光控纳米载体在药物释放中的应用

光敏感的纳米载体因其可从时间和空间上精确地控制药物的释放以实现对肿瘤的高效治疗,近年来逐渐成为生物医学领域的研究热点之一。本文综述了光敏感的纳米载体破裂从而释放出装载的药物的三种机理,主要包括：（1）光致异构化引发的纳米载体形态转变;（2）光反应引发的纳米载体降解;（3）光热引发的纳米载体破裂。本文简单介绍了这三种释放机理,例举了这三种释放机理所对应的光敏感材料,并阐述了其在药物运输、可控释放以及肿瘤治疗中的最新研究进展以及存在的问题,为光敏感纳米载体在生物体系中的应用提供参考,并对今后的发展作了展望。     

低渗透油藏聚合物强化泡沫调剖剂

为改善某低渗透油田的水驱开发效果,开展了聚合物强化氮气泡沫调剖提高采收率研究.根据该油田的地质油藏条件,建立典型地质概念模型,地质模型能够比较完整地反映地层静态状况和井网条件.对聚合物强化泡沫调剖注采参数进行了优化设计.研究结果表明,聚合物强化氮气泡沫调剖最佳注采参数为:聚合物分子量为800万,聚合物浓度为1000mg/L,最佳泡沫剂浓度为0.25%(质量分数),气液比为1:1.     

A uniform doping ultra-thin SOI LDMOS with accumulation-mode extended gate and back-side etching technology

A uniform doping ultra-thin silicon-on-insulator(SOI) lateral-double-diffused metal-oxide-semiconductor(LDMOS)with low specific on-resistance(R_on,sp) and high breakdown voltage(BV) is proposed and its mechanism is investigated.The proposed LDMOS features an accumulation-mode extended gate(AG) and back-side etching(BE). The extended gate consists of a P– region and two diodes in series. In the on-state with VGD 0, an electron accumulation layer is formed along the drift region surface under the AG. It provides an ultra-low resistance current path along the whole drift region surface and thus the novel device obtains a low temperature distribution. The R_on,sp is nearly independent of the doping concentration of the drift region. In the off-state, the AG not only modulates the surface electric field distribution and improves the BV, but also brings in a charge compensation effect to further reduce the R_on,sp. Moreover, the BE avoids vertical premature breakdown to obtain high BV and allows a uniform doping in the drift region, which avoids the variable lateral doping(VLD) and the "hot-spot" caused by the VLD. Compared with the VLD SOI LDMOS, the proposed device simultaneously reduces the R_on,sp by 70.2% and increases the BV from 776 V to 818 V.     

高k介质电导增强SOI LDMOS机理与优化设计

本文提出一种高k介质电导增强SOI LDMOS新结构（HK CE SOI LDMOS）,并研究其机理. HK CE SOI LDMOS的特征是在漂移区两侧引入高k介质,反向阻断时,高k介质对漂移区进行自适应辅助耗尽,实现漂移区三维RESURF效应并调制电场,因而提高器件耐压和漂移区浓度并降低导通电阻. 借助三维仿真研究耐压、比导通电阻与器件结构参数之间的关系. 结果表明,HK CE SOI LDMOS与常规超结SOI LDMOS相比,耐压提高16%–18%,同时比导通电阻降低13%–20%,且缓解了由衬底辅助耗尽效应带来的电荷非平衡问题. 关键词： k介质')" href="#">高k介质 绝缘体上硅 (SOI) 击穿电压 比导通电阻     

基于最大熵模型的微博传播网络中的链路预测

微博是基于用户关注关系建立的具有媒体特性的实时信息分享社交平台.微博上的信息扩散具有快速性、爆发性和时效性.理解信息的传播机理,预测信息转发行为,对研究微博上舆论的形成、产品的推广等具有重要意义.本文通过解析微博转发记录来研究影响信息转发的因素或特征,把微博信息转发预测问题抽象为链路预测问题,并提出基于最大熵模型的链路预测算法.实例验证的结果表明:1)基于最大熵模型的算法在运行时间上具有明显的优势;2)在预测结果方面,最大熵模型比同类其他算法表现优异;3)当训练集大小和特征数量变化时,基于最大熵模型的预测结果表现稳定.该方法在预测链路时避免了特征之间相互独立的约束,准确率优于其他同类方法,对解决复杂网络中其他类型的预测问题具有借鉴意义.     

考虑熵层效应的扫掠激波/湍流边界层干扰特性研究

为了探究熵层对扫掠激波/湍流边界层干扰特性的影响规律,采用仿真方法对尖鳍/钝板物理模型进行研究。结果表明:扫掠激波上游的熵层厚度随着平板前缘钝化半径的增大而增加,同时边界层厚度也随着熵层厚度的增加而增加。熵层的引入并不改变扫掠激波/湍流边界层干扰固有的准锥形相似特性,也不会改变拟锥原点（virtual conical origin,VCO）的位置,仅会改变干扰形成的上游影响线和分离线的角度。扫掠激波/湍流边界层干扰形成的锥形主旋涡和角涡的尺度随着熵层厚度的增加而增大。上游熵层的引入增大了下游扫掠激波/湍流边界层干扰区的总压损失,但扫掠激波/湍流边界层干扰自身造成的相对总压损失并不受上游熵层的影响。