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专业分类

物理学

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出版年

2010年

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Sc_2－xGa_xW₃O₁₂体系负热膨胀性能研究 总被引：1，自引：0，他引：1

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刘福生陈贤鹏谢华兴敖伟琴李均钦《物理学报》2010,59(5):3350-3356

通过固相反应法,在1100 ℃下成功制备出了系列Ga掺杂Sc_2-xGa_xW₃O₁₂（x=0, 0.05, 0.1, 0.2, 0.3, 0.5, 0.8）固溶体.X射线粉末衍射结构精修表明,Ga以替代Sc的形式成功进入Sc_2-xGa_xW₃O₁₂晶格,但不能获得端元组分Ga₂W₃关键词：负热膨胀热膨胀系数 Rietveld结构精修相似文献