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应用原子和表面簇合物相互作用的5参数Morse势方法(简称5-MP)构造了S-Ni表面簇合物体系的解析势函数.首先对S-Ni低指数表面体系进行了研究,并获得了全部临界点性质.计算结果表明:硫原子在Ni(100)面上的稳定吸附态为四重洞位,在Ni(111)面上,硫原子吸附于三重位,硫原子在Ni(110)面上的吸附位有所变化.第一与第二周期的原子在(110)面上的稳定吸附态大都为赝式三重位和长桥位,而硫原子却吸附在Ni(110)面的四重洞位.理论分析结果和实验推测结果符合得很好.同时,还对S-Ni(311)台阶面吸附体系进行了研究.理论结果表明:S-Ni(311)表面吸附体系只存在四重吸附态和hcp三重吸附态,fcc三重吸附态在和四重吸附态的竞争中完全湮灭.对于S-Ni表面吸附体系,理论结果给出S原子的表面吸附结合能和表面簇合物的粗糙度有关.结合能从小到大的顺序为(111)<(100)<(110)<(311). 相似文献
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对于O_2和CO表面催化反应,建立了一个新的不可逆Monte Carlo模拟模型。在 二维格子中,引进了表面活性位和非活性位的要领。模型假设,一定浓度的活性位 随机分布在非活性位上,形成了活性位分布的二维格子模型反应器,并在ZGB模型 的基础上,考虑了氧原子和CO分子的表面扩散,特别是引进了吸附粒子的定向表面 扩散。其中,活性位和活性位最近邻是表面吸附物质反应的活性中心,而非活性位 的作用是通过表面扩散传质。当活性位浓度C_a = 1且考虑扩散时,模型还原为增 加了扩散的ZGB模型。当活性位浓度C_a = 1且只考虑氧的扩散时,模拟结果表明, 扩散几率达到某一数值(0.3)时,二级相变点完全消失。当活性位浓度C_a逐渐减 小时,单位活性位产生的CO_2的速率不断增大,这表明活性位的利用率提高了。 相似文献
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应用原子和表面簇合物相互作用的5参数Morse 势及由5参数Morse势组装推广的LEPS方法对H-W低指数表面吸附体系进行了研究, 并获得了全部临界点特性. 计算结果表明, 低覆盖度下, H原子优先吸附在W(100)面的内层吸附位二层桥位B', 获得156 meV的垂直振动频率, 随着覆盖度的增加, H原子稳定吸附在表层的五重洞位(二层顶位)、桥位及顶位. 内层吸附位的优先吸附, 对与其邻近的表面吸附位的临界点性质有一定影响. 在W(110)面上只存在三重洞位的稳定吸附态, 垂直振动频率为151 meV. 在W(111)面上存在三种稳定吸附态, 子表面吸附位H1, 桥位B'和顶位T, 分别获得104, 200, 259 meV的垂直振动频率. 在低覆盖度下, H原子优先吸附在子表面吸附位H1. 相似文献
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The adsorption and diffusion of N atoms on the three low-index Cu planes were studied using 5-parameter Morse potential (5-MP) method, and the best theory-experiment agreement was obtained. N atoms of Cu(100) surface sit on the fourfold hollow site with the vertical height of 0.018 nm closely coplanar with the topmost copper layer, and the four Cu-N bond lengths are 0.182 nm and the fifth Cu-N distance is 0.199 nm. For Cu(111) system, the existence of aberrant Cu(100) reconstructed structure is approved at higher coverage, and at low coverage the structure is almost an ideal Cu(111) surface structure. With respect to Cu(110) system, the N atoms are adsorbed at LB and H3 sites, not at SB site. The diffusion passage and diffusion barrier of adsorbed N atoms were also studied. 相似文献