高纯度超导氧化物RuSr2GdCu2O8的合成与超导电性

RuSr2GdCu2O8据报道是转变温度为30－40K的超导体，其合成的主要问题是，在合成过程中有相当多的铁磁性的SrRuO3杂相伴随着主相一起生成，本文报道了合成RuSr2GdCu2O8（Ru-1212相）纯相的新方法，即在O2和水蒸气气氛中首先合成纯相的Sr2GdRuO6(Ru-211相）先驱物，然后Sr2GcRuO6与CuO高温烧结，生成RuSr2GdCu2O8。合成的RuSr2GdCu2O8电阻为半导体温度行为，该体系的超导转变与生成的杂相有关。     

电子型超导体Sm2-xCexCuO4欠掺杂区域(0.09≤x≤0.15)的异常热电势和电阻率行为

测量了欠掺杂区域Sm2-xCexCuO4(0.09≤x≤0.15）多晶样品的热电势S和电阻率ρ的温度依赖关系，电阻率ρ在低于200K处斜率发生改变，表明低温下发生载流子弱局域化，热电势S高温下满足线性温度依赖关系，随着温度降低，在200－250K发生斜率改变，可以用赝能隙的开放解释，所有的样品在50K观察到一个曳引峰，表明载流子符号发生改变，由电子型转变为空穴型。