多孔金属薄膜阻尼减振微观机理研究

研究了多孔金属薄膜的阻尼性能和微观机理. 采用分子动力学方法及扫描电镜(SEM) 原位观察实验手段对多孔金属薄膜阻尼进行研究, 得出金属薄膜应变滞后于应力周期性变化以及弹性势能周期性衰减的规律, 并通过应变滞后应力的时间差求得损耗因子; 从微观结构上可看出, 在薄膜孔缺陷附近\langle110angle晶向上经历了位错产生、 并且位错呈阶梯状向前发射的变化; 在SEM原位拉伸、卸载实验中观察到有微裂纹的萌生、斜向阶梯扩展、收缩及消失的周期过程. 结果表明: 在周期载荷作用下, 多孔金属薄膜的孔缺陷附近产生的位错可以挣脱开弱钉扎点并限制在强钉扎点上, 由于位错的变化及附近晶界间的相对滑动产生内摩擦, 消耗了系统的部分弹性势能, 引起金属薄膜的阻尼减振效应, 从而揭示了多孔金属涂层阻尼产生的微观机理.     

射频辉光放电CH4等离子体中电子的能量分布

通过求解Lorentz简化的玻尔兹曼方程,得到射频放电CH₄等离子体中电子的能量分布函数.求解过程中使用一个简化的射频电场模型代替泊松方程求解放电电场.共计包含6类环境气体及27种电子碰撞反应.通过EEDF对等离子体中的电子反应率系数、电子平均能量、电子的传输率系数等进行求解分析.结果表明,在等离子体鞘层区域电子能量具有Maxwell分布形式,在正柱区域具有Druyvesteyn分布形式.最高电子能量和最大反应率系数出现在鞘层区域.电子的迁移率系数和扩散率系数随射频周期的演化时空分布不均匀.     

射频辉光放电CH4等离子体一维流体动力学模拟

完整建立一个关于射频辉光放电CH₄等离子体的流体动力学模型.模型包括基于迁移-扩散近似的粒子平衡方程、电子能量平衡方程,共包含了20种粒子(环境气体粒子,激发态粒子,离子和电子)和49类化学反应(电子-中性环境粒子、离子-中性环境粒子、激发态粒子-激发态粒子(中性环境粒子)).结果表明,在强电场区域有较高的电子反应率系数;等离子体中除源气体CH₄外,H₂,C₂H₆,C₃H₈,C₂H₄和C₂H₂也有较高的密度含量;激发态粒子中,CH₃含量最高,密度约为10¹⁹m^-3;在较低放电压力时(如18 Pa),CH₅⁺在离子成分中密度含量最高,当放电压力较高时(如67Pa),C₂H₅⁺在离子成分中占主导地位;除C₂H₅⁺外,其它各离子和激发态粒子在极板上的粒子流量随功率的增大逐渐升高.     

Compact waveguide CO_2 laser excited by a RF power supply

The design and performance of radio frequency (RF) excited partial Z-fold waveguide CO_2 laser with two channels are exposed. The length of the partial Z-fold channel is 3×460 mm and that of the single channel is 460 mm. The electrodes for the two channels are common and excited by a same RF source. According to our analysis, this kind of structure can greatly improve the laser offset frequency stability. In the experiments, we studied the variation of laser output power with gas pressure for two different channels. The maximum laser output power is about 23 W for the partial Z-fold channel and about 6 W for the single channel.     

Compact waveguide CO2 laser excited by a RF power supply

The design and performance of radio frequency (RF) excited partial Z-fold waveguide CO2 laser with two channels are exposed. The length of the partial Z-fold channel is 3×460 mm and that of the single channel is 460 mm. The electrodes for the two channels are common and excited by a same RF source. According to our analysis, this kind of structure can greatly improve the laser offset frequency stability. In the experiments, we studied the variation of laser output power with gas pressure for two different channels.The maximum laser output power is about 23 W for the partial Z-fold channel and about 6 W for the single channel.     

Electro-optically Q-switched RF excited partial Z-folded CO_2 waveguide laser

An electro-optically Q-switched partial Z-folded RF CO2 waveguide laser with an intracavity CdTe modulator has been designed and characterized. The partial Z-fold channel is 3 x 460 mm in length. In this paper we study the laser output power as a function of gas pressure for partial Z-fold channel without Q-switched crystal inside the cavity. The maximum laser output power is about 21 W. For Q-switch operation, the peak power is 730 W and the pulse width is 150 ns.     

铈掺杂氧化铝薄膜的蓝紫色发光特性

应用中频反应磁控溅射技术制备了Al₂O₃:Ce³⁺的非晶薄膜.X射线光电子谱(XPS)检测显示薄膜中有Ce³⁺生成.这些薄膜的光致发光峰是在374nm附近,它来自于Ce³⁺离子的5d¹激发态向基态4f¹的两个劈裂能级的跃迁.发光强度强烈地依赖于薄膜的掺杂浓度,但发光峰位置不随掺杂浓度而变化.Ce³⁺含量和薄膜的化学成分是通过X射线散 关键词： 光致发光 2O₃')" href="#">Al₂O₃ 薄膜 稀土元素     

共沉淀法制备Ce、Pr共掺杂GAGG粉体及发光特性

用化学共沉淀法一次煅烧工艺制备Ce,Pr∶GAGG粉体,利用XRD、SEM、荧光光谱仪等对样品表面形貌及发光性能进行表征,研究煅烧温度、沉淀剂引入草酸根对粉体发光性能的影响。结果表明,前驱体经950℃煅烧3 h后全部转变为GAGG相,Pr~(3+)、Ce~(3+)共掺未改变基质的物相结构;沉淀剂引入草酸铵后,粉体发射光谱积分强度由333 573 a.u上升至420 894 a.u,沉淀剂引入草酸根能提高粉体的发光性能。荧光寿命测试表明,在Ce∶GAGG中掺入Pr~(3+)可使Ce~(3+)的荧光寿命降低,衰减时间为35.43 ns。     

有机纳米信息存储中的结构转变

采用真空热蒸发方法制备了有机单体薄膜对硝基苯腈p-nitrobenzonitrile(PNBN).利用扫描隧道显微镜(STM)在PNBN薄膜上进行信息记录点的写入,通过在STM针尖和高定向裂解石墨(HOPG)之间施加电压脉冲,直接观察到了信息记录点写入前后薄膜发生的局域结构转变.信息记录点的写入机制主要是这种纳米范围结构变化所导致的薄膜由高阻态向低阻态转变,高阻态对应0,低阻态对应1. 关键词： p-nitrobenzonitrile(PNBN) 扫描隧道显微镜(STM) 结构转变     

线性微波化学气相沉积制备SiNx薄膜的微结构及光学性能研究

利用自主研发的线性微波化学气相沉积系统在不同微波功率、微波占空比、基片温度、特气比例条件下制备了SiN_x薄膜. 通过扫描电子显微镜、椭圆偏振仪等表征测量技术, 研究了不同工艺参数对SiN_x薄膜表面形貌、元素配比、折射率、沉积速度的影响, 并探讨了薄膜元素配比、折射率、沉积速度间的关系. 结果表明: 利用线性微波沉积技术, 不同工艺参数下制备的SiN_x薄膜组成元素分布均匀, 同时具有平整的表面状态; 特气比例和微波占空比是影响薄膜折射率的最主要因素, 薄膜折射率在1.92–2.33之间连续可调; 微波功率、微波占空比、沉积温度、特气比例都对SiN_x 薄膜沉积速度影响较大, 制备的SiN_x薄膜最大沉积速度为135 nm·min^-1.