热弹塑性有限元法求解热加工应力

本文对局部经受高温热循环构件的热弹塑性应力进行了有限元分析。文中考虑到材料机械性能随温度的变化,采用修正后的增量变刚度法,编制了计算机程序,对一个具体焊接试件进行了实例分析计算并与实测结果相比较。     

Kagome晶格中的拓扑平带和量子霍尔效应

本文采用紧束缚模型研究Kagome晶格中的拓扑平带.通过调控交错磁通和次近邻跃迁强度可以得到具有大带隙且Chern数为非零的近平带结构.由于拓扑平带与二维Landau能级的相似性,所以此拓扑非平庸的平带可以产生整数量子霍尔态,再加上相互作用还可能产生分数量子霍尔态.     

二氯氧锆比色法测定陈皮中的总黄酮

建立陈皮中总黄酮的含量测定方法,以控制其质量.以橙皮苷为对照品,采用ZrOCl2比色法测定陈皮中总黄酮的含量,测定波长为312.5nm.在浓度0.0044-0.022mg/mL范围内,吸光度与浓度呈良好的线性关系（r-0.9999）,平均回收率为100.69％,RSD为1.64％（n=6）.本法操作简单,具有良好的稳定性和重现性,适用于陈皮中总黄酮的含量测定和评价.     

密度泛函理论研究Nin,Nin±(n=1-5)团簇的结构和电子性质

采用基于密度泛函理论的第一性原理方法系统研究了中性及带电Ni小团簇的基态几何结构和电子结构特性。对中性Nin(n=1-5)团簇,除去一个电子对基态几何结构所引起的变化相比增加一个电子所引起的影响要更加明显。n=4时,Ni+4,Ni4以及Ni4-较之相邻个体具有较大的能隙,但在所讨论的尺寸范围内,没有找到幻数结构。随着原子数的递增,Nin+,Nin,Nin-(n=1-5)团簇体系的磁矩总体呈上升趋势,值得关注的是：添加一个电子能够显著增强中性体系的磁性。 讨论了与实验结论符合较好的绝热电子亲和能（AEAs）以及绝热离化势（AIPs）。     

Cu13团簇几何和电子结构的密度泛函研究

利用遗传算法结合Gupta原子间相互作用势,采用密度泛函理论,系统研究了带电 团簇的基态与低激发态的几何结构和电子结构并与中性Cu13团簇进行了对比．计算结果表明：对 Cu13（中性及带电）团簇,高对称性几何构型在众多异构中无能量竞争性优势,团簇基态结构皆为非紧致低对称性结构,对 负电Cu13找到一种新的低对称性最低能结构;带电明显影响团簇结构稳定性,带电Cu13团簇与中性Cu13团簇的结构稳定性序列显著不同;基态 Cu13（中性及带电）团簇的具有磁矩最小化效应,而其高对称性结构则有较大磁矩;计算所得Cu13团簇电离能及电子亲和势与实验结果相符．     

Con+,Con,Con -(n≤5)团簇的密度泛函理论研究

本文采用基于自旋极化的密度泛函理论系统研究了Con+,Con,Con- (n≤5)团簇的几何结构和电子结构特性.随尺寸的递增,Con,Con± (n≤5)团簇的基态几何结构由一维演变为三维的几何构型.总磁矩随尺寸的增加线性递增,并呈现奇偶交替的现象,从Con,Con±(n≤5)团簇系统中分离一个Co原子带正电的团簇体系需要的能量相对较大.本文对体系的电子亲和能(EA)以及离化势(IP)也进行了讨论.     

密度泛函理论研究Nin,Ni±n(n=1~5)团簇的结构和电子性质简

采用基于密度泛函理论的第一性原理方法系统研究了中性及带电Ni小团簇的基态几何结构和电子结构特性.对中性Nin(n=1~5)团簇,除去一个电子对基态几何结构所引起的变化相比增加一个电子所引起的影响要更加明显.n=4时,Ni+4,Ni4以及Ni-4较之相邻个体具有较大的能隙,但在所讨论的尺寸范围内,没有找到幻数结构.随着原子数的递增,Ni+n,Nin,Nin(n=1~5)团簇体系的磁矩总体呈上升趋势,值得关注的是:添加一个电子能够显著增强中性体系的磁性.讨论了与实验结论符合较好的绝热电子亲和能(AEAs)以及绝热离化势(AIPs).     

Cu±13团簇几何和电子结构的密度泛函研究

借助遗传算法结合Gupta原子间相互作用势,本文采用密度泛函理论系统研究了带电Cu13±团簇的基态与低激发态的几何结构和电子结构,并与中性Cu13团簇的结果进行了对比.计算结果表明:对Cu13n(n=0,士1)团簇,高对称性几何构型在众多异构中无能量竞争性优势,团簇基态结构皆为非紧致低对称性结构,对Cu13-找到一种新的低对称性最低能结构;带电明显影响团簇结构稳定性,带电Cu13±团簇与中性Cu13团簇的结构稳定性序列显著不同;基态Cu13n (n=0,±1)团簇具有磁矩最小化效应,而其高对称性结构则有较大磁矩;计算所得Cu13团簇电离能及电子亲和势与实验结果相符.     

关于氧化硅烯结构和电子性质的第一性原理研究

利用基于广义梯度近似的密度泛函理论,本文研究了二维氧化硅烯的几何结构和电子特性.结果显示,随着氧含量的增加,氧原子更加倾向于以-（Si2O2）x-键的形式排列在硅烯表面.每一个-（Si2O2）x-键都会使临近氧原子的六个硅原子处在同一表面,并且四个Si-O键构成一个与之相垂直的平面.当所有的硅原子都转化成sp3杂化后,氧化硅烯会形成最稳定的全氧化结构并具有0.46 eV的带宽.部分氧化的硅烯结构具有从0.30 eV到0.38 eV的较小带宽,这些较小的带宽非常吻合较早时的关于氧化硅纳米带的带宽的实验数值（0.35 eV）,并且说明离子化的Si-O键和共价性的Si-Si键共存导致了较小带宽的出现.     

Cu13±团簇几何和电子结构的密度泛函研究

借助遗传算法结合Gupta原子间相互作用势.本文采用密度泛函理论系统研究了带电Cu₁₃^±团簇的基态与低激发态的几何结构和电子结构,并与中性Cu₁₃团簇的结果进行了对比.计算结果表明:对Cu₁₃ⁿ（n=0,±1）团簇,高对称性几何构型在众多异构中无能量竞争性优势,团簇基态结构皆为非紧致低对称性结构,对Cu₁₃找到一种新的低对称性最低能结构;带电明显影响团簇结构稳定性,带电Cu₁₃^±团簇与中性Cu₁₃团簇的结构稳定性序列显著不同;基态Cu₁₃ⁿ（n=0,±1）团簇具有磁矩最小化效应,而其高对称性结构则有较大磁矩;计算所得Cu₁₃团簇电离能及电子亲和势与实验结果相符.