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采用直流磁控溅射法在NdGaO3 ( 110 )衬底上制备了La2/3Ca1/3MnO3-δ外延单晶薄膜 .在 0~8T的磁场范围内测量了不同温区下的磁电阻随磁场的变化关系 .结果表明 ,ρ(H )遵循以下规律 :当温度高于居里温度TC 时 ,ρ(H ) =1α(T) + β(T)H2 ;当T <Tc时,ρ(H ) =ρ0(T ) +1A(T)+B(T)exp(H/C(T));而当温度远低于居里温度时,ρ(H ) =1σ(T) + ν(T)H。表明负巨磁电阻的产生主要起因于磁场引起的电导率的增加。 相似文献
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测量了(La1-xRx) 2 /3 MnO3 (其中R代表Ce ,Pr,Nd等稀土离子)和La2 /3(Ca1-yCdy) 1/3 MnO3 两组铁磁性巨磁阻材料的磁转变温度 .结果发现 ,尽管在(La1-xRx) 2 /3 MnO3 材料中其A位平均离子半径恒定 ,但居里温度TC 存在明显的差别 ;而在La2 /3(Ca1-yCdy) 1/3 MnO3 系列中虽然随Cd的替代量的增加 ,A位平均离子半径略有下降 ,TC 却增加 .A位离子的局域磁矩对磁转变温度可能有较大的影响 . 相似文献
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