激光加热基座晶体生长——提高氧化物超导体材料临界电流密度的工艺途径

本文简要介绍激光加热基座晶体生长技术的基本原理，主要工艺特点及其在多种高熔点氧化物晶体生长中的应用，尤其是在高Ｔｃ氧化物超导体材料提高临界电流密度（Ｊｃ）方面所取得的重要成果．     

掺Zn对YBa_2Cu_3O_(7-δ)超导体高场特性的影响

本文研究了掺Zn对YBa_2Cu_3O_(7-δ)烧结样品高场下超导电性的影响.根据磁测量结果,利用 Bean 模型计算临界电流密度 J_c 和磁通钉扎力 F_p 的结果表明:随着 Zn 含量的增加,J_c 随外场增大而下降的速率增大,F_p 也显著下降.而且,对于某些样品,F_p 随外磁场变化出现一个极大值.     

一次烧结后2223相的转化率对Bi-2223/Ag带材的电流传输性能的影响

Bi-2223银包套带材的热处理工艺一般包括一系列的烧结-轧制/压制过程才能达到最佳的电流传输性能. 大量实验表明, 第一次烧结后带材中2223相的转化率对于后续热处理中的相转化, 微观结构和非超导杂相以及电流传输性能等具有很大的影响. 本文制备了两种不同相组成的BSCCO 2223初始粉末, 并考察了一次烧结后2223相的转化率对最终带材的临界电流的影响. 结果发现, 第一次烧结后带材中形成75～80%的2223相有利于得到最佳的电流传输性能.同时, 初始粉的相组成可以影响电流传输性能对带材热处理时间的依赖性.     

Li_y(PC)_yTiS_2夹层化合物的形成及其对Li/TiS_2蓄电池利用率的影响

本文应用X射线衍射仪,高分辨电镜,热分析和质谱仪等方法研究了以LiClo_4+碳酸丙烯酯(PC)为电解质的Li/TiS_2电池在充放电过程中TiS_2的结构变化。发现了两个嵌入过程:一个是Li~+离子嵌入和脱层的可逆通程;一个是Li~+离子和PC分子共嵌入的电化学不可逆过程,生成了Li_y(PC)_y TiS_2夹层化合物。这类夹层化合物是电池循环使用时利用率下降的主要原因。     

Y-Ba-Cu-O化合物的晶体结构畸变对超导性能的影响

本文研究了不同处理条件(烧结后不同冷却速度和在不同气氛中时效)产生的晶格畸变对Y-Ba-Cu-O化合物超导性能的影响。结果发现,随烧结后的冷速增加,正交层状钙铁矿相的三对X射线主衍射峰的强度逐渐发生反转现象,伴随超导性能的改变。同时,该化合物超导体与水蒸汽、CO等极性分子间存在着强烈的交互作用,使得正交相的衍射峰的强度发生相似变化,并可导致样品在液氮温区失超。这说明正交相的畸变与Y-Ba-Cu-O化合物的超导性能有着密切的关系。并由实验结果的分析和计算揭示了二者的定量关系。同时,用极化理论和晶体场模型就畸变对超导性能的影响作了定性的解释。     

电子显微镜研究Pt-Sn/Al2O3催化剂

用选区电子衍射及高分辨电子显微镜考察了共浸、分浸和络合法制备的Pt-Sn/Al_2O_3催化剂的物相。共浸法催化剂含金属Pt、金属Sn和SnO·SnO_2共熔体。分浸法催化剂含PtSn,PtSn_2合金和SnO·SnO_2。络合法催化剂除SnO·SnO_2和金属Sn外,存在有Pt_xSn_y原子簇,这种未定结构的Pt_xSn_y原子簇可能是有利于在高温下氢吸附的中心。