La1/8Ca7/8MnO3/Sr0.95Nb0.05TiO3异质结的整流特性和磁输运性质

在5%Nb掺杂的SrTiO3衬底上用磁控溅射法外延生长了La1/aCa7/aMnO3薄膜形成异质结,该异质结有类似于传统P-n结的整流特性.磁场下扩散电压减小,当温度低于130 K以下,扩散电压的减小非常明显.这和在此温度以下,La1/8Ca7/aMnO3出现自旋倾斜态密切相关.我们计算出异质结的结电阻和磁致电阻(MR),在不同大小的正负偏压,不同磁场下,都得到负的MR值.我们给出界面附近的La1/8Ca7/8MnO3的能带结构并分析了外加磁场对洪德耦合,Jahn-Teller畸变等机制的作用,来解释该异质结的磁输运行为.结果有助于了解高Ca掺杂锰氧化物异质结的性质.     

Bi0:9-xGdxLa0:1FeO3的磁性

详细地研究了Bi0:9-xGdxLa0:1FeO3 (x=0.3,0.5,0.6和0.7)的磁化强度(M)和矫顽场随温度(T)的变化． 实验发现， 在一定温度范围内，M-T曲线上出现异常的负磁矩； 矫顽场与温度的关系不是单调变化的， 而是在温度补偿点到最大值． 这些结果表明Bi0:9-xGdxLa0:1FeO3体系中Gd和Fe磁晶格呈反铁磁耦合．但由于Gd离子和Fe离子的磁矩不相等，导致该体系中存在亚铁磁性．     

基于标准序列浮动前向特征选择的改进算法研究

随着信息技术的高速发展,信息特征的表述方法和内涵不断扩充,高维特征大幅涌现。这些高维特征中可能存在许多不相关和冗余特征,造成了维度灾难,对分类识别算法提出了更高的要求,需要利用特征选择算法,降低特征向量维数并消除数据噪音的干扰。针对高维特征向量引入的维度灾难等问题,围绕目标分类识别的具体应用,对标准的序列浮动前向特征选择算法进行了研究,并通过优化正确分类样本数目的置信上限及交叉验证的重复次数,提出了一种改进的序列浮动前向特征选择算法。通过仿真实验表明,在利用贝叶斯分类器开展识别时,改进算法能够在确保分类识别正确率的前提下,有效提升特征选择的计算速度,并随着特征选择步骤的增加,能够维持一个相对更为收敛且稳定的置信区间,具备良好的准确度。     

MgO掺杂对PMMN四元系压电陶瓷结构与性能的影响

采用固相烧结法制备添加过量MgO的铌镁-铌锰-锆钛酸铅(PMMN)四元系压电陶瓷材料,研究了不同MgO掺杂量对材料结构及压电介电性能的影响.实验结果表明,适量MgO掺杂,不仅不改变PMMN压电陶瓷的钙钛矿相结构,且能提高合成粉体的晶化程度,降低陶瓷的烧结温度,改善材料的压电介电性能.当MsO掺杂量为0.25;质量分数,1130℃烧结的样品性能参数为:d33=310 pC/N,Qm=1008,kp=0.61,tan δ=0.34;,ε33T/ε0=1494,是一种中温烧结功率型压电陶瓷材料,适用于多层压电变压器,超声马达等器件.     

Al和Sn离子掺杂对La1.2Ca1.8Mn2O7输运性质的影响

研究了Al和Sn离子掺杂对层状钙钛矿结构锰氧化物La1.2Ca1.8Mn2O7输运性质的影响.发现Al,Sn掺杂后样品电阻率增加,并且半导体导电区域电阻值与可变程跃迁导电模型符合得较好;同时掺杂样品金属-绝缘转变温度逐步降低,最大磁电阻值比未掺杂样品增大.     

环和纳米管径向呼吸振动模式的一个简单理论模型

用密度泛函方法在B3LYP/6-31G(d)基组下计算了(MgO)n和(BeO)n环(n=3-10)的径向呼吸振动. 大环的径向呼吸振动频率正比于环直径的倒数, 但键长的变化导致频率偏离了这种线性关系. 随着环直径的减小, 直径倒数的三次方和键长的变化将导致频率更大地偏离线性行为. 从化学键的角度出发利用一维谐振子及弹簧的串并联思想, 解释了这种线性关系和偏离现象. 这种模型还可以用于研究纳米管的径向呼吸振动频率.     

LiBiO2掺杂的低温烧结PSZT压电陶瓷

采用固相二步合成法,通过在预烧粉料中添加LiBiO2,制备出一种低温烧结的Pb0.95Sr0.05(Zr0.54Ti0.46)O3压电陶瓷材料。LiBiO2的添加具有降低烧结温度同时提高陶瓷性能的优点。实验结果表明:适量的LiBiO2掺杂,可形成过渡液相烧结,使烧结温度降低到950～1050℃,比未添加时的烧结温度低240～340℃。当w(LiBiO2)=1.0%,陶瓷达到最佳压电性能:压电应变常数d33=425 pC/N,平面机电耦合系数kp=57.62%,退极化温度Td=350℃,相对介电常数ε3T3/ε0=1543,介电损耗tanδ=0.0216,剩余极化强度Pr=35.51μC/cm2,体积密度ρ=7.45g/cm3。该材料可应用于低温共烧的叠层压电器件中。     

In组分对InGaN/GaN蓝光LED的发光性质的影响

利用扫描透射电子显微术(STEM)和变温光致发光光谱(PL)研究了In组分对InGaN/GaN蓝光LED的发光的影响.STEM发现两个样品量子阱结构相同,低温PL显示低In组分的样品的发光峰位随着温度的升高呈现出经典S(Red-Blue-Red)曲线.目前普遍认为蓝移是In组分分布不均匀造成的局域激子发光的主要原因,然...     

过渡金属离子掺杂对La1.2Ca1.8Mn2O7输运性质的影响

研究了过渡金属元素掺杂对层状钙钛矿结构锰氧化物La1.2Ca1.8Mn2O7体系输运性质的影响.实验结果表明不同过渡金属离子掺杂均导致体系的金属-绝缘转变温度降低,电阻率与最大磁电阻值(Cr除外)增加.当掺杂量较高时,磁性Cr、Fe、Co、Ni离子对体系性质的影响与其磁性相互作用密切相关.     

二氧化硅纳米结构径向呼吸振动的理论研究

运用密度泛函理论的B3LYP方法,在6-31G(d)基组水平上,计算了由Si₂O₂二元环组成的准一维SiO₂纳米链及三元环(3MR)、四元环(4MR)、六元环(6MR)和八元环(8MR)组成的SiO₂纳米管的Raman振动光谱。从Raman光谱发现纳米链和纳米管的径向呼吸振动频率随链或管长的增加而频率移动相反,即分别发生红移和蓝移,但随着链和管趋于无限长频率趋近稳定值;同时,随着直径的增大,振动频率减小。在小尺寸时,由于结构内部的应力影响使频率移动更明显,进一步对键长和键角分析说明,结构应力的作用使频率随尺寸变化发生移动。