高压增氧T′相R_2CuO_(4+δ)(R=Nd～Tm)低温磁性研究

T′相R2CuO4稀土铜氧化合物由于尺度效应而产生弱铁磁性行为已经被人们关注,报导了通过高温高氧压(6GPa,1000℃)合成稀土T′相R2CuO4(R=Nd,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er和Tm)化合物的结构和磁学性能。磁化率曲线显示,在低温下所有的高压增氧R2CuO4样品都出现新的低温弱铁磁性反常行为,转变温度在28K附近。新的低温弱铁磁性行为是由于CuO2面上微量氧空穴的掺入,使处于反铁磁有序CuO2面形成局域化的铁磁性团簇造成。实验证明新发现的低温弱铁磁性行为与尺度效应产生弱铁磁性行为属于完全不同的物理机制。结果还预示T′相R2CuO4稀土铜氧化合物很难通过空穴掺杂而实现超导。     

高压增氧T′相铜氧化合物Eu_2CuO_(4+δ)低温反常磁性的研究

本文系统地研究了高氧压下合成的Ｔ′相铜氧化合物Ｅｕ２ＣｕＯ４＋δ样品的结构及磁性，发现了一个由氧掺杂引起位于２８Ｋ具有弱铁磁性特征的磁化率反常．我们的结果表明氧掺杂导致的弱铁磁性不能按稀土离子的尺度效应来解释，而可能是氧掺杂在ＣｕＯ２面形成的空穴非均匀聚集导致的局域畸变产生．本文还对Ｔ′相超导体的一些超导特性作了解释．     

拖曳线列阵用光纤水听器的研究

报道了光纤水听器用于拖曳线列阵的研究结果。在保证光纤水听器声相位灵敏度的前提下, 优化设计了光纤水听器的结构,降低了光纤水听器的加速度灵敏度36dB。实验测得在20-1600Hz 频段,该光纤水听器的相位灵敏度为-162．7dB,频段内灵敏度的起伏为±0．7dB,加速度灵敏度小于-30dB。     

26Al的加速器质谱测量及其应用

26Al是一个在多个学科都非常有意义的放射性核素。主要介绍了国内外在利用加速器质谱技术测量26Al时所开展的各种测量方法、各自的优缺点和测量灵敏度，并介绍了目前利用^26Al在地球科学、生物医学、核物理以及天体物理等诸多方面的应用研究工作。     

(Ni0.81Fe0.19)1-xCrx作为种子层对NiFe/FeMn交换偏置的影响

采用一种新的种子层材料:(Ni081Fe019)1-xCrx,通过改变种子层中Cr原子的含量,使得在其上生长的NiFeFeMn双层膜的织构和晶粒尺寸产生极大的差异,系统研究了NiFeFeMn双层膜中FeMn晶粒尺寸和织构对交换偏置的影响.实验结果表明,在FeMn的γ相(111)织构较好的前提下,交换偏置场的大小与织构的差异没有关系;FeMn的晶粒尺寸对交换偏置场有很大影响,较小的反铁磁层晶粒对交换偏置场有利,过大的反铁磁层晶粒不利于交换偏置场.将(Ni081Fe019)05Cr05与传统的种子层材料Ta进 关键词： 交换偏置 晶粒尺寸 织构 种子层     

单轴晶体内表面入射e光线的双反射

基于光线遵从的Fermat原理,从几何学的角度讨论和分析了在单轴晶体中入射的e光线在界面上的双反射,得到了确定光线反射方向的一般公式,并对几种特殊情况进行了讨论.指出了上述结果与由电磁波的边界条件计算所得结果是一致的.     

非线性Klein—Gordon方程“蛙跳”格式差分解的收敛性

利用有界延拓法，研究了非线性Ｋｌｅｉｎ－Ｇｏｒｄｏｎ方程初边值问题的“蛙跳”差分解的收敛性与稳定性。避免了校难的先验估计，并放宽了非线 性项的条件。     

灰色Verhulst模型的样条插值函数的残差修正

本用样条函数对灰色Verhulst模型的残差序列进行插值拟合，然后作用于二阶线性微分方程，并以此修正原模型，得到一种新的预测模型的数值解，提高了拟合的精确度。     

Investigation of External Optical Feedback Resistance of IC—DFB and GC—DFB Lasers Using a Very Simple Experimental set—up

We study the external optical feedback resistance of both index-coupled(IC) and gain-coupled distributed feed-back(DFB) lasers using a very simple experimental set-up.Though IC-DFB lasers with large coupling coefficients are found to be less sensitive to external reflection,they suffer from mode instability at high injection level.On the other hand ,the introduction of gain-coupling mechanism can significantly improve both the immunity of external optical feedback and the single mode yield of the device.     

Design and Fabrication of 1.06 μm Resonant-Cavity Enhanced Reflective Modulator with GaInAs/GaAs Quantum Wells

A resonant-cavity enhanced reflective optical modulator is designed and fabricated, with three groups of three highly strained InGaAs/GaAs quantum wells in the cavity, for low voltage and high contrast ratio operation. The quantum wells are positioned in antinodes of the optical standing wave. The modulator is grown in a single growth step in an molecular beam epitaxy system, using GaAs/AlAs distributed Bragg reflectors as both the top and bottom mirrors. Results show that the reflection device has a modulation extinction of 3 dB at -4.5 V bias.