MBE GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs应变层量子阱的光调制反射光谱

本文采用光调制反射光谱技术研究了MBEGaAs_(1-x)Sb_x/GaAs应变层量子阱。通过实验分析和理论上对受应力作用后能带结构的估算,确认在这一系统中流体静压力作用引起的能带结构变化主要出现在导带上,同时也证实了GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs应变层量子阱属于第Ⅱ型量子阱结构。实验结果与理论估算符合很好。     

对线性代数计算机辅助教学教育效果的实验研究

对线性代数计算机辅助教学教育效果的实验研究吴昌泽，杜智敏（北京建筑工程学院，北京１０００４４）（北京航空航天大学，北京１０００８３）吴昌悫，赵文琴（北京信息工程学院，北京１０００１２）（北京理工大学，北京１０００８１）一、概况随着计算机应用的推广和普...     

甲氧氯普胺的测定及与牛血清白蛋白相互作用的研究

建立了多壁碳纳米管糊电极测定盐酸甲氧氯普胺(MCPM)的电化学分析方法,研究了MCPM与牛血清白蛋白(BSA)相互作用的电化学行为。在pH2.2的Britton-Robinson(B-R)缓冲溶液中,MCPM在1.084V处出现一灵敏的氧化峰。电化学测定MCPM的线性范围为0.17～10.3mg/L,检出限为0.03 mg/L。对5.18mg/L的MCPM进行11次平行测定,相对标准偏差为2.4%。当BSA加入到MCPM溶液中,MCPM的氧化峰电流明显降低。其降低值(ΔIp)与BSA的浓度在5.00×10-7～1.67×10-5mol/L范围内呈良好线性关系,检出限为2.0×10-7mol/L。MCPM与BSA相互作用的结合常数为1.05×105L/mol。     

MBE GaAs1-xSbx/GaAs应变层量子阱的光调制反射光谱

本文采用光调制反射光谱技术研究了MBE GaAs_1-xSb_x/GaAs应变层量子阱。通过实验分析和理论上对受应力作用后能带结构的估算,确认在这一系统中流体静压力作用引起的能带结构变化主要出现在导带上,同时也证实了GaAs_1-xSb_x/GaAs应变层量子阱属于第Ⅱ型量子阱结构。实验结果与理论估算符合很好。 关键词：