Simulation of plasma doping process by using the localized molecular dynamics method

Plasma doping is the candidate for semiconductor doping. Accurate simulation of the doping technology is needed for the advanced integrated circuit manufacturing. In this paper, the plasma doping process simulation is performed by using the localized molecular dynamics method. Models that involve the statistics of the implanted compositions, angles and energies are developed. The effect of the model on simulation results is studied. The simulation results about the doping concentration profile are supported by experimental data.     

Bers空间中的Hardy-Littlewood型定理

号0引论如果函数f(z)在单位圆{Z}、l内解析,而且对于参数p、q满足条件 /,协11一lz}’)“一’{f(Z){’内·<十oo当o一p一 ①,l相似文献   

斯格明子电子学的研究进展

在过去的半个世纪中,微电子技术一直沿着著名的摩尔定律快速发展,当前已经达到单芯片可集成上百亿晶体管.然而随着晶体管尺寸的缩小,因量子效应所产生的漏电流及其所导致的热效应使得这一定律遇到瓶颈.自旋电子技术由于引入了电子自旋这一全新的自由度,将有望大幅度降低器件功耗,突破热效应枷锁.斯格明子是一种具有拓扑保护的类粒子自旋结构,有望成为下一代自旋电子信息载体,引起了从物理到电子领域的广泛关注.由于其特殊的拓扑性质,斯格明子具备尺寸小、结构稳定、驱动阈值电流小等诸多优点,室温下斯格明子的成核、输运及探测进一步验证了其广泛的应用潜力,由此诞生了研究相关器件及应用的斯格明子电子学.本综述从电子学角度首先介绍斯格明子的基础概念及发展现状、理论及实验研究方法,重点阐述斯格明子器件的写入、调控及读取功能,介绍了一系列具有代表性的新型信息器件;最后,结合斯格明子电子学现状分析了目前所面临的发展瓶颈以及未来的应用前景.     

浅谈实验设计能力的培养

设计实验需要一种组合不同部分而形成新的整体的能力。按布鲁姆关于知识领域的学习水平分类,它是属于较高级别的一种“综合”能力,不是人人都容易有的;但另一方面,在实验教学中却又偏偏忽视这个能力的培养。致使多数中学生都不会做实验设计,有些简直对此一筹莫展。然而,将培养设计实验的能力列入实验教学的任务,不但可以督促学生更自觉、更有目的地做好每次实验;而且作为一项能力,还对学生今后的发展起着积极的作用。所以,应该重视这项能力的培养。要培养这个能力,我认为要有计划地做好以下