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1.
利用等离子增强原子层沉积技术(PEALD)在c面蓝宝石衬底上制备了氧化镓(Ga2O3)薄膜,研究了退火气氛(v(N2)∶v(O2)=1∶1(体积比)、空气和N2)及退火时间对Ga2O3薄膜晶体结构、表面形貌和光学性质的影响。研究结果表明,退火前的氧化镓处于亚稳态,不同退火气氛下退火后晶体结构发生明显改变,而且退火气氛中N2比例增加有利于Ga2O3重结晶。在N2气氛下退火达到30 min,薄膜结构已由亚稳态转变成择优取向的β-Ga2O3。而且表面形貌分析表明,退火30 min后表面形貌开始趋于稳定,表面晶粒密度不再增加。另外实验样品在 400~800 nm的平均透射率几乎是100%,且光吸收边陡峭。采用N2气氛退火,对于富氧环境下沉积的Ga2O3更利于薄膜表面原子迁移,以及择优取向Ga2O3重结晶。 相似文献
2.
2020年是山东、海南两省进入高考综合改革后的首次高考,数学不分文理科,这对高考数学命题提出了新的要求,数学试题必须在试卷结构和题型上有所创新,以增强测试的选拔功能,达到区分不同水平考生的目的.从2020年全国新高考卷(供山东、海南两省使用)来看,除了增设多选题之外,还在解答题中设置了结构不良试题,这两类题型的出现让人耳目一新,本文拟以新高考卷中的结构不良问题为例谈谈笔者的思考. 相似文献
3.
为解决计算机辅助概念设计系统方案生成中经常出现的产品结构匹配性不能满足要求,从而需对设计方案进行人工筛选的问题,因此根据概念设计中功能-结构映射(Function-Structure Mapping)信息和设计结构矩阵(Design Structure Matrix)的内部结构联系,提出一种适合计算机辅助概念设计的问题解决方法.该方法以DSM表达和存储产品的结构匹配设计知识,然后基于FBS(Function-Behavior-Structure)设计过程模型开展概念设计,通过构建功能链以及提取设计中的FS映射信息获得结构链,再利用DSM设计知识对所获得的结构链进行结构匹配性评判,从而实现对计算机辅助概念设计方案的获取与筛选.基于该方法搭建了计算机辅助概念设计软件平台,并结合具体实例验证了所提出方法的有效性与软件系统的实用性. 相似文献
5.
设计了由超大口径前置望远系统和超大视场光谱仪组成的超大口径高光谱海洋水色仪.前置望远系统采用同轴三反光学系统结构,口径为4 m,视场为0.64°,焦距为21.6 m,波段范围为400~1 000nm.超大视场光谱仪采用改进的Offner结构,视场为240mm,光谱分辨率为10nm.探测器像元尺寸为15μm×15μm,4片探测器交错拼接实现400km幅宽.超大视场光谱仪在400~1 000nm的宽波段内,点列图半径的均方根值均小于3.9μm,静止轨道高光谱海洋水色仪全系统不同波长的MTF在33.3lp/mm处大于0.52,各项指标均满足应用要求. 相似文献
6.
本文采用导模法生长技术,成功制备了高质量掺Si氧化镓(β-Ga2O3)单晶,掺杂浓度为2×1018 cm-3.晶体呈现淡蓝色,通过劳厄衍射、阴极荧光(CL)及拉曼测试对晶体的基本性质进行了表征,结果表明晶体质量良好.紫外透过光谱证明该晶体的禁带宽度约为4.71 eV.此外,在剥离衬底上,采用电子束蒸发、光刻和显影技术制备了垂直结构的肖特基二极管,平均击穿场强EAva为2.1 MV/cm,导通电阻3 mΩ·cm2,展示了优异性能. 相似文献
7.
碳化硅功率MOSFET是宽禁带功率半导体器件的典型代表,具有优异的电气性能。基于低温环境下的应用需求,研究了1200 V碳化硅功率MOSFET在77.7 K至300 K温区的静/动态特性,定性分析了温度对碳化硅功率MOSFET性能的影响。实验结果显示,温度从300 K降低至77.7 K时,阈值电压上升177.24%,漏-源极击穿电压降低32.99%,栅极泄漏电流降低82.51%,导通电阻升高1142.28%,零栅压漏电流降低89.84%(300 K至125 K)。双脉冲测试显示,开通时间增大8.59%,关断时间降低16.86%,开关损耗增加48%。分析发现,碳化硅功率MOSFET较高的界面态密度和较差的沟道迁移率,是导致其在低温下性能劣化的主要原因。 相似文献
8.
9.
<正>1 项目主题内容分析本项目是对人教版化学选修3的第3章“研究与实践——自制肥皂”的二次开发。在此基础上结合高中物理、生物中关于表面张力、细胞膜的结构模型知识,设计“探究如何吹出更多的泡泡”项目主题。通过 “分析泡泡的形成原理”“探究泡泡水的制备方法”“优化泡泡水的配方”等3个子任务,帮助学生将性质反应与结构组成密切关联起来,进一步深化“结构决定性质,性质决定用途”的化学思想;在实验过程中体会控制变量思想在科学探究中的重要作用, 相似文献
10.
利用原子系综中的Duan-Lukin-Cirac-Zoller (DLCZ)过程可产生光与原子记忆(自旋波)量子纠缠,该纠缠可作为量子中继的重要元件.随着量子信息研究的深入发展,人们对量子信息存储其灵活多样性、可控性等方面提出更高的要求.本文在冷原子系综中演示了一种基于DLCZ过程的光纤腔增强且高保真度的光学存储方案,即将87Rb原子系综放于设计的光纤腔中,通过光纤腔增强“写出”和“读出”光子与原子系综的耦合实现自旋波量子信息的有效恢复,同时具有较高的保真度.观察到有腔且锁定的情况下斯托克斯光子产生概率比无腔时增加4.6倍,原子自旋波读出效率增加1.6倍,实验实现22%的读出效率并具有92%的量子态保真度,该读出效率对应一个40%的本质读出效率.这种高度可恢复、高量子态保真度的原子-光子纠缠源,可为未来长距离量子通信及广域大规模量子网络构建的实现提供另一种有效的途径. 相似文献