聚(3-烷基噻吩)的合成与应用研究进展

详述了聚(3-烷基噻吩)的化学合成方法、电化学合成方法及近期新兴的微波辐射辅助合成法;并总结了聚(3-烷基噻吩)在光伏电池材料、电致发光材料和热电材料等领域的应用研究及现状.     

导电聚合物热电材料研究进展

随着煤、石油、天然气等不可再生化石燃料的减少和世界能源需求的不断增加,近年来导电聚合物热电材料的研究逐渐引起人们的关注。本文介绍了近年来导电聚合物热电材料的研究进展,简要分析聚合物热电材料目前存在的主要问题,并提出提高聚合物热电材料性能的初步策略。     

Tb(Co_(1-x)Sn_x)_2合金的结构和磁热效应

通过X射线衍射和磁性测量研究了Tb(Co1-xSnx)2(x=0,0.025,0.050,0.075,0.100)合金的相结构和磁热性能。经分析可知Sn在TbCo2中的替代是有限的,X粉末衍射分析确定TbCo2具有MgCu2结构,其他样品由TbCo2,TbCo3和Tb5Sn3三相组成,TbCo2为主要相。随着Sn成分的增加,杂质相TbCo3和Tb5Sn3的含量增加,所有样品保持第二序磁相变。Sn的替代使磁相变的温度稍微有所提高,样品TbCo2的TC值为230 K,样品Tb(Co0.950Sn0.050)2的TC值为233 K,但Sn的成分继续增加,样品的TC值有所下降。在外加磁场2 T的作用下,样品Tb(Co1-xSnx)2(x=0,0.025,0.050,0.075)最大磁熵变值分别为3.44,2.29,1.64,1.16 J.kg-1.K-1。     

微波法制备金属钴纳米晶棒及其表征

微波法制备金属钴纳米晶棒及其表征;微波法;钴;纳米晶棒;表面活性剂;表面修饰     

Sc2－xGaxW3O12体系负热膨胀性能研究

通过固相反应法,在1100 ℃下成功制备出了系列Ga掺杂Sc_2-xGa_xW₃O₁₂（x=0, 0.05, 0.1, 0.2, 0.3, 0.5, 0.8）固溶体.X射线粉末衍射结构精修表明,Ga以替代Sc的形式成功进入Sc_2-xGa_xW₃O₁₂晶格,但不能获得端元组分Ga₂W₃关键词： 负热膨胀 热膨胀系数 Rietveld结构精修     

改性碳纳米管制备抗静电电阻膜的研究

采用浓硫酸和浓硝酸混合液改性碳纳米管(CNTs0)制得CNTsa,其结构经IR表征.实验结果表明,CNTsa的热分散性提高,热稳定性下降.将CNTsa分散到环氧树脂中制备了抗静电电阻膜B3.实验结果表明,B3-10具有一定的抗静电作用.