有机单体3-phenyl-1-ureidonitrile薄膜的超高密度信息存储

采用扫描隧道显微镜(STM)在3-phenyl-1-ureidonitrile(PUN)有机单体薄膜上进行了超高密度信息存储的研究.通过在STM针尖和高定向裂解石墨(HOPG)衬底之间施加一系列的电压脉冲,在薄膜上写入了一个稳定的5×6信息点阵,信息点的大小是0.8nm.电流电压(I-V)曲线表明,施加电压脉冲前后薄膜的导电性质发生了变化.信息点的写入机制可能是强电场作用下引发的PUN分子的局域聚合,从而导致薄膜由高电阻态向低电阻态转变. 关键词： 超高密度信息存储 有机薄膜 扫描隧道显微镜(STM)     

银纳米粒子自组织二维有序阵列

采用液液二相转移方法合成出颗粒直径为(4.18±0.5)nm的银纳米粒子溶胶,并用紫外可见光谱对所制得的银纳米粒子溶胶的单分散性和稳定性进行了研究.结果表明,所得到的溶胶相为稳定的、粒径分布窄的单分散体系.红外光谱的分析结果表明,稳定剂1壬基硫醇包缚在银纳米粒子表面.并且,通过自组织方法获得了二维有序的银纳米粒子阵列 关键词： 银纳米粒子 液液二相转移方法 自组织 二维有序阵列     

Formation and local electronic structure of Ge clusters on Si（111）-7×7 surfaces

We report the formation and local electronic structure of Ge clusters on the Si（111）-7×7 surface studied by using variable temperature scanning tunnelling microscopy （VT-STM） and low-temperature scanning tunnelling spectroscopy （STS）. Atom-resolved STM images reveal that the Ce atoms are prone to forming clusters with 1.0 nm in diameter for coverage up to 0.12 ML. Such Ce clusters preferentially nucleate at the centre of the faulted-half unit cells, leading to the ＇dark sites＇ of Si centre adatoms from the surrounding three unfaulted-half unit cells in filled-state images. Biasdependent STM images show the charge transfer from the neighbouring Si adatoms to Ce clusters. Low-temperature STS of the Ce clusters reveals that there is a band gap on the Ce cluster and the large voltage threshold is about 0.9 V.     

有机纳米信息存储中的结构转变

采用真空热蒸发方法制备了有机单体薄膜对硝基苯腈p-nitrobenzonitrile(PNBN).利用扫描隧道显微镜(STM)在PNBN薄膜上进行信息记录点的写入,通过在STM针尖和高定向裂解石墨(HOPG)之间施加电压脉冲,直接观察到了信息记录点写入前后薄膜发生的局域结构转变.信息记录点的写入机制主要是这种纳米范围结构变化所导致的薄膜由高阻态向低阻态转变,高阻态对应0,低阻态对应1. 关键词： p-nitrobenzonitrile(PNBN) 扫描隧道显微镜(STM) 结构转变     

有机复合薄膜中超高密度信息存储研究

利用大气中工作的扫描隧道显微镜，在真空蒸发方法制备的有机复合薄膜上，通过施加电压脉冲法做出了信息点阵，信息点大小为1.3nm.电流-电压特性表明：存储区表现为导体特性，非存储区为绝缘体特性.信息存储实验表明：相邻两个信息记录点的间距可小于2nm,信息存储密度可高达2.5×10¹³bit/cm².对信息存储的机制进行了初步分析. 关键词：     

通过不同烷基链取代调控喹吖啶酮分子在Ag(110)表面上的自组织结构

采用低能电子衍射、扫描隧道显微镜、第一性原理密度泛函理论计算以及分子力学计算，分别对不同烷基链取代的喹吖啶酮（QA）分子在Ag（110）基底上的吸附和生长进行了研究．QA和Ag基底的相互作用主要来自分子中0原子和Ag基底的共价键，它决定了分子的取向和最优吸附位置；而烷基链决定了分子吸附层的取向，QA分子间的排列可以通过烷基链的长度来调节．由此借助调节烷基链的长度，能够可控地制备具有不同物理性质的单层分子薄膜．     

表面包敷1-壬基硫醇的银纳米粒子形成过程及其自组织有序阵列

用紫外-可见光谱和透射电子显微镜研究了表面包敷有1-壬基硫醇的银纳米粒子的形成过程.结果表明,银纳米粒子的形成是先快速形成较大粒子,然后是粒子分解和轻微长大的动态过程.     

STM study of In nanostructures formation on Ge（001） surface at different coverages and temperatures

Different In/Ge（001） nanostructures have been obtained by annealing the samples at 320℃ with different coverages of In. Annealing a sample with a critical coverage of 2.1 monolayer of In, different In/Ge（001） nanostructures can be obtained at different temperatures. It is found that thermal annealing treatments first make In atoms form elongated Ge{103}-faceted In-clusters, which will grow wider and longer with increasing temperature, and finally cover the surface completely.     

纳米级变形的扫描隧道显微镜测量研究

提出了应用扫描隧道显微镜及利用物质原子结构测量纳米级变形的新方法，对高定向裂解石墨、单晶硅材料的纳米级变形进行了测量研究，得到了强激光辐照石墨的残余应变场，对拨原子后单晶硅形成的纳米裂纹附近区域的残余变形进行了分析