地方高校大学物理教学思考与实践

大学物理作为高等院校理工科各专业学生一门重要的通识性必修基础课,在培养和提高学生科学素质、科学思维方法和科学研究能力方面具有举足轻重的作用.从学生、教师、考核方式以及教材等几个方面就目前地方高校大学物理教学中存在的问题进行了分析,并对大学物理课程改革和教学团队的建设进行了深入思考,最后对教学改革提出了一系列行之有效的具体措施,旨在提升大学物理的教学质量,培养学生分析问题和解决问题的能力.     

高灵敏可见／紫外条纹相机的最小可探测能量密度

分析了影响条纹相机最小可探测能量密度的主要因素，通过采用两级增强器级联的方法降低了条纹最小可探测能量密度。利用超短激光脉冲经过标准具后形成一个能量等比衰减的脉冲序列，对ＺＰＴ－３Ｋ紫外／可见皮秒条纹相机的最小可探测能量密度进行了测量。测量表明：相机最小可探测能量密度在可见波段（５３２ｎｍ）达１×１０－１３Ｊ／ｃｍ２。     

论灰色理论的三数据建模

本文通过论证序列的GM(1,1)模型计算值与原始序列的初值无关,讨论仅有三个数据构成的序列的灰色建模问题,得出可进行灰色建模的最少数据数为3的结论.     

基于金属线路板的新型大功率LED及其光电特性研究

设计、制作了基于金属线路板和板上芯片技术的大功率白光LED,对其光电特性进行了实验测量,输入电流达到800 mA,对应的输入功率3.3 W,大功率LED的输出光通量才达到饱和.输入电流达到900 mA,对应的输入功率3.8 W,大功率LED电流—电压特性仍未表现出饱和特性.实验结果表明,采用金属线路板和板上芯片技术可以得到良好的散热特性,大大提高LED的输入功率.同时还测量了光谱分布、光通量、色坐标随电流的变化情况,对其中的变化规律进行了理论分析.     

LED正向压降随温度的变化关系研究

分析了LED正向压降随温度变化的物理机理,建立了恒流驱动下正向压降随温度的变化系数测试系统对不同材料、不同发射波长的LED电压随温度变化系数进行了系统的实验研究,利用最小二乘法对实验数据进行了线性拟合,得到了不同发射波长的AlGaInP、InGaN材料LED的电压随温度变化系数,对超高亮度LED、功率型LED器件及系统的热工参数测量积累了的重要数据.     

蒙特卡罗模拟LED并联电路电流降额特性

利用蒙特卡罗方法对LED并联电路的电流降额特性进行了模拟,假设分档后的大功率白光LED的正向电压(VF)分布符合正态分布,研究了1×n(2≤n≤15)系列LED并联电路电流降额量(IP)的概率(P)分布。模拟结果表明,IP的概率分布函数偏离了正态分布,密度函数曲线最高值点的两侧不对称,左侧较右侧陡峭;随着LED并联数(n)的增加,概率密度函数沿IP增大的方向移动,并且越来越趋近于正态分布。当n一定时,IP随电路中出现LED承载电流超过其额定电流的概率增大而降低,降低的速度由快转慢;当P为0.01%～1%时,IP大约为20%～30%。当P一定时,IP随n的增加而增大;当n6时,IP的增大速度变缓。模拟结果可以推广到m×n阵列化互连大功率LED模组。     

大功率GaN基发光二极管等效串联电阻的功率耗散及其对发光效率的影响

由于自加热效应的存在，大功率GaN基发光二极管(LED)的芯片温度有可能高出环境温度很多，实验中，芯片温度超出环境高达147 K.从实验测量的大功率LED电流电压特性曲线中，将p-n结和等效串联电阻上的电压降落分离出来，得到了大功率LED等效串联电阻随芯片温度的变化情况.在输入电功率自加热效应的影响下，大功率GaN基LED等效串联电阻呈现出剧烈的变化，其阻值由低输入功率时的1.2 Ω降低到0.9 Ω,然后再升高到1.9 Ω，等效串联电阻的功率耗散在输入功率中所占的比例也随着输入功率的增加迅速增加，最高时接     

大功率GaN基发光二极管等效串联电阻的功率耗散及其对发光效率的影响

由于自加热效应的存在,大功率GaN基发光二极管(LED)的芯片温度有可能高出环境温度很多,实验中,芯片温度超出环境高达147 K.从实验测量的大功率LED电流电压特性曲线中,将p-n结和等效串联电阻上的电压降落分离出来,得到了大功率LED等效串联电阻随芯片温度的变化情况.在输入电功率自加热效应的影响下,大功率GaN基LED等效串联电阻呈现出剧烈的变化,其阻值由低输入功率时的1.2 Ω降低到0.9 Ω,然后再升高到1.9 Ω,等效串联电阻的功率耗散在输入功率中所占的比例也随着输入功率的增加迅速增加,最高时接 关键词： 自加热 等效串联电阻 发光二极管 流明效率     

光激光拾自谐振传感器的光学特性及优化设计

建立了光激、光拾自谐振多晶硅微机械传感器的多层膜系模型,利用该模型对传感器的光学特性进行了理论分析,并对传感器谐振微梁厚度和空腔高度进行了优化.     

GaN基蓝光发光二极管正向电压温度特性研究

对GaN基蓝光发光二极管（LED）正向电压温度特性进行了研究,发现在温度较高时,正向电压随温度的变化系数逐渐减小,直至出现拐点,正向电压随温度的变化系数由负数变为正数.此时若继续升高温度,则正向电压随温度升高迅速增加,并常常伴随有器件失效的现象发生.在小电流情况下,这种现象不很明显,随着电流的增加,现象表现得越来越明显,拐点出现的温度也越来越低,而且温度超过拐点之后,正向电压值增加得更快.通过与相同封装的另一组器件测试结果对比,排除了封装材料玻璃转换温度的影响.分析认为,这一现象的出现是由器件等效串联电阻 关键词： 发光二极管 氮化镓 正向电压 温度系数