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采用第一性原理的计算方法,在不同条件下对Heusler型X2RuPb(X=Lu,Y)体系的电子结构展开研究.计算结果表明,这些合金在适当晶格变形或掺杂条件下,能够具有真正的拓扑绝缘体特性.杂化作用和自旋-轨道耦合作用都对材料产生"反带"结构发挥作用.但是针对不同成分所构成的材料,它们各自所起作用的程度有所不同,二者可以相辅相成.利用替换掺杂和四角变形双重调控方式可以更理想地进行"反带"结构调控进而获得理想的拓扑绝缘体,这对于材料的实际制备具有重要意义. 相似文献
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利用第一性原理计算方法,研究了CuHg2Ti结构下Ti2CrK(K=Sb,Ge,Sn,Sb,Bi)系列合金的电子结构、能隙起源和磁性.研究发现:Ti2CrK(K=Si,Ge)合金是普通半导体材料;Ti2CrK(K=Si,Bi)合金是亚铁磁性半金属材料,其半金属性能隙受到Sb和Bi原子s态的直接影响;Ti2CrSn合金是完全补偿的亚铁磁性半导体.基于Ti2CrSn合金两个自旋方向上的能隙起源不同,通过Si和Ge替换掺杂同族Sn元素调制能隙的宽度,获得了完全补偿亚铁磁性自旋无能隙材料;通过Fe和Mn替换掺杂过渡族Cr元素获得了一系列半金属材料.Ti2Cr1-xFexSn和Ti2Cr1-xMnxSn合金都具有亚铁磁性.所研究的这些半金属性合金的分子磁矩Mtotal与总的价电子数Zt服从Mtotal=Zt-18规则. 相似文献
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建立了处理双原子分子-表面相互作用的推广的LEPS势.借助推广的LEPS势,系统研究了一氧化碳分子在铂低指数表面吸附的动力学特性,重现了低指数表面的分子吸附热、吸附几何及本征振动等实验数据;鉴定了某些不合理的文献信息,预测了实验尚未探测到的重要信息:预测到Pt(100)表面四重洞位的C-O伸缩振动频率为1 962.60 cm-1;预测到Pt(110)表面吸附态的C-O及C-Pt键长分别为115.1、147 pm. 相似文献
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对于O_2和CO表面催化反应,建立了一个新的不可逆Monte Carlo模拟模型。在 二维格子中,引进了表面活性位和非活性位的要领。模型假设,一定浓度的活性位 随机分布在非活性位上,形成了活性位分布的二维格子模型反应器,并在ZGB模型 的基础上,考虑了氧原子和CO分子的表面扩散,特别是引进了吸附粒子的定向表面 扩散。其中,活性位和活性位最近邻是表面吸附物质反应的活性中心,而非活性位 的作用是通过表面扩散传质。当活性位浓度C_a = 1且考虑扩散时,模型还原为增 加了扩散的ZGB模型。当活性位浓度C_a = 1且只考虑氧的扩散时,模拟结果表明, 扩散几率达到某一数值(0.3)时,二级相变点完全消失。当活性位浓度C_a逐渐减 小时,单位活性位产生的CO_2的速率不断增大,这表明活性位的利用率提高了。 相似文献
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