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| 激光加热基座晶体生长——提高氧化物超导体材料临界电流密度的工艺途径 | |
| 引用本文： | 葛云龙,胡壮麒,乔桂文,李依依.激光加热基座晶体生长——提高氧化物超导体材料临界电流密度的工艺途径[J].物理,1989(3). |
| 作者姓名： | 葛云龙 胡壮麒 乔桂文 李依依 |
| 作者单位： | 中国科学院金属研究所 (葛云龙，胡壮麒，乔桂文)，中国科学院金属研究所(李依依) |
| 摘 要： | 本文简要介绍激光加热基座晶体生长技术的基本原理，主要工艺特点及其在多种高熔点氧化物晶体生长中的应用，尤其是在高Ｔｃ氧化物超导体材料提高临界电流密度（Ｊｃ）方面所取得的重要成果． |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |