有机发光射二极管发光效率的提高

英国索斯安普敦的点源 (ＰｏｉｎｔＳｏｕｒｃｅ)研究机构报道了将新型的激光纤维光学传递系统用于微重力蛋白质晶体生长的基础研究 ,其目标是生长高质量的蛋白质晶体 ,以有助于确定人体中蛋白质的三维结构和功能 .伯明翰Ａｌａｂａｍａ大学大分子结晶学中心 (ＣＭＣ)正在利用低重力环境生长用于药物设计的蛋白质晶体 .实验之所以要在空间进行 ,是因为在微重力条件下才能生长出在这些实验中所用的蛋白质分子 .ＣＭＣ首创了可以控制蛋白质晶体生长的技术 ,以研究在地球环境和微重力环境下的蛋白质晶体生长 .蛋白质晶体生长的过程是 ,在过饱和…     

导模法晶体生长技术研究及应用

在人工晶体生长技术中,导模法晶体生长技术具有"近净型"生长、材料利用率高、生长速度快以及易于实现多片晶体同步生长等优点,在晶体生长领域应用广泛,已被用于工业化生产硅、锗晶体和蓝宝石晶体等.介绍了导模法晶体生长技术国内外的研究现状,包括材料特性、生长工艺、应用领域、现存问题以及解决途径等,同时展示了同济大学在导模法生长蓝...     

高压下Zr60Ni20Al20金属玻璃形成过程的研究

 本文报道用高压淬火的方法制备出了Zr₆₀Ni₂₀Al₂₀大块金属玻璃。以经典成核理论为依据，估计了压力对晶核成长速度的影响，在高压下过冷熔体的晶体生长速度比常压下的晶体生长速度低几个数量级，这说明高压淬火之所以有利于金属玻璃的形成，主要是因为压力抑制了过冷熔体内的晶体生长过程。     

微重力下溶液法晶体生长模型中晶体生长界面稳定性的研究

研究在微重力条件下溶液法晶体生长的一个二维数学模型中晶体生长界面的稳定性问题.对晶体生长界面为不同倾斜角度的平面的情况作了数值计算,计算结果表明有可能存在一个稳定的晶体生长界面,它应该是一个在Y=λ这一端向后倾的适当形状的曲面 关键词： 微重力 溶液法晶体生长 二维模型 生长界面的稳定性     

高Tc超导量子干涉器及其应用

本文简述了超导量子干涉器的基本用途，高Ｔｃ超导量子干涉器的研究现状，探讨了高Ｔｃ超导量子干涉器在我国可能最早实现实用化的优先领域，对我国高Ｔｃ超导量子干涉器研究和应用工作的计划安排提出了一些设想．     

第六届全国昌体生长与材料会议

第六届全国晶体生长与材料会议于1982年10月～17日在北京举行。会议出中国硅酸盐学会主办、硅酸盐学会晶体生长与材料专业委员会主任吴乾章主持。出席会议的代表227人，论文近300篇。论文     

分离结晶Bridgman法晶体生长过程的影响因素

本文采用全局数值模拟方法探讨了微重力条件下温度梯度对分离结晶Bridgman法晶体生长系统的作用规律。同时,在常重力条件下研究了坩埚半径对晶体生长系统的影响。结果发现,在微重力条件下随着温度梯度的增加,晶体生长系统内部的流动强度随之增加,且由于晶体生长系统低温区温度不断降低,使得结晶界面位置不断上升;在常重力条件下,重力的作用随着坩埚半径的增加而增强,导致晶体生长系统内部的流动强度增加,最大流函数增大。     

等组分(浓度)溶液晶体生长方法及其应用

等组分（浓度）溶液晶体生长方法是研究晶体生长动力学、生物体结晶和工业结晶的有效手段，它是七十年代末期发展起来的晶体生长新技术．其理论基础是电解质溶液的热力学平衡和动力学反应原理．其方法要点是：根据生长体系的内参量和外参量，建立溶液体系各类离子的反应方程；用德拜－许克尔理论计算各类离子的活度系数；根据质量和电荷平衡原理决定在某一过饱和浓度б条件下的生长驱动力；技术上保证结晶过程中驱动力不变，从而保持反应过程中组分和浓度的恒定．     

相场晶体法模拟过冷熔体中的晶体生长

利用相场晶体(phase-field crystal)模型,采用有限差分法,模拟了过冷熔体中晶体生长过程,研究了不同相区、不同过冷度对晶体生长过程的影响.结果表明,在共存区中,随着演化的进行,晶体生长被抑制,液-晶边界层逐渐变厚;在单相区中,随着过冷度的增大,晶态区面积显著增加,液-晶边界层逐渐变薄.晶体生长速度和过冷度成近似线性的关系. 关键词： 相场晶体 自由能函数 过冷熔体 晶体生长     

微重力条件下晶体生长过程的实时观察

从材料科学的微重力效应和晶体生长基本过程等两个方面出发，阐明了一种新的生长技术（晶体生长过程的光学实时观察法）的必要性，并介绍了空间高温实时观察装置的基本特性．在我国的科学技术探测卫星上，该装置进行了搭载实验，并首次清楚地观察到了空间溶质扩散效应和高温溶液的表面张力对流图像．     

有瞬变电磁法大地电磁测量中高TcSQUID探头与常规探头的比较

本给出了在瞬变电磁法大地电磁测量中，在半空间均匀条件下高ＴｃＳＱＵＩＤ所探测到的二次场Ｂ（ｔ）的解析表达式，将高ＴｃＳＱＵＩＤ与常规感应探头作了对比。结果展示了在长偏移距方法和磁偶级探测深埋层的大体积金属矿体时，高ＴｃＳＱＵＩＤ有明显的优越性。     

刃位错可以作为晶体生长的台阶源吗?

在回答刃位错是否可以作为晶体生长的台阶源的问题之前,有必要简单回顾一下关于晶体生长机制的某些论点. 晶体(确切地说是晶面)要生长,要求在晶面上存在有生长台阶.对于粗糙面(按照晶体生长的现代理论[1-9],此时该晶面的粗糙化相变温度Tr低于晶体生长温度T),这是不成问题的,因为在它上面有着大量可供生长单元结合在其上的生长坐位(扭折位置,或称半晶体位置).而在平坦面(或称奇异面,对于这类晶面Tr>T)上则缺少这样的生长位置.因而一般需要靠二维成核或螺位错的露头点来提供晶体生长的台阶.所以,二维核和螺位错可以充当晶体生长的台阶源. 最…     

在瞬变电磁法大地电磁测量中高T_cSQUID探头与常规探头的比较

本文给出了在瞬变电磁法大地电磁测量中，在半空间均匀条件下高ＴｃＳＱＵＩＤ所探测到的二次场Ｂ（ｔ）的解析表达式，将高ＴｃＳＱＵＩＤ与常规感应探头作了对比．结果展示了在长偏移距（ＬＯＴＥＭ）方法和磁偶极源探测深埋层的大体积金属矿体时，高ＴｃＳＱＵＩＤ有明显的优越性．     

激光蒸发淀积高Tc超导薄膜

本文简要介绍激光蒸发淀积高Ｔｃ超导薄膜技术的基本原理．主要工艺特点，各种激光器在制备高Ｔｃ超导薄膜中的应用及所取得的重要成果．     

荧光法测定镧原子高激发态的超精细结构

在Ｌａ空心阴极灯中，用荧光法测定了二级跃迁（１６８５６ｃｍ＾－１→３４２７２ｃｍ＾－１），（２００８２ｃｍ＾－１→２６８５３ｃｍ＾－１）和（２００８２ｃｍ＾－１→３７５４４ｃｍ＾－１）的超精细结构光谱，得到了３４２７２ｃｍ＾－１，３６８５３ｃｍ＾－１和３７５４４ｃｍ＾－１能级的Ａ常数，这些镧原子高激发态超精细结构数据是首次报道。     

掩模法制备高TcYBa2Cu3O7Josephson边缘结

本文利用脉冲激光沉积的定向性和掩模的阴影效应，原位沉积Ｎ－ＹＢＣＯ作为势垒层制备了高ＴｃＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７Ｊｏｓｅｐｈｓｏｎ边缘结，在６０Ｋ，微波辐照观察到明显的Ｓｈａｐｉｒｏ台阶，在Ｔｃ附近，Ｉｃ∽（１－Ｔ／Ｔｃ），ｎ＝１．８８。     

超导弱磁场测量技术在磁法找油中的应用

简述了磁法找油的思路，指出了在航磁测量中使用高Ｔｃ超导磁强计的必要性。采用费曼提出的简化方法，计算了通过双结超导环的最大零电压电流Ｉｍ，计算结果表明Ｉｍ随通过环平面的磁通量作周期性变化，周期为一个磁通量子，根据计算结果，简要说明了超导磁强计的工作原理。最后，简要介绍了高Ｔｃ　ｄｃ　ＳＱＵＩＤ的研究进展。     

1980年美国戈登晶体生长研究会议简讯

1980年美国戈登晶体生长研究会议(Gordon Re-Search Conterences;Crystal Growth)于7月14日至18日在美国新罕布什尔州普利茅斯(Plymouth)举行.参加会议的有来自美国及世界各地的晶体生长学者132人.中国科学院上海冶金研究所所长邹元研究员作为邀请代表出席了会议.参加会议的还有我国正在麻省理工学院电子材料室进修的两名学者.美国戈登晶体生长会议每两年举行一次. 本届戈登晶体生长会议侧重半导体晶体生长领域,有8个专题22个报告.(1) 外延生长 荷兰菲利浦研究所的J.Bloem报告了硅的气相外延机理;美国贝尔研究所的G.Berkstresser报告了…     

晶体生长的缺陷机制

晶体生长是一个复杂的相变过程。自80年代以来,闵乃本及其研究组系统地研究了晶体生长的缺陷机制。在理论分析和实验观察的基础上,他们发展了晶体生长的位错机制（包括刃位错和混合位错机制）,层错机制,孪晶机制、重入角机制以及重入角生长和粗糙界面生长的协同机制。根据这些机制可以得出结论：任何可以在晶体生长表面提供台阶源的缺陷都能为晶体生长作出贡献,这些台阶源包括完全台阶和不完全台阶（亚台阶）,近年来,P.Bennema及其合作者系统地研究了在照相工业中广泛应用的卤化银和金属银的晶体生长机理,在大量实验事实和理论分析的基础上,他们认为亚台阶理论（称作闵氏理论）不仅可适用于溶液生长,也适用于气相生长的机理研究;不仅适于作理论分析,而且可用于寻求最佳生产条件的指导,亚台阶理论是晶体生长的一个普适理论,文章介绍了闵乃本及其研究组提出理论及P.Bennema研究组近年来在这方面的工作进展。     

表面增强拉曼光谱研究C_(60)紫外辐射诱导聚合

表面增强拉曼光谱研究Ｃ６０紫外辐射诱导聚合高劲松唐紫超黄荣彬郑兰荪田中群（固体表面物理化学国家重点实验室，厦门大学化学系，物理化学研究所，厦门３６１００５）Ｓｕｒｆａｃｅ┐ｅｎｈａｎｃｅｄＲａｍａｎＳｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙｏｆｔｈｅＣｏａｌｅｓｃｅ...