用电沉积法制备稀土填充热电材料Bi_2Sb_3Re_x

分别以脉冲电沉积法和直流电沉积法制备了稀土填充热电材料Bi2Sb3Rex(Re=Ce,Nd)。结果表明,采用脉冲电沉积法,在通断脉宽为Ton=10ms(电流1A),Toff=40ms(电流0A),电流密度2000A.m-2,电沉积时间180s的条件下制得的电沉积膜Bi2Sb3Ce2,表面均匀、光滑、致密;在通断脉宽为Ton=0.4ms(电流1A),Toff=2.4ms(电流0A),电流密度2800A.m-2,电沉积时间120s,占空比为0.142的条件下制得的电沉积膜Bi2Sb3Nd0.1,表面均匀、光滑、致密。     

单一稀土镧在不同基底上的电沉积及其性能的研究

研究在低温熔融盐体系中于不同基底上电沉积单一稀土金属镧（La）。经X-射线能谱仪测定,在镍片基底上沉积的La的质量分数为100％,铜片基底上沉积的La质量分数为72．84％;在镍铁合金灯丝上沉积得到La-Ni合金薄膜,其中La的质量分数为50．02％,Ni的质量分数为2．48％。经扫描电子显微镜观察,所得的沉积膜为均匀、光滑、致密的黑色沉积薄膜。经X-射线衍射仪分析,镧在不同基底上沉积所得的沉积膜为不同晶型,以镍片为基底得到的单质镧为α-六方晶型;以铜片为基底得到的单质镧为面心立方晶;均与基底晶型相匹配。在镍铁合金灯丝上电沉积所得的La-Ni合金薄膜致密均匀,在无水乙醇中久浸而不脱落,并呈现强磁性。     

微波法制备金属钴纳米晶棒及其表征

微波法制备金属钴纳米晶棒及其表征;微波法;钴;纳米晶棒;表面活性剂;表面修饰     

改性碳纳米管制备抗静电电阻膜的研究

采用浓硫酸和浓硝酸混合液改性碳纳米管(CNTs0)制得CNTsa,其结构经IR表征.实验结果表明,CNTsa的热分散性提高,热稳定性下降.将CNTsa分散到环氧树脂中制备了抗静电电阻膜B3.实验结果表明,B3-10具有一定的抗静电作用.     

化学镀镍法制备碳纳米管

以PdCl2为活化液,用化学镀镍法制备了具有活性中心的镀镍硅模板,通过催化裂解在镀镍硅模板上制备了碳纳米管。讨论了化学镀工艺参数对镀镍硅模板表面活性中心的尺寸和分布的影响。最佳的工艺条件为:在0.17mol·L-1的SnCl2中敏化10min,0.4g·L-1PdCl2中活化2min,50℃施镀3min所得的镍粒子活性中心的粒径为200nm~300nm。用扫描电镜观察到碳纳米管为竹节形状,直径为100nm~110nm。     

活性ZnO的制备及其表征

用传统沉淀法以超声波振荡方式制备出粒径约为32．Onm的六方晶型ZnO超细粉。其结构经IR和X-射线衍射表征,并测定了其粒径、比表面积和电学性质。