线性电压扫描下1VIIS器件瞬态的简单模型

本文用准平衡模型分析讨论了线性电压扫描下MIS器件的I/V瞬态.文中除了给出一般的处理方法以外，还给出了几种不同电压扫描率下I/Y特性的计算结果，并与已往的模型作了比较.     

用椭偏术研究与接触介质有关的贵金属的介电函数

为了研究接触介质对金属光学性质的影响，实验中使用具有不同折射率的梯形棱镜作为衬底，将金和银蒸发到棱镜底部，用椭偏术分别测量了薄膜在金属-空气、金属-衬底界面的介电函数.结果表明：无论在Drude区，还是在带间跃迁区，金属-衬底界面处薄膜介电函数不仅与金属-空气界面处的测量值不同，而且随衬底折射率改变而改变.在固体接触条件下获得的结果与其他作者在液体接触条件下获得的结果相一致，但尚难被现有机制所解释. 关键词：     

准平衡模型下脉冲MOS电容器的瞬态特性

本文给出了描写咏冲MOS电容器的瞬态特性的微分方程.产生区宽度采用准平衡模型来计算,反型少子的非稳态产生的影响已被计及.文中给出了用Runge-Kutta方法得到的1-t和C-t瞬态特性曲线,并进行了详细讨论     

表面复合速度和结深对硅扩散n十-p 结太阳电池性能的影响

假设扩散区的杂质分布为高斯分布,本文给出了扩散n~+-P结太阳电池扩散n~+区少子连续性方程一个形式简单的解。在此基础上对若干实例进行了计算和分析,以研究表面复合速度和结深对太阳电池性能的影响。 本文指出,为使太阳电池有高的收集效率,必须把表面复合速度控制在10~4cm/s以下。除了表面复合速度以外,也研究了杂质分布引起的内建漂移场对光生少子在表面复合的影响。内建漂移场与结深有关。本文指出,与较高的漂移场相应的浅结更有利于削弱光生少子在表面的复合。     

阶跃电压法确定产生寿命和表面产生速度

在分析MOS电容对耗尽的阶跃电压瞬态响应的基础上,本文提出了一种同时确定产生寿命和表面产生速度的方法。用该方法对一些样品进行了测试分析,结果表明该方法是合理的。并且指出,在表面产生与体产生相比较实际上不能忽略时,忽略表面产生的方法将导致测得的产生寿命低于它的真实值。 关键词：     

用MOS 结构同时测定少子复合寿命和产生寿命

本文报道了一种能同时确定半导体体内少子复合寿命和半导体表层空间电荷区少子产生寿命的实验技术。在处于强反型的MOS电容器上加一矩形脉冲,使其变为平带状态。此时,反型少子将注入半导体体内,并在那里复合。当脉冲结束时,尚未复合的反型少子被扫回半导体表面,MOS结构则进入深耗尽态。此后,在不变的栅压下,通过空间电荷区的少子产生,MOS结构将逐渐弛豫回到加脉冲前的强反型态。本文指出,由前一过程可确定少子复合寿命,而由后一过程可确定产生寿命,文中并分析讨论了界面态对测量结果的影响。     

产生区宽度模型与产生寿命的确定

本文建议了一种由两个不同电压扫描率下的饱和电容值确定产生寿命的实验方法。C}7于这一实验方法只涉及不同电压扫描率下产生区宽度之差，因此无论使用Fierret的改进的产生区宽度模型或是使用简单的Zerbst模型都将给出同样的产生寿命值。实验结果表明，对于同一个MOS电容器样品，从不同电压扫描率组合得到的产生寿命值基本一致.     

太阳电池扩散区结构和它的短路电流

本文研究了硅扩散结太阳电池扩散区的结构和它的短路电流的关系.结果表明扩散区对短路电流的贡献依赖于扩散区厚度、表面复合速度和扩散区中的内建场梯度等因素.木文通过计算实例指出:被腐蚀减薄的扩散区结构的优劣需要具体评价，同时提供了这种具体评价的理论和方法。     

硅MIS/IL太阳电池反型层 薄层电阻的精确算法

本文提出了一种直接求解泊松方程计算MIS/IL太阳电池的反型层薄层电阻的方法.这种方法既不采用耗尽近似，也不忽略反型电荷对电势的影响，因而它是精确的.文中通过计算实例比较了这种精确算法与耗尽近似计算方法的结果，并进行了讨论     

PFCVD氮化硅膜的性质与生长条件的关系

本文研究由国产DD-P 250型等离子淀积设备制备的氮化硅膜的性质与膜的生长条件的关系.俄歇分析的估算表明膜的组份在纵向分布均匀，含氧量均较低(3%以下)，任何使Si/N比增大的生长条件均会使固定界面正电荷增加，固是界面正电荷密度与陷阱密度均在10'z/cmz量级，膜的导电机理显示Poole-Frenkel发射，当Si/N比为1.25^-0.81时，膜的击穿场强为3.0~8. 5 MV/cm.