Ga和Cu/In衬底上电沉积金属Ga

在酸性水溶液中,分别在金属Ga和Cu/In衬底上进行了Ga电沉积的研究。用循环伏安法研究了导电盐、pH值对电沉积Ga的影响。系统研究了Ga的沉积过程,发现Ga会逐渐向薄膜内部扩散,在Cu/In界面上与CuIn合金反应生成CuGa₂合金。针对Cu/In薄膜和Ga薄膜是活泼金属的特点,在溶液中加入三乙醇胺有效地保护了Cu/In薄膜和Ga金属薄膜不被氧化,并且提高了Ga沉积的电流效率。在Cu/In薄膜上制备出了均匀光亮的金属Ga薄膜。对电沉积出Cu-In-Ga预置层进行了硒化处理,得到了质量较好的Cu(In_1-xGa_x)Se₂(CIGS)薄膜,并制备了太阳电池。电池效率达到了9.42%。     

等离子体活化硒对电沉积Cu-In-Ga金属预制层硒化的影响

使用等离子体活化硒源对电沉积制备的Cu-In-Ga金属预制层进行了硒化处理时, 发现等离子体功率对Cu(In_1-xGa_x)Se₂(CIGS)晶粒的生长有重要影响, 当等离子体功率为75 W时, 制备出单一Cu(In_0.7Ga_0.3)Se₂相的CIGS薄膜. 通过对不同衬底温度的等离子体活化硒源硒化的CIGS 薄膜进行了研究与分析, 并与普通硒化后的薄膜进行对比, 发现高活性硒在低温下会促进Ga-Se二元相的生成, 从而有利于Cu(In_0.7Ga_0.3)Se₂单相的生长. 对等离子体硒化后的CIGS薄膜进行了电池制备, 发现单相CIGS薄膜没有显著提高电池性能. 通过优化工艺, 所制备的CIGS电池效率达到了9.4%. 关键词： 0.7Ga_0.3)Se₂')" href="#">Cu(In_0.7Ga_0.3)Se₂ 电沉积 Cu-In-Ga金属预制层 等离子体活化硒     

PbS@P(NIPAM-co-TSt)功能复合物的合成及其荧光性能研究王成志李润成浩姜韬殷明

以4-氯亚甲基苯乙烯和硫脲为原料,获得含有烷基异硫脲盐的苯乙烯类可聚合单体(TSt),然后将其与N-异丙基丙烯酰胺(NIPAM)共聚合合成温敏性聚合物P(NIPAM-co-TSt),进一步在弱碱性条件下使得有机异硫脲盐与Pb(AcO)2 3H2O中的铅源反应生成含有PbS纳米粒子的PbS@P(NIPAM-co-TSt)聚合物复合材料.利用红外光谱(FTIR)、核磁(1H NMR)、X射线衍射(XRD)、荧光光谱(FL)等手段对聚合物及复合物进行了各项表征,以确认PbS@P(NIPAM-co-TSt)复合物的合成,并用纳米粒度仪和透射电镜法等对聚合物胶束及复合物颗粒的大小与形貌进行了测定.结果表明PbS@P(NIPAM-co-TSt)纳米聚合物复合物既具有良好的荧光性能,且其荧光特征可随体系的温度和浓度而发生变化、具有LCST(低临界溶解温度)特征.同时发现当聚合物体系中引入了PbS形成复合物后,复合物的粒径较之前聚合物的粒径分布明显减小.我们认为类似的环境敏感型复合物能拓展聚合物的应用领域并在很多地方具有广泛的应用前景.     

β-环糊精和遥爪聚合物C-PDMAEMA的包结行为

以香豆素二硫化物(C-S-S-C)/三丁基膦(Bu3P)复合体系为链转移剂,甲基丙烯酸-N,N-二甲氨基乙酯(DMAEMA)为单体,偶氮二异丁腈(AIBN)为引发剂制备了末端为香豆素光响应基元的双亲性遥爪聚合物(C-PDMAEMA).用傅里叶变换红外(FTIR)光谱仪、凝胶渗透色谱(GPC)、核磁共振氢谱(1H-NMR)等对该聚合物进行了结构表征.并用紫外-可见吸收光谱和荧光光谱及光二聚反应考察了β-环糊精与香豆素端基的包结络合行为.研究表明:β-环糊精与香豆素端基足以1∶1形式进行包结,其包结常数K=(1.270+0.062)x104 L·mol-1;光二聚反应实验表明该包结络合作用处于一快速平衡中,其对香豆素端基光二聚反应的影响甚微.