| 电子阻挡层Al组分对GaN基蓝光激光二极管光电性能的影响 |
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| 引用本文： | 杜小娟,刘晶,董海亮,贾志刚,张爱琴,梁建,许并社.电子阻挡层Al组分对GaN基蓝光激光二极管光电性能的影响[J].发光学报,2022,43(5):773-785. |
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| 作者姓名： | 杜小娟 刘晶 董海亮 贾志刚 张爱琴 梁建 许并社 |
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| 作者单位： | 太原理工大学 材料科学与工程学院, 山西 太原 030024,航天科工防御技术研究试验中心, 北京 100854,太原理工大学 新材料界面科学与工程教育部重点实验室, 山西 太原 030024,太原理工大学 轻纺工程学院, 山西 太原 030024,太原理工大学 新材料界面科学与工程教育部重点实验室, 山西 太原 030024;陕西科技大学 材料原子·分子科学研究所, 陕西 西安 710021 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(61904120,21972103)；;国家重点研发计划(2016YFB0401803)； |
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| 摘 要： | 采用SiLENSe（Simulator of light emitters based on nitride semiconductors）软件仿真研究了AlxInyGa1-x-yN电子阻挡层（EBL）Al组分渐变方式对GaN基激光二极管（LD）光电性能的影响，实现了提高输出功率和电光转换效率的目的。文中提出的四种Al组分渐变方式分别是传统均匀组分、右阶梯渐变组分（0～0.07～0.16）、三角形渐变组分（0～0.16～0）、左阶梯渐变组分（0.16～0.07～0）。结果表明，与传统均匀组分EBL结构相比，Al组分阶梯渐变AlxInyGa1-x-yN EBL LD导带底的电子势垒显著提高，价带顶的空穴势垒降低。这主要是由于该结构能有效抑制电子泄漏和提高空穴注入效率，从而提高有源区载流子浓度，进而提高有源区辐射复合效率。当注入电流为0.48 A时，采用Al组分阶梯渐变AlxInyGa1-x-y...
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| 关 键 词： | GaN基蓝光激光二极管 电子阻挡层 Al组分 光电性能 |
Effect of Al Composition of Electron Blocking Layer on Photoelectric Performance of GaN-based Blue Laser Diode |
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| DU Xiao-juan,LIU Jing,DONG Hai-liang,JIA Zhi-gang,ZHANG Ai-qin,LIANG Jian,XU Bing-she.Effect of Al Composition of Electron Blocking Layer on Photoelectric Performance of GaN-based Blue Laser Diode[J].Chinese Journal of Luminescence,2022,43(5):773-785. |
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| Authors: | DU Xiao-juan LIU Jing DONG Hai-liang JIA Zhi-gang ZHANG Ai-qin LIANG Jian XU Bing-she |
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