R<-10 dB)和6.40 GHz(R<-5 dB).     

冶金级硅中杂质的表面吸附与去吸附除杂

对冶金级硅的物理提纯因可望成为低成本太阳能级硅生产技术而受到各国高度关注.利用硅中杂质的表面吸附偏聚,对冶金级硅粉进行酸洗去吸附除杂.并尝试在此后进行高温退火以再次造成表面扩散偏聚,然后继以二次酸洗去吸附除杂.结果表明这种技术对硅中金属杂质有一定除杂效果,可以作为进一步提纯前的预处理;高温退火后二次酸洗能够进一步降低杂质含量,但效果并不显著,难于生产应用.扩散计算表明,高温退火偏聚处理对较重金属杂质有效,而对B、P杂质则几乎没有效果.