DNA拓扑异构酶抑制剂

DNA拓扑异构酶是一种广泛存在于真核细胞和原核细胞中的重要生物酶,对DNA转录、复制、染色体分离及基因表达等过程中的DNA拓扑结构起着重要的调控作用。研究发现,与正常细胞不同,DNA拓扑异构酶在肿瘤细胞中表现出不受其他因素影响的高水平表达,而许多抗肿瘤药物的作用机制也与DNA拓扑异构酶密切相关,因此它作为抗肿瘤药物的重要靶点引起了研究者的广泛关注。本文对DNA拓扑异构酶的结构、分类及生物功能进行了简要的归纳,总结了近年来DNA拓扑异构酶抑制剂的研究进展,并重点对金属配合物作为DNA拓扑异构酶抑制剂的研究现状进行了详细的介绍。     

地方高校大学物理教学思考与实践

大学物理作为高等院校理工科各专业学生一门重要的通识性必修基础课,在培养和提高学生科学素质、科学思维方法和科学研究能力方面具有举足轻重的作用.从学生、教师、考核方式以及教材等几个方面就目前地方高校大学物理教学中存在的问题进行了分析,并对大学物理课程改革和教学团队的建设进行了深入思考,最后对教学改革提出了一系列行之有效的具体措施,旨在提升大学物理的教学质量,培养学生分析问题和解决问题的能力.     

分层沉积GaAs/SiO2纳米薄膜的结构和吸收光谱

应用射频磁控溅射方法分别在抛光硅片和石英玻璃片上分层沉积了GaAs/S iO2纳米薄膜。通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)及吸收光谱的测试,发现衬底温度、退火、氢掺杂等制备工艺对分层沉积的GaAs/S iO2纳米薄膜的微观结构和光学性质有明显的影响。本文对相关机理作了探讨。     

Polarization Fatigue in Ferroelectric Thin Films

The fatigue problem in ferroelectric thin films is investigated based on the switched charge per unit area versus switching cycles.The temperature,dielectric permittivity,voltage bias,frequency and defect valence dependent switching polarization properties are calculated quantitatively with an extended Dawber-Scott model.The results are in agreement with the recent experiments.     

纳米硅薄膜复合阳极的绿色微腔式OLED的研究

采用甚高频增强型等离子体化学气相沉积技术,通过优化薄膜的沉积条件制备出高性能的P nc Si∶H薄膜材料(σ=5.86 S/cm、Eopt>2.0 eV).通过XRD测量计算出薄膜<111>、<220>和<311>三个晶向上的晶粒大小分别为15 nm、17 nm和21 nm;通过Raman测量,计算出其晶化率为35％左右.实验中,将P型纳米硅薄膜与氧化铟锡一起构成有机电致发光器件的复合阳极,研究了他们的发光特性,结果表明：由于P nc Si∶H薄膜材料具有近似半反半透的光学特性,它与高反射率的阴极Al使有机电致发光器件产生了微腔效应,使其发光光谱窄化,半宽高由126 nm窄化到33 nm;发光光亮明显增强,最大亮度为47 130 cd/m2,最大发光效率为9.543 83 cd/A,与以ITO为阴极的无腔器件相比,提高了约127%.     

溶胶-凝胶法制备绿色发光粉Zn_2SiO_4:Mn~(2+)及其发光性能

利用溶胶-凝胶法在加入H3BO3助熔剂的环境下制备了掺杂不同量Mn2+的Zn2SiO4绿色发光粉。用X射线衍射仪和荧光光谱仪对其结构和光致发光性能进行了测试分析。结果表明:900℃还原气氛下退火后,样品呈现明显的绿色,Mn2+最佳掺杂摩尔分数为2%,当掺杂量超过2%后光谱发生强烈的浓度猝灭效应。最后,对这种物质的发光机理进行了分析。     

基底加热温度对ITO薄膜的性能影响研究

氧化铟锡(ITO)薄膜被广泛用作光电器件中的透明导电电极,其透光率、导电性、表面粗糙度、与基底的功函数匹配及其电流传输特性都会对光电器件的性能造成影响。本文采用射频(RF)磁控溅射方法制备ITO薄膜,系统研究了基底加热温度对其各方面性能的影响,并确认了最佳基底温度。实验采用锡掺氧化铟陶瓷为靶材,组分摩尔比为m(In₂O₃)∶m(SnO₂)=90∶10。采用XRD、SEM对所制备的薄膜进行表征,系统分析不同基底温度对ITO薄膜结晶性能、形貌的影响;采用紫外可见分光光度计、霍尔效应测试仪、紫外光电子谱仪(UPS)、电流电压曲线系统研究了基底温度对薄膜光电特性、载流子浓度、薄膜功函数以及电流传输特性的影响。研究结果表明,基底温度200 ℃为最佳,此时ITO薄膜结晶良好、表面平整、可见光波段平均透过率超过80%,导电性能和电流传输特性均较佳,且薄膜组分与靶材组分一致。     

p-ZnO薄膜及其异质结的光电性质

采用射频磁控溅射法,在不同的Ar∶O2条件下,以高掺磷n型Si衬底为磷掺杂源制备了p型ZnO薄膜和p-ZnO/n-Si异质结。对ZnO∶P薄膜进行了光致发光谱(PL)、霍尔参数、I-V特性、扫描电镜(SEM)和X射线衍射谱(XRD)等测试。结果表明,获得的ZnO∶P薄膜沿(0002)晶面高取向生长,以3.33 eV近带边紫外发光为主,伴有2.69 eV附近的深能级绿色发光峰,空穴浓度为8.982×1017/cm3,空穴迁移率为9.595 cm2/V.s,p-ZnO/n-Si异质结I-V整流特性明显,表明ZnO∶P薄膜具有p型导电特性。     

CONCISE POLARON MODEL TO THE CALCULATION OF BINDING ENERGY IN SOME STRONG-AND WEAK-COUPLING POLAR CRYSTALS

A new concise polaron model is proposed to study the ground state of polarons in some strong-and weak-coupling polar crystals. The ground state energy and binding energy of these materials are calculated numerically by iteration method. Results are in close agreement with the experimental data.     

A POSSIBLE SOLITON-LIKE POLARON MODEL FOR SUPERCONDUCTORS Y1-xCaxBa2Cu3-xMxO7-δ(M=Fe, Ni)

Using 1+1 soliton-like polaron model of a deformable continuum, the critical temperature and the energy gap in high-temperature superconductors Y_1-xCa_xBa₂Cu_3-xM_xO_7-δ(M=Fe,Ni) are studied in the framework of finite temperature Green's function theory. The ratio 2Δ/k_BT_c=3.9 is obtained. Theoretical results are found in good agreement with the experimental data.