硫前列酮影响小鼠代谢的NMR研究

前列腺素E2（PGE2）作为一种体内广泛分布的活性物质,通过与其特异性受体EP1,EP2,EP3和EP4结合实现信号跨膜转导,参与许多重要的生理病理过程. 硫前列酮作为PGE2的类似物,通过激活EP1和EP3受体发挥其生理作用,但相关的代谢基础还不甚清楚. 该研究运用基于核磁共振（NMR）技术的代谢组学方法研究了EP1和EP3受体激活剂硫前列酮对小鼠血清和肝脏代谢组的影响. 结果表明,中高剂量硫前列酮处理32天会导致小鼠肝脏代谢组中的烟酰胺腺嘌呤二核苷酸磷酸、烟酰胺腺嘌呤二核苷酸、二磷酸尿苷、磷酸腺苷和胆汁酸的明显增加,同时肝糖原、葡萄糖、苯丙氨酸、酪氨酸、尿苷、肌苷、烟碱酸和氧化型谷胱甘肽明显减少. 恢复3周后,高剂量硫前列酮处理小鼠会导致肝脏代谢组中的胆碱水平比对照组高. 这些结果表明EP1和EP3受体激活剂硫前列酮会对小鼠肝脏的糖、核酸和氨基酸等代谢产生影响. 同时,未发现硫前列酮对血清代谢组产生明显影响,这可能与血液循环系统维持机体内环境相对稳定有关. 以上研究结果为认识PGE2- EP1/3信号通路在代谢中的作用提供了基础数据.     

离子注入n型GaN光致发光谱中宽黄光发射带研究

利用离子注入方法和光致发光技术系统研究了注入离子对n型GaN宽黄光发射带的影响.实验采用的注入离子为：N，O，Mg，Si和Ga，剂量分别为10¹³，10¹⁴，10¹⁵和10¹⁶/cm²，注入温度为室温.注入后的样品在900 ℃流动氮气环境下进行热退火，退火时间为10 min，并对退火前后的样品分别进行室温光致发光测量.通过实验数据的分析，独立提出了提取注入离子对晶体黄光发光特性影响的半经验模型.利用该模型导出的公式，可以确定注入的N，O，Ga，Mg和Si离子对黄光发射带的影响随注入剂量的变化关系以及该影响的相对强弱. 关键词： 氮化镓 光致发光谱 离子注入     

杨辉三角形的若干性质

研究了杨辉三角中的D av id星恒等式,给出了n阶星恒等式的定义,证明了n(n 3)阶星恒等式的存在性,并且给出了构造n阶星恒等式的方法.     

ICP-AES测定饮用天然矿泉水中10种微量元素

ICP- AES直接测定饮用天然矿泉水中 Fe、Pb、Cu、Cr、Cd、Zn、Sr、Ag、Ba、Li10种元素。方法简捷 ,快速 ,准确。相对标准偏差 <5 .4 % ,加标回收率 95 %— 10 5 %。     

ICP-AES测定果核活性炭中的磷

用ICP-AES测定果核活性炭中的磷,检出限为0.8μg/mL;精密度RSD为1.1%—7.8%;加标回收率为95.5%—105%。     

ICP-AES测定饮用水中微量钼

应用ICP-AES直接测定生活饮用水中微量钼,检出限:0.01μg/mL;精密度:RSD 0.76%-2%;加标回收率:97.6%-105%.     

横向限制下凝固微观组织演化的相场法模拟

凝固过程中横向限制挡板的存在对晶体微观结构的演化存在重要的影响, 不同性质的横向挡板将产生不同的限制效应, 对最终凝固微观组织形成起着决定性作用. 本文利用非等温相场模型, 定性地模拟了纯金属Ni凝固过程中横向限制的存在对其枝晶微观形貌演化的影响, 研究了不同尺寸及性质的横向挡板对枝晶微观结构形成的影响, 讨论了横向限制对不同初始枝晶间距枝晶形貌发展的作用. 计算结果表明, 横向限制挡板的存在将直接影响凝固过程中微观组织的形貌演化过程并最终改变微观结构. 随着横向挡板间距的减小, 微观组织变化更加明显; 挡板初始温度越低, 枝晶形貌改变越明显; 初始枝晶间距越大, 形貌变化越明显; 不同挡板高度对微观结构具有基本相同的影响. 关键词： 相场模拟 微观组织演化 横向限制     

MeV能量的重离子辐照GaN的HRXRD研究

分别进行了2.3 MeV20 Ne8+ 离子和5.0 MeV84 Kr19+ 离子辐照GaN样品的实验, 并对实验样品进行了HRXRD的分析。结果发现, 随着这两种离子辐照剂量的增大, GaN的HRXRD谱（0002）衍射峰的峰位出现了向小角侧有规律的移动, 并在较高剂量时衍射峰发生分裂。同时, 对衍射峰的峰位的移动和峰形的变化等现象反映的辐照损伤机制进行了研究, 并探讨了电子能损与核能损各自在晶格损伤中的作用。Irradiation experiments of gallium nitride (GaN) with 2.3 MeV20 Ne8+ and 5.0 MeV84 Kr19+ respectively were performed. The irradiated samples were analyzed using the high\|resolution X\|ray diffraction (HRXRD) spectrometry. It was found that the diffraction peak of GaN (0001) exhibited regular shift to smaller diffraction angles with the increase of ion fluence for the both ions, and the diffraction peak split into a few sub\|peaks at higher irradiation dose. Underlying mechanisms of the observed peak shift and split were investigated, the contributions of different energy losses to the damage accumulation in the irradiated GaN were discussed.     

浅谈离子导电的电流

浅谈离子导电的电流张利民（卓资县职业中学０１２３００）以电解池（电解槽）为例浅析离子导电的电流．１电解中的电流图１为强电解质氯化铜，在水里电离成通电后，自由移动着的离子铜离子和氯离子在电场力的作用下，定向移动。取ＡＢ为电解池中一截面．ＡＢ截面右边带正...