Talbot长度的测量

提出了用动态叠栅条纹光电信号的调制度测量Talbot长度的方法，并阐述了实验原理，给出了实验结果．     

聚丙烯酸长链酯的Huggins常数与其分子量的依赖性关系

聚丙烯酸高碳醇酯(PBA)及聚丙烯酸十八醇酯(POA)是具有长烷基侧链的梳状聚合物,在溶剂苯中的Huggins常数(k′)随其分子量(M)的变化而变化.在PBA-苯体系中发现,当M低于某一临界分子量(MLC)时,k′随分子量的降低显著增大;当M大于某临界分子量(MHC)时,k′随分子量的升高而增大;当M在MLC～MHC时,k′基本上保持不变.而在POA-苯体系中发现,当M低于某一临界分子量(MC)时,k′随分子量的降低显著增大;当M大于该临界分子量(MC)时,k′在0.33～0.43变化.文中同时给出了精确算法用来计算PBA-苯体系及POA-苯体系中PBA及POA的特性粘度.当k′＞0.758时,用稀释外推法计算;当0.758＞k′＞0.426时,用一点法公式[η]=ηsp/C(√)ηr计算;当0.426＞k′＞0.334时,用另一一点法公式[η]=(√)2(ηsp-lnηr)/C计算.     

双金属氰化络合物催化剂的形态及其对催化剂活性的影响

合成了多个基于钴氰化锌的双金属氰化络合物(DMC)催化剂,并对催化剂的结晶形态进行了表征.考察了制备过程中,有机配体及其引入方式,温度,搅拌速度对DMC催化剂形态的影响.其中有机配体对DMC催化剂形态的影响是最主要的.有机配体中富电子原子的电负性的强弱和数量共同影响着DMC催化剂的形态.该类原子的电负性越强,得到的DMC催化剂的结晶性越差,无定型部分的比例越高,并且单个原子的电负性强弱比该类原子的数量在此间的影响更大.而在有机配体预先存在的情况下,该沉淀体系则更有利于无定型部分的产生.在30℃左右的沉淀反应温度下,得到的DMC催化剂的无定型部分比例最高.在有机配体存在的情况下,搅拌速度对DMC催化剂形态的影响有限.并且发现存在于有机配体中的DMC催化剂随着时间的推移,形态会发生变化.初步揭示了DMC催化剂的形态与其催化活性间的关系.而无定型态的DMC催化剂更有利于PO的聚合.     

肾上腺素在对甲苯磺酸修饰电极上的电化学行为

研究了对甲苯磺酸在玻碳电极上电化学聚合的条件及修饰电极的电化学特性, 发现该聚合膜对肾上腺素的电氧化有显著的催化作用, 在pH 7.0的磷酸盐缓冲溶液中, 搅拌富集40 s后, 用循环伏安法对肾上腺素进行了测定, 线性范围: 4.05×10-7～9.45×10-6 mol/L, 检出限为3.2×10-8 mol/L. 对2.0×10-6 mol/L肾上腺素平行测定7次相对标准偏差为2.4%. 该电极有效地排除了抗坏血酸的干扰, 具有良好的稳定性和重现性.     

VOCl_3/Et_3Al_2Cl_3/CCl_4溶剂体系催化乙烯丙烯共聚

本文以VOCl_3/Et_3Al_2Cl_3为催化剂,在CCl_4溶剂中进行乙烯共聚反应。在聚合过程中,发生一异常的颜色突变现象。颜色突变后,体系催化聚合生成分子量很低的产物。从聚合物的结构表征及机理探讨表明:颜色突变后,体系产生了新的活性中心,催化机理发生了转变——由配位机理转变为阳离子机理。     

阳离子聚合合成聚苯乙烯大分子单体

<正> 近十年来,对大分子单体的合成和表征进行了较广泛的研究,其中尤以聚苯乙烯大分子单体研究得更多。Milkovich等用阴离子聚合合成了一系列具有不同端基的大分子单体。本文采用实验要求比阴离子简单的阳离子聚合方法,用对-氯甲基-β-溴乙苯和三     

聚苯乙烯大分子单体与醋酸乙烯酯接枝共聚物的合成及表征

<正> 用大分子单体与小分子单体共聚是七十年代初才出现的合成接枝共聚物的一种新方法。通过共聚合反应而不是接枝反应同时形成主干及支链。这种接枝共聚物由于形成支链的大分子单体是预先合成的,其分子量分布较窄,又可调节控制,所以合成的接枝共聚物支链长短比较均一,副反应较少,链结构比较明确,因此也易于表征。     

铁电体爆-电换能的实验研究

使用掺铌PZT97.5/2.5铁电陶瓷样品在垂直工作模式下,进行了爆-电换能的实验研究。在电感-电容并联负载上获得了1360安的峰值电流;在电阻负载上获得了145×10³伏的峰值电压。实验结果与理论预计符合得比较好。 关键词：     

Ultrafast Decay Dynamics of 2-Hydroxypyridine Excited to S1 Electronic State

The S\begin{document}$_1$\end{document} state decay dynamics of 2-hydroxypyridine following UV excitation at a wavelength range of 276.9\begin{document}$-$\end{document}250.0 nm is investigated using femtosecond time-resolved photoelectron imaging technique. Based on pump wavelength dependence of the decay dynamics, a refined decay picture is proposed. At pump wavelength of 276.9 nm, the S\begin{document}$_1$\end{document} state is depopulated through intersystem crossing to lower triplet state(s). At 264.0 nm, both intersystem crossing to lower triplet state(s) and internal conversion to the ground state are in operation. At 250.0 nm, internal conversion to the ground state becomes dominated.     

退火工艺对ICF靶用冷轧镍膜的影响

 为了满足惯性约束聚变（ICF）和状态方程（EOS）实验以及靶装配工艺的需要，在薄膜轧制过程中间以及轧制工艺完成以后需要对镍膜进行热处理来改善其组织结构和力学性能。对多辊轧机冷轧的方法制备的厚11 mm镍膜中间退火工艺进行了研究，根据确定的合适的退火工艺退火后继续轧制得到成品镍膜厚7 mm，表面粗糙度小于50 nm，基本满足目前状态方程实验对箔膜的要求。金相显微照片表明镍膜晶粒经500 ℃保温1 h退火由轧制前的条带状变为等轴晶；镍膜硬度经500 ℃退火后由4 GPa降低到了2.3 GPa左右；XRD衍射测试表明镍膜经500 ℃以上温度退火后，高角度的衍射峰开始出现，织构得到一定程度的改善。由此可以确定镍膜合适的中间退火温度为520 ℃保温1 h。