二维CdO的低晶格热导率研究

寻求具有较小晶格热导率k_lat的高热电性能的二维材料具有重要意义。基于从头计算和声子玻耳兹曼输运理论,该研究首先对二维CdO结构进行优化,并通过计算声子谱验证了单层CdO的动力学稳定性。在此基础上详细研究了单层CdO的声子输运性质。计算表明在室温下单层CdO的晶格热导率k_lat约为5.7 W/(m·K),低于单层石墨烯、磷烯、黑磷和MoS₂等二维材料的晶格热导率。其中,Z方向声学模式(Z-direction acoustic, ZA),横声学支(transverse acoustic,TA),纵声学支(longitudinal acoustic, LA),Z方向光学模式(Z-direction optical, ZO),横光学支(transverse optical, TO),纵光学支(longitudinal optical, LO)对k_lat的百分比贡献分别为73.7％、13.9％、3.7％、2.8％、4.7％和1.2％。研究发现,ZA、TA、LA声学支和光学支之间的强散射是导致单层CdO低热导率的原因。本文计算结果可用于指导基于CdO的低维热电器件的设计。     

Synthesis and Crystal Structure of a Novel Ethyl 5-(4-(2-Phenylacetamido)phenyl)-1H-pyrazole-3-carboxylate as an Acrosin Inhibitor

The title compound (ethyl5-(4-(2-phenylacetamido)phenyl)-1H-pyrazole-3-carboxy- late, C20H19N3O3) was synthesized by the reaction of Claisen condensation, cyclization, reduction and acylation. The structure was characterized by X-ray diffraction, MS, NMR and IR. It belongs to the monoclinic system, space group C2/c with a = 22.723(9), b = 9.324(4), c = 18.890(8) , β = 114.259(6)°, V = 3649(3) 3, Dc = 1.272 Mg·m-3, Z = 8, Mr = 349.38, μ = 0.087 mm-1, F(000) = 1472, the final R = 0.0615 and wR = 0.1643. The biological test shows that the title compound has a moderate acrosin inhibition activity.     

Al_(0.17)Ga_(0.83)As/GaAs(001)薄膜退火过程的热力学分析

在As_4束流等效压强为1.2×10~(-3)Pa、退火60 min条件下改变退火温度,对Al_(0.17)Ga_(0.83)As/GaAs薄膜表面平坦化的条件进行了探讨.定量分析了薄膜表面坑、岛与平台的覆盖率和台阶-平台间薄膜粗糙度随退火温度变化的规律,得到最合适的退火温度为545℃(±1℃);根据退火模型发现退火温度的改变会影响参与熟化的原子的数量,熟化原子比θ正比于退火温度,即θ∝Τ.退火温度540℃条件下退火约60 min,薄膜表面达到基本平坦,推测此时0.20θ0.25;退火温度为545℃时,推测退火时间约为55-60 min.本实验得到的结论可以为生长平坦的Al_(0.17)Ga_(0.83)As/GaAs薄膜提供理论与实验指导.     

Sol-gel法制备CaSnO_3∶Eu~(3+)发光粉过程中添加PEG的作用

采用sol-gel法制备CaSnO3:Eu3+荧光粉。研究了在制备过程中添加表面活性剂聚乙二醇(PEG10000)对CaSnO3:Eu3+结构、粒度、形貌及发光性能的影响。通过X射线衍射(XRD)、激光粒度仪,扫描电镜(SEM)及荧光分光光度计对样品进行了表征。结果表明:在制备过程中添加PEG没有改变样品的结构,很好地改善样品粒度以及形貌,荧光粉的相对发光强度也稍有增强。     

二维g-AlN材料中n型掺杂探索：基于第一性原理的带电缺陷计算

电荷转移能级和缺陷形成能的计算对探索半导体材料的n型和p型掺杂效率具有重要的指导意义。基于第一性原理方法，结合二维带电缺陷计算理论，系统计算了二维类石墨烯氮化铝(graphene-like AlN, g-AlN)中四种（C_Al，Si_Al，Ge_Al，Sn_Al）可能的n型掺杂体系的结构、磁学、电学以及缺陷性质。结果表明，四种体系的最稳定价态均为+1价和0价，Sn_Al具有较深的施主能级，不具备为二维g-AlN提供n型载流子的条件，而C_Al，Si_Al，Ge_Al表现为浅能级施主特性，均能在一定条件下成为理想的施主杂质，其中Si_Al具有最浅的施主特性以及最低的缺陷形成能，因而是二维g-AlN中实现n型掺杂的首选掺杂剂。另外，在p型二维g-AlN中，四种掺杂原子都会成为有效的空穴捕获中心，严重降低p型载流子导电率。研究数据将会为实验上实现二维g-AlN n型掺杂提供理论解释和指导。     

Variational Corner Transfer Matrix Renormalization Group Method for Classical Statistical Models

In the context of tensor network states, we for the first time reformulate the corner transfer matrix renormalization group(CTMRG) method into a variational bilevel optimization algorithm. The solution of the optimization problem corresponds to the fixed-point environment pursued in the conventional CTMRG method, from which the partition function of a classical statistical model, represented by an infinite tensor network, can be efficiently evaluated. The validity of this variational idea is dem...     

9-取代-2-氨基-6-胍基嘌呤类精子顶体酶抑制剂的设计、合成及活性评价

顶体酶是存在于精子顶体内的一种胰蛋白酶样的丝氨酸水解酶,是目前男性抗生育药物设计的潜在靶点之一.在前期对精子顶体酶同源模建的基础上,根据活性腔结构和活性位点性质,以KF950为先导化合物,设计合成了一类胍基鸟嘌呤化合物,采用核磁共振氢谱、质谱、红外光谱和元素分析等手段对其结构进行了表征,其中中间体5m的结构经X射线单晶衍射分析确证.以N-甲苯磺酰-L-赖氨酸-氯甲基酮(TLCK)为阳性对照,分别测定了目标化合物对精子顶体酶的体外抑制活性.结果表明,化合物6a～6z的酶抑制活性均强于TLCK,其中化合物6z抑制活性与KF950相当.     

二维BN材料中n型掺杂探索:基于第一性原理的带电缺陷计算

半导体材料的有效掺杂可为半导体器件的成功应用提供保障.理论上,通过计算缺陷形成能和电荷转移能级可以预测掺杂的难易性以及缺陷能级的深浅性.基于密度泛函理论,结合二维带电缺陷计算方法,系统计算二维BN材料中四种(CB,SiB,GeB,SnB)潜在n型掺杂体系的缺陷性质.结果表明,CB(SnB)体系最稳定价态为+1价(-1价)和0价,而SiB,GeB体系最稳定价态为+1价,0价和-1价,CB,SiB与GeB体系相应的施主离子化能为2.00 eV,3.57 eV和4.06 eV,均表现为深能级施主,很难为BN提供n型载流子.另外,CB体系在宿主BN为p型掺杂时+1价态具有负形成能,将会严重降低BN p型掺杂效率及空穴导电率.该研究结果可为实验上对二维BN进行掺杂尝试提供理论依据.     

基于第一性原理的二维g-AlN材料p型掺杂研究

半导体材料通过掺杂实现n型和p型载流子导电在半导体器件领域具有重要意义,理论上可通过计算电荷转移能级和缺陷形成能来探索半导体材料的n型和p型掺杂效率。基于第一性原理,结合二维带电缺陷计算方法,类石墨烯氮化铝(graphene-like AlN, g-AlN)中的四种(Be_Al,Mg_Al,Ca_Al,Sr_Al)潜在p型掺杂缺陷的结构、磁学、电学和缺陷形成能及转移能级被系统地计算。结果表明,所有缺陷体系均表现为深受主能级特性,很难为二维g-AlN提供p型载流子,它们反而会捕获g-AlN中的空穴,从而严重影响二维g-AlN材料的空穴导电率。Be_Al在整个电子化学势范围内具有最小的形成能,因此更加容易掺入到g-AlN中,影响g-AlN材料的p型掺杂效率。