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太阳能多晶硅锭中硬质夹杂及其形成
引用本文:毛文行,邓太平,杜国平,周浪.太阳能多晶硅锭中硬质夹杂及其形成[J].南昌大学学报(理科版),2008,32(1):34-37.
作者姓名:毛文行  邓太平  杜国平  周浪
作者单位:南昌大学,材料科学与工程学院/NCU-LDK太阳能研究中心,江西,南昌,330031
基金项目:江西省教育厅研究生创新基金
摘    要:多晶硅锭中常出现的硬质夹杂是造成硅片线切割生产中断线的主要原因之一,同时影响到太阳能电池片的质量.我们采用扫描电镜-特征X射线能谱仪、3D数码显微镜、傅立叶红外光谱等手段对定向凝固多晶硅断面、抛光面、溶解沉淀以及硅片中的游离碳含量进行了分析.结果表明,硅锭顶表层出现大量SiC和Si3N4夹杂,其数量随深度迅速减小;硅锭内部SiC十分稀少,尺寸也一般很小,但有时会出现大颗粒(~100 μm).硅片中游离碳含量远低于形成SiC所需临界平衡C浓度.就以上结果对SiC形成原因进行了讨论,并提出了减少SiC夹杂的建议措施.

关 键 词:多晶硅  夹杂  SiC
文章编号:1006-0464(2008)01-0034-04
修稿时间:2007年9月15日

The Hard Inclusions in Multi-crystalline Silicon Ingot and their Formation
MAO Weng-hang,DENG Tai-ping,DU Guo-ping,ZHOU Lang.The Hard Inclusions in Multi-crystalline Silicon Ingot and their Formation[J].Journal of Nanchang University(Natural Science),2008,32(1):34-37.
Authors:MAO Weng-hang  DENG Tai-ping  DU Guo-ping  ZHOU Lang
Abstract:
Keywords:
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