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GaAs基980 nm半导体激光器在材料加工、通信和医疗等领域有着重要应用。应变量子阱结构的出现提高了GaAs基半导体激光器的转换效率、输出功率和可靠性。本文综述了高功率GaAs基量子阱激光器历史发展,介绍了高功率半导体激光器的外延结构、芯片结构和封装结构设计,重点阐述了影响高功率GaAs基量子阱激光器光电性能、散热和实际应用的问题。针对以上问题讨论了相应解决方案及研究成果,并指出了各个方案的不足之处和改进方向。最后,总结了高功率半导体激光器的发展现状,对高功率半导体激光器发展方向进行了展望。 相似文献
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采用SiLENSe(Simulator of light emitters based on nitride semiconductors)软件仿真研究了AlxInyGa1-x-yN电子阻挡层(EBL)Al组分渐变方式对GaN基激光二极管(LD)光电性能的影响,实现了提高输出功率和电光转换效率的目的。文中提出的四种Al组分渐变方式分别是传统均匀组分、右阶梯渐变组分(0~0.07~0.16)、三角形渐变组分(0~0.16~0)、左阶梯渐变组分(0.16~0.07~0)。结果表明,与传统均匀组分EBL结构相比,Al组分阶梯渐变AlxInyGa1-x-yN EBL LD导带底的电子势垒显著提高,价带顶的空穴势垒降低。这主要是由于该结构能有效抑制电子泄漏和提高空穴注入效率,从而提高有源区载流子浓度,进而提高有源区辐射复合效率。当注入电流为0.48 A时,采用Al组分阶梯渐变AlxInyGa1-x-y... 相似文献
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高效毛细管电泳法分离儿茶素组分 总被引:3,自引:0,他引:3
茶叶是世界上传统三大饮料之一。到目前为止 ,茶叶中的化学成分 ,经过分离鉴定的化合物有5 0 0种左右 ,其中有机化合物约有 4 5 0种以上。茶多酚是茶叶中多酚类物质的总称。现代科学研究证明儿茶素类物质具有增强血毛细管的活性、抑制动脉粥样硬化、降低血浆中总胆固醇、直接的抗氧化和抗衰老等作用。所以 ,茶叶被认为是一种优良的天然保健品。对于儿茶素物质测定方法的研究 ,从过去采用的纸色谱法、薄层色谱法到使用气相色谱法分离、鉴定 ,近年来使用高效液相色谱法 (HPLC)分离、鉴定。高效液相色谱法分离效果、重现性及回收率均好 ,而… 相似文献
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采用超临界CO2注入技术制备聚合物-无机纳米粒子复合材料,以乙醇作为共溶剂,在超临界CO2中将正硅酸乙酯(TEOS)注入到聚丙烯(PP)中,重点研究共溶剂乙醇对TEOS在PP中注入率的影响.实验结果表明注入率随着共溶剂加入先增加后减小.同时研究了在共溶剂的存在下其他实验条件对注入率的影响.并采用卢瑟福背散射能谱法(RBS)分析了聚丙烯/SiO2纳米复合材料的注入元素深度分布,发现Si元素在PP中的浓度分布不均匀,随着深度的增加而减小. 相似文献
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本文报道了1个基于3,8-二噻吩-1,10-菲啰啉(dtphen)的双核锰(Ⅱ)配合物1[trans-Mn2Cl4(dtphen)2]和2个基于3,8-二甲基噻吩-1,10-菲啰啉(dmtphen)的单核锰(Ⅱ)和单核钴(Ⅱ)配合物2和3(分子式分别为[cis-MnCl2(dmtphen)2]和[cis-CoCl2(dmtphen)2])的合成、波谱和晶体结构表征。其中,2个锰(Ⅱ)配合物的分子结构呈现不同的配位模式,由于噻吩环上甲基引入所产生的位阻效应,导致单核配合物2和3中,两配体中的噻吩环相对于1,10-菲啰啉环呈现相同的反式/反式分子构型,其二面角分布在14.1(1)°~51.5(1)°。而对于双核配合物1,由于没有甲基位阻的影响,其相应芳环之间二面角减少至2.0(1)°~20.2(1)°,且配体呈现顺式/反式分子构型。 相似文献
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杯[4]芳烃接枝壳聚糖的合成 总被引:2,自引:0,他引:2
杯芳烃是一类由对位取代的苯酚与甲醛缩合而成的环状低聚物[1],其结构的下缘排列着数个羟基,上缘则具有疏水空穴;最大的特点是具有由苯环单元组成的富电子的、大小可调的三维空腔和环形排列的氧原子,既可络合离子又可包结中性分子,与冠醚一般只络合离子、环糊精只包结中性分子相比,杯芳烃在分子识别方面更有发展潜力,被誉为超分子化学中继环糊精、冠醚之后的第三代主体分子[1-3]。壳聚糖是一种天然高分子化合物,其分子中含有羟基和氨基,具有较强的吸附和螯合作用。改性壳聚糖现已被广泛应用于金属分离、废水处理等领域。[4-10]本文将杯… 相似文献
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使用金属有机化学气相沉积(metal organic chemical vapor deposition, MOCVD)方法生长了三个具有不同垒层温度的InGaN/GaN量子阱。由于高密度V型坑的形成,完整的量子阱结构被破坏,转变成了InGaN量子点(quantum dots, QDs)/量子阱(quantum well, QW)复合结构。通过变功率光致发光谱和变温光致发光谱,分析了在不同的垒层温度下量子限制斯塔克效应(quantum confined Stark effect, QCSE)、非辐射复合中心密度和载流子局域化效应的变化。结果表明:在较低的垒层温度下,QCSE较弱,因为在较低的温度下,V型坑的深度较深,应力释放较明显,残余应变较低;非辐射复合中心密度也随着温度的升高而逐渐增大;样品的内量子效率(internal quantum efficiency, IQE)随着垒层生长温度的升高而降低。QCSE的增强和非辐射复合中心密度的增大是垒层生长温度升高时内量子效率下降的主要因素。 相似文献