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以Cu-MOF-199/氧化石墨烯(GO)为前驱体,经高温碳化得到一种铜氧化物均匀分布在碳骨架上的赝电容材料Cu-CuxO-C/rGO,采用热分析法、X射线衍射、扫描电子显微镜等对材料的结构和形貌进行分析,采用循环伏安和恒电流充放电等方法测试材料的电化学性能.未掺杂rGO的复合材料呈八面体构型,Cu和CuxO颗粒均匀分布在碳骨架上,随着rGO引入量的增加,其形态的不规则程度增大.rGO投料比例为10%、碳化温度为800℃时,材料的电容性能最佳,在电流密度为0.5A·g-1时比电容达620F·g-1,1A·g-1时达477F·g-1,2A·g-1时仍有206F·g-1. 相似文献
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塞曼效应石墨炉原子吸收法测定骨肿瘤患者血清中铬 总被引:1,自引:0,他引:1
用镧盐涂覆石墨管,大幅度提高测定血清铬灵敏度,选用硝酸铵基体改进剂,消除干扰,方法简便快速,灵敏度和精密度高。 相似文献
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We have prepared hydrogenated nano-amorph silicon (na-Si:H) films by using a hot-wire-assisted microwave electron-cyclotron-resonance (HW-MWECR) chemical vapour deposition (CVD) system. The films are deposited in two steps: in the first 9rain, a hydrogenated amorphous silicon layer is deposited by using hydrogen-diluted silane with a concentration of SiH4/(SiH4 H2) = 20%, and then a nanocrystalline silicon (nc-Si) layer is deposited by using various highly hydrogen-diluted silane. The Raman TO-like mode peak of the films was found in the range 497-508cm^-1. When the silane concentration used for preparation of the nc-Si layer is 14.3%, the film has a large crystalline volume fraction of 65.4%, a wide optical band gap of 1.89eV and a low hydrogen content of 9.5 at.%. Moreover, the na-Si:H films rather than nc-Si possess high photosensitivity of about 10^5. 相似文献
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以酚醛泡沫为碳源,金属有机框架材料Cu-MOF-199为掺杂剂,经过高温碳化制备了一种电容性能优良、循环稳定性强的多孔碳泡沫。采用热重-差示扫描量热法(TG-DSC)、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)、氮气吸脱附测试等技术对材料的结构和形貌进行分析,采用循环伏安法(CV)、恒电流充放电(GCD)及电化学阻抗谱(EIS)等方法对材料的电化学性能与循环性能进行测试。结果表明,一定量Cu-MOF-199的引入可明显提升多孔碳泡沫的电容性能,在1 A·g~(-1)时可达169 F·g~(-1),20 A·g~(-1)时仍高达123 F·g~(-1),2 500次循环(1 A·g~(-1))后仍有97%的电容量。 相似文献
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聚乙烯接枝马来酸盐离聚体FTIR的研究 总被引:8,自引:0,他引:8
以聚乙烯-马来酸酐接枝共聚物为基础,合成马来酸型的碱金属(Na和K)、碱土金属(Mg和Ca)及过渡金属(Zn和Cd)离聚体,详细研究了它们在不同中的度下的FTIR光谱的变化规律,探讨它们的形成的机理及其聚集态的结构膜型。 相似文献
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