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半导体断路开关电路-流体耦合数值模拟   总被引:2,自引:2,他引:0       下载免费PDF全文
为了研究掺杂结构为p+-p-n-n+的半导体断路开关的ns脉冲截断机理,根据流体力学方程和全电流方程推导出半导体断路开关内部载流子运动满足的电流-电压关系表达式,提出了一种外电路方程和载流子流体力学方程联立求解的1维耦合数值模型。采用该模型对半导体断路开关的ns脉冲截断过程进行了数值模拟,模拟结果表明:在截断过程中,n-n+结处的载流子数密度首先开始明显降低,并出现高电场,随后p+-p结处也出现类似现象,随着载流子的抽取,高电场区域向p-n结处快速移动,最终在p-n结处完成截断,而基区载流子数密度在截断前后无明显变化。  相似文献   
2.
将公司的净资产收益率看作是由公司的前一系列收益率数据和宏观经济因素共同影响下的变量,并使用VAR方法对宏观经济变量进行分析,建立了企业收益率的动态预测模型,由此对公司下一时刻的收益率进行预测,进而根据违约门限对违约概率进行了估计.  相似文献   
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