PH, PD和PT分子常数理论研究

采用内收缩多参考组态相互作用(MRCI)方法和包含Davidson修正(+Q) 的MRCI方法结合相关一致基aug-cc-pV5Z研究了PH (X³Σ^-, a¹Δ和A³∏)分子的势能曲线. 在同位素质量识别的基础上对势能曲线进行拟合, 得到PH, PD和PT分子各个电子态的光谱常数(T_e, R_e, ω_e, ω_ex_e, α_e和 B_e). 通过与已有实验数据的比较发现, 本文的结果与实验结果非常一致. 对于PH, PD和PT分子的Σ^-电子态, 计算得到了J = 0时的前12个振动态. 对于每一个振动态, 还分别计算了它的振动能级、惯性转动常数和离心畸变常数. 与其他理论结果和实验数据进行比较可知, 本文的结果更精确、更完整. 文中PD和PT分子的光谱常数和分子常数均属首次报导.     

理论研究B2分子X3Σg-和A3Πu态的光谱性质

采用Davidson修正的内收缩多参考组态相互作用方法及Dunning等的相关一致基aug-cc-pV6Z计算了B₂分子X³∑_g^-和A³Π_u电子态的势能曲线.利用总能量外推公式,将两个电子态的总能量分别外推至完全基组极限.对势能曲线进行核价相关修正及相对论修正计算,得到了同时考虑两种效应修正的外推势能曲线.通过同位素质量识别,得到了主要的同位素分子¹¹B¹¹B和¹⁰B¹¹B的X³Σ_g^-和A³Ⅱ_u电子态的光谱常数T_e,R_e,ω_e,ω_ex_e,ω_ey_e,B_e,β_e和γ_e.求解双原子分子核运动的径向Schr（o|¨）dinger方程,找到了无转动的同位素分子¹¹B₂（X³Σ_g^-,A³Π_u）和¹⁰B¹¹B（X³∑_g^-,A³Π_u）的全部振动态.针对每一同位素分子的每一振动态,分别计算了其振动能级和惯性转动常数等分子常数,它们均与已有的实验结果较为一致.其中,¹⁰B¹¹B（A^Π_u）分子的光谱常数和分子常数属首次报道.     

激光场中极化势对电子-氦原子散射影响

构建含有极化势的静电屏蔽势和单纯的静电屏蔽势这两种原子势模型,应用第二玻恩近似（SBA）理论,分别对激光场中电子-氦原子散射截面进行了理论计算。对比实验结果发现含有极化势的静电屏蔽势给出的结果与实验符合较好。表明极化势在激光辅助电子-原子散射中起着重要作用。     

一氧化硅电致激发光谱理论研究

采用含时密度泛函(Time-dependent density functional theory)TDDFT/6-311++g(d,p)方法研究了一氧化硅分子能量最低的10个单重激发态的激发波长和跃迁振子强度等激发光谱参数.同时利用原子与分子物理相关理论分析了外电场对一氧化硅分子激发光谱的影响规律.得到的结论是,随外电场强度增强,一氧化硅分子激发态跃迁光谱向可见光区域发生红移.该结果为通过外电场调制材料发光特性提供了理论支持.     

SiN自由基X2∑+, A2Π和B2∑+ 电子态的光谱常数研究

采用内收缩多参考组态相互作用(MRCI)方法, 结合价态范围内的最大相关一致基aug-cc-pV6Z, 计算了SiN自由基X²∑⁺, A²Π 和B²∑⁺电子态的势能曲线. 采用Davidson修正来避免由于MRCI方法本身的大小一致性缺陷产生的误差. 为了提高计算精度, 进一步考虑了相对论修正和核价相关修正对势能曲线的影响. 本文的相对论修正是利用二阶Douglas-Kroll 哈密顿近似在cc-pV5Z基组水平进行的; 同时核价相关修正是在cc-pCV5Z基组水平进行的. 对这些势能曲线进行拟合, 得到各种水平下三个电子态的光谱常数(T_e, R_e, ω_e, ω_ex_e, α_e和B_e), 并详细分析了Davidson修正、相对论修正和核价相关修正对光谱常数的影响. 与其他理论结果和实验数据进行比较, 可知本文的结果更精确、更完整.     

中高能电子被甲烷及氯代甲烷散射的总截面

利用可加性规则，使用HartreeFock波函数，采用由束缚原子概念修正过的复光学势（由静 电势、交换势、修正极化势及吸收势这四部分组成），在较大的能量(30—5000eV)范围内对 电子被甲烷及氯代甲烷（CH₄，CCl₄，CHCl₃，CH₂Cl₂和CH ₃Cl）散射的总截面进行了计算，且将计算结果与实验结果及其他理论计算 结果进行 了比较.结果表明，利用被束缚原子概念修正过的复光学势及可加性规则进行计算，所得结 果的精度要比利用未被束缚原子概念修正的复光学势及可加性规则进行计算得到的结果好很 多.因此，在复光学势中采用束缚原子概念可提高电子被分子散射的总截面的计算准确度. 关键词： 电子散射 可加性规则 束缚原子 总截面     

Total cross sections for electrons scattering from simple molecules containing the larger atom sulfur at 30-5000eV

A complex optical model potential modified by the concept of bonded atom, which takes into consideration the overlapping effect of electron clouds, is employed to calculate the total cross sections for electrons scattering from simple molecules （SO2, H2S, OCS, CS2 and SO3） containing the larger atom, sulfur, at 30-5000eV by using the additivity rule model at Hartree-Fock level. The quantitative molecular total cross section results are compared with those obtained in experiments and other calculations wherever available, and good agreement is obtained. It is shown that the additivity rule model together with the complex optical model potential modified by the concept of bonded atom can give the results closer to the experiments than the one unmodified by it. So, the introduction of bonded-atom concept in complex optical model potential betters the accuracy of the total cross section calculations of electrons from the molecules containing the larger atom, sulfur.     

量子场论方法在电子与分子碰撞中的应用

这是一种利用量子场论所进行的探究性的研究方法,在文章中,我们设 计了一种新的较为简单的电子-原子碰撞模型,将量子场论方法与光学势方法中的可加性规 则结合起来.利用这种模型,我们计算了e-H,e-He和e-Li的微分碰撞截面,获得了较满意的 结果.     

Electron impact total(elastic+inelastic) cross sections with simple molecules consisting of N & O atoms at 100-1600eV

A model complex optical potential rewritten by the conception of bonded atom, which considers the overlapping effect of electron cloud, is employed to calculate the total (elastic + inelastic) cross sections with simple molecules (N2, O2, NO2, NO, N2O) consisting of N & O atoms over an incident energy range of 100 - 1600 eV by the use of additivity rule at Roothaan-Hartree-Fock level. In the study, the complex optical potential composed of static, exchange, correlation polarization plus absorption contributions firstly uses bonded-atom conception. The qualitative results are compared with experimental data and other calculations wherever available and good agreement is obtained. The total cross sections of electron-molecule scattering above 100 eV can be successfully calculated.