电机驱动微装配在双光子制备微结构中的应用

对微结构的制作、微装配系统进行了研究. 采用飞秒激光双光子聚合微加工技术制作有底座、精细的三维立体“拱形”微结构, 其高250μm、长300μm、厚50μm. 将此微结构与实验室自主搭建的二维微装配平台相结合, 利用自主编程的人机交互界面驱动步进电机, 远程操控微装配设备; 将荧光闪烁陶瓷粉末装配到微结构中, 对装配后的微结构进行荧光光谱表征发现, 纯荧光粉末和微结构中的荧光粉末的发射光谱在测量误差范围内基本一致, 表明荧光粉末的光学性质未发生改变. 利用该装置可以将各类微纳米级材料和微结构进行装配, 形成含有不同材料的微结构系统.     

粗骨料取代下的高性能再生混凝土率敏性研究

采用分离式霍普金森压杆(SHPB)试验方法对粗骨料取代率为0%、30%、50%和100%的再生混凝土进行冲击试验,研究了应力-应变关系曲线、动态抗压强度、动态弹性模量以及破坏形态受应变率影响的变化规律。试验表明,应力-应变关系曲线开始段呈线性关系,随应变率的增大,线性段斜率增大,持续范围扩大,峰值应力变大;峰值应力具有率敏性,随应变率增大,峰值应力不断增加,取代率对峰值应力的影响差别不明显;动态弹性模量也具有率敏性,呈正相关关系,取代率不同,其率敏性程度有所差异;随着应变率增大,试件破坏程度随之加剧,从完整无裂缝到瞬间崩裂成碎块。     

孤立子理论在中国的早期发展——纪念中国孤立子理论研究40周年

2018年是中国孤立子理论研究40周年.通过文献考证方法,考察分析了国内早期(1978-1989)孤立子理论的论著、名人传记及研究性论文,综述孤立子理论早期在中国的传播、研究与发展.指明1978-1989年这一时期我国孤立子理论研究主要处在培养人才和学习阶段,是出现更多更好的学术成果的前期阶段,是迎接孤立子理论在中国大发展的筹备期.     

生产率差异与企业对外直接投资进入模式选择

基于企业异质性视角,借鉴演化博弈理论探究企业通过OFDI“走出去”时的跨国并购方和标的方在全要素生产率上的差异对企业OFDI进入策略选择的影响机制。利用Hotelling模型构造资本密集型企业与劳动密集型企业OFDI进入策略选择博弈模型,讨论两类企业OFDI进入方式决策在并购双方生产率差异变化之下的变迁机理。研究发现:当并购方和被并购方生产率差异较小时,市场达到两类企业都倾向于跨国并购策略的演化稳定状态;当并购双方生产率差异较大时,企业的生产要素密集度及其结构对其OFDI进入模式决策具有重要的作用,知识或技术密集度较高的资本密集型企业与综合实力强势的部分劳动密集型企业采取跨国并购战略,而另一部分劳动密集型企业选择绿地新建方式进入国际市场。即企业OFDI进入策略选择因其所属的行业生产要素密集度及其结构不同而具有差异性。研究结论在一定程度上弥补了现有研究的不足,为以后的研究工作提供一定的理论参考。     

Transient transition behaviors of fractional-order simplest chaotic circuit with bi-stable locally-active memristor and its ARM-based implementation

This paper proposes a fractional-order simplest chaotic system using a bi-stable locally-active memristor. The characteristics of the memristor and transient transition behaviors of the proposed system are analyzed, and this circuit is implemented digitally using ARM-based MCU. Firstly, the mathematical model of the memristor is designed, which is nonvolatile, locally-active and bi-stable. Secondly, the asymptotical stability of the fractional-order memristive chaotic system is investigated and some sufficient conditions of the stability are obtained. Thirdly, complex dynamics of the novel system are analyzed using phase diagram, Lyapunov exponential spectrum, bifurcation diagram, basin of attractor, and coexisting bifurcation, coexisting attractors are observed. All of these results indicate that this simple system contains the abundant dynamic characteristics. Moreover, transient transition behaviors of the system are analyzed, and it is found that the behaviors of transient chaotic and transient period transition alternately occur. Finally, the hardware implementation of the fractional-order bi-stable locally-active memristive chaotic system using ARM-based STM32F750 is carried out to verify the numerical simulation results.     

基于八面体理论的岩石循环加-卸载本构模型及修正

探究岩石的受力特点及破坏特性是研究岩石地下工程安全性的关键,诸多学者都期望能在岩石本构模型的研究上取得突破性进展。在此背景下,提出了一种能够描述循环加-卸载条件下岩石的本构模型。首先,假设岩石的微元强度服从八面体剪应力理论并且微元破坏服从Weibull概率公式,将岩石本构中的损伤变量以及岩石微元强度表达式里包含的损伤因子进行本构变换,得到关于应力、应变等其他表现加-卸载下岩石损伤本构模型的参数,表示出岩石微元强度和损伤变量,再将得到的岩石微元强度和损伤变量代入所提出的岩石本构模型中,并进行等式变换得到一个函数表达式。通过将其与实验数据进行拟合对比分析,得出修正后的拟合参数,将其代入函数式中,得到损伤本构模型的修正式。最后将拟合参数进行必要的敏感性分析,得出各拟合参数的实际物理意义。     

结构不良试题的认识、功能与教学实施

2020年是山东、海南两省进入高考综合改革后的首次高考,数学不分文理科,这对高考数学命题提出了新的要求,数学试题必须在试卷结构和题型上有所创新,以增强测试的选拔功能,达到区分不同水平考生的目的.从2020年全国新高考卷(供山东、海南两省使用)来看,除了增设多选题之外,还在解答题中设置了结构不良试题,这两类题型的出现让人耳目一新,本文拟以新高考卷中的结构不良问题为例谈谈笔者的思考.     

基于碳化硅衬底的宽禁带半导体外延

宽禁带半导体具备禁带宽度大、电子饱和飘移速度高、击穿场强大等优势,是制备高功率密度、高频率、低损耗电子器件的理想材料。碳化硅(SiC)材料具有热导率高、化学稳定性好、耐高温等优点,在SiC衬底上外延宽禁带半导体材料,对充分发挥宽禁带半导体材料的优势,并提升宽禁带半导体电子器件的性能具有重要意义。得益于SiC衬底质量持续提升及成本不断降低,基于SiC衬底的宽禁带半导体电子市场占比呈现逐年增加的态势。在SiC衬底上外延生长高质量的宽禁带半导体材料是提高宽禁带半导体电子器件性能及可靠性的关键瓶颈。本文综述了近年来国内外研究者们在SiC衬底上外延SiC、氮化镓(GaN)、氧化镓(Ga₂O₃)所取得的研究进展,并展望了SiC衬底上宽禁带半导体外延的发展及应用前景。     

一厘米的毛毛

正小虫毛毛住在花园里,他能轻而易举地爬上高处,一边轻咬,一边测量他的宝贝们:西葫芦、茄子,还有荷兰豆。他的测量方法很简单:他每爬一下身体就会蜷成一个圈儿,这就是1厘米。他从一头开始爬,蜷成多少个圈儿就是多少厘米,这可是个很精确的测量方法哦!"扭来扭去的虫虫,一圈儿又一圈儿。什么都能测量,一环又一环。""7厘米的辣椒,8厘米的豌豆,还有刚长出3厘米的小青菜。"