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1.
研究分数扩散模型的参数估计及其应用问题.分数扩散模型是一类由分数Brownian运动驱动的随机微分方程.主要结果有:(1)利用二次变差方法给出模型中扩散系数的估计量,通过最小二乘法给出模型中漂移系数的估计量;(2)证明这些估计量的一致收敛性和渐近正态性;(3)利用MCMC方法对此估计量进行验证,并通过R软件将上述模型以及参数估计量应用到SHIBOR利率中进行实证研究. 相似文献
2.
3.
4.
5.
叙述了七路输出高电压脉冲触发装置的基本原理、结构和实验结果。该装置输出脉冲幅值可调,可以七路输出最大幅值80kV(1kΩ负载),前沿陡度大于2TV/s,脉宽200ns,时间抖动(σ)小于2ns。 相似文献
6.
Dynamic bifurcation of a modified Kuramotoben Sivashinsky equation with higher-order nonlinearity 下载免费PDF全文
Under the periodic boundary condition, dynamic bifurcation and stability in the modified Kuramoto—Sivashinsky equation with a higher-order nonlinearity μ(ux)puxx are investigated by using the centre manifold reduction procedure. The result shows that as the control parameter crosses a critical value, the system undergoes a bifurcation from the trivial solution to produce a cycle consisting of locally asymptotically stable equilibrium points. Furthermore, for cases in which the distances to the bifurcation points are small enough, one-order approximations to the bifurcation solutions are obtained. 相似文献
7.
采用金属蒸气真空弧离子源对1Cr18Ni9Ti不锈钢进行Co离子注入,考察了注入处理试样的摩擦磨损性能.结果表明:Co注入处理样品的表面硬度比未注入样品的高1.0~1.5倍,且硬度随离子束流密度的增大而增大;Co注入处理试样的摩擦系数显著降低至约0.20,磨损体积损失降低25%~45%;当束流密度为22μA/cm2、注入剂量为5×1017/cm2时,注入处理样品的摩擦系数为0.19,耐磨寿命最长;在所选定的试验参数范围以内,当临界束流密度处于22μA/cm2时,保留剂量最大,改性表面硬度最高,耐磨性能最佳. 相似文献
8.
高温扫描隧道显微镜(HT-STM)可以实时原位地捕捉到表面原子的熔化相变过程.在这一原位变温实验中,快速可靠地识别出每帧STM图像中的熔融相十分关键.传统的手工统计方法存在效率低下、随意性大等问题.我们发展出一套基于数学形态学的算法,来自动快速地识别.与人工方法相比,该算法消除了人为主观误差,使确定的边界更加准确、光滑,处理效率提高了266倍. 相似文献
9.
通过甩带快淬法制备三元合金(Fe0.81Ga0.19)100-xBx (Fe-Ga-B)和(Fe0.81Ga0.19)100-xInx (Fe-Ga-In)薄带样品,并对Fe-Ga-B合金样品进行热处理。通过高分辨X射线衍射(HRXRD)和扩展X射线吸收精细结构谱(EXAFS)技术表征薄带的微观结构,利用振动样品磁强计和标准电阻应变仪测量了样品的磁性及饱和磁致伸缩系数。研究表明,有序的L12相降低了(Fe0.81Ga0.19)98B2样品的磁致伸缩系数。B原子添加形成的Fe2B相和modified-DO3相有利于提高Fe-Ga合金的磁致伸缩系数。但Fe2B相的饱和磁化强度小于A2相,饱和磁场却远大于A2相,因此随着B含量的增加,Fe-Ga-B薄带的饱和磁化强度逐渐减小,矫顽力逐渐增加。合金中形成的非磁性富In相使得In掺杂Fe-Ga-In合金的磁致伸缩系数和饱和磁化强度均减小。非磁性富In相使晶格产生畸变,减弱了磁弹性效应,并且抑制了磁畴的运动,从而明显地减小了Fe-Ga带材样品的磁致伸缩系数以及饱和磁化强度,提高了Fe-Ga合金的矫顽力。 相似文献
10.
用溶剂熔区移动法制备了掺In的Cd0.9Zn01Te晶体,晶体生长温度800℃,温度梯度为20℃/cm,生长速度0.4 mm/h.测试了晶体的Te夹杂情况、红外透过率图谱、Ⅰ~Ⅴ特性曲线和PICTS特性,并以1115℃下用VB法生长的掺In的Cd0.9Zn0.1Te晶体做为参照,对比了两者性能.结果表明,溶剂熔区移动法制备的晶体Te夹杂的密度和体积百分比比VB法晶片低,但是Te夹杂的尺寸要比VB法晶体大;溶剂熔区移动法晶体的红外透过率比VB法晶体高;溶剂熔区移动法晶体电阻率比VB法晶体高了一个数量级;PICTS测试发现,溶剂熔区移动法晶体内主要的缺陷密度低于VB法晶体. 相似文献