镀碳石英坩埚生长ZnGeP2单晶体

在熔体法生长ZnGeP2单晶体的过程中,如何解决熔体与坩埚的粘连问题是一个研究关键.本文研究了石英坩埚的镀碳工艺,采用化学气相沉积法成功在坩埚内壁镀上结合牢固且均匀的碳膜.采用垂直布里奇曼法,并结合适时补温技术,在内部镀碳的双层坩埚中成功生长出φ20 mm× 50 mm外观完整,无裂纹的ZnGeP2单晶体.经XRD,TEM,FTIR分析结果表明:生长的ZnGeP2晶体缺陷少,结构完整,红外透过率高,是质量较高的单晶体.     

最小二乘法在杨氏模量实验中的应用

本文采用最小二乘法对拉伸法测量金属丝的杨氏模量实验数据进行了处理,既充分利用数据还减小实验误差。为了避免大量的计算工作,引入excel软件快速准确处理实验数据。     

AgGaS2多晶合成工艺改进研究

按同成分熔化点配料,采用改进了合成温控条件的双温区气相输运法成功合成出AgGaS2多晶原料,通过精确控温,有效避免了反应过程中由S蒸汽压过大引发的合成石英安瓿炸裂,提高了AgGaS2多晶合成的质量和成功率.经过XRD、DSC测试分析,结果表明:经改进方法合成的AgGaS2多晶材料是高纯单相、均匀致密的,为高质量AgGaS2单晶的生长提供了优质原料.     

多种变质性物品的经济批量问题

本文考虑了多种变质性物品在同一台设备上生产的最优基本生产周期问题。本文采用了基本周期法,给出了问题的数学模型,分析了模型最优解的存在性,并给出了求解该模型的算法和算例,从算例的结果说明基本周期法比公共周期法解决经济批量问题更优。     

基于双光导纤维延时法测量光速

介绍了利用光波在已知长度差的两段不同长度的光导纤维中传输时间延时差测量光速的基本原理。时钟方波信号通过LED调制电路转变为光信号在一段光导纤维中传输,后经SPD再生电路重新转变为方波再生信号,将原始方波信号与再生方波信号同时输入示波器中测量延时τ1,采用相同的方法测量另一端光导纤维传输延时τ2,通过已知的长度差和延时计算出光导纤维中的光速VZ,最终计算出光速c。     

硫镓银晶体活化能研究

本文利用差示扫描量热法对硫镓银进行了热分析动力学研究.采用动态多重扫描速率法测试了AgGaS2在三个不同升温速率5K/min、10K/min和15K/min下的DSC曲线,得到一系列动力学参数.利用FWO模型和Kissinger模型计算出的AgGaS2析晶活化能分别为511.3kJ/mol和517.8kJ/mol,用Kissinger模型公式计算出了指前因子A=1.69×1022min-1.这对于了解晶体的结晶动力学特性,生长大尺寸、高质量的AgGaS2晶体有重要意义.     

2,4-二氯苯氧乙酰氨基（硫）脲类衍生物的合成及生物活性

二氯苯氧乙酰氨基（硫）脲;植物生长调节剂;生物活性     

应用Excel处理夫兰克赫兹实验数据

应用excel软件快速准确处理了夫兰克赫兹实验数据,避免了大量繁杂的作图工作,得到清晰直观的结果。表明excel软件对辅助处理物理实验数据非常有效。     

改进两温区气相输运法合成磷锗锌多晶材料

按富P0.5;配料工艺,采用改进的两温区气相输运法合成ZnGeP2多晶原料,既简化了传统两温区法的装料工艺,又有效避免了合成安瓿爆炸,提高了合成产量.经XRD,SEM,EDS分析结果表明:新方法合成的ZnGeP2多晶原料纯度高,具有黄铜矿结构,空间群为42m,晶格常数a=b=0.5456 nm,c=1.0691 nm,多晶料的组成元素原子比Zn: Ge:P=1:0.95:2.06,接近ZnGeP2的理想化学配比Zn: Ge:P=1:1:2.以此为原料,用坩埚下降法生长出等径尺寸约为φ25 mm×50 mm的ZnGeP2单晶体.     

AgGaS2单晶生长石英安瓿镀碳工艺研究

研究了镀碳工艺参数对碳膜的表面形貌、厚度、碳膜与石英管内壁结合力的影响,发现在气体流量为30～40ml/min, 镀碳温度为1040～1060℃,镀碳时间为30～40min,冷却时间为10～12h的条件下,可获得均匀、致密且结合牢固的碳膜层.用此工艺镀碳的石英安瓿生长出的AgGaS2晶体表面光洁,完整性好,缺陷较少.