HL-2M 装置初始等离子体放电阶段的直流辉光放电清洗系统研制

基于 HL-2M 托卡马克初始等离子体放电的工程需求,设计并研制了直流辉光放电清洗系统,包括电 极、馈线、电源、控制以及监测等关键部件和辅助子系统。研制完成后开展了系统装配和工程调试,并投入到首 次等离子体放电。实验结果表明,该直流辉光放电系统运行稳定、可靠,且此辉光放电清洗显著降低了真空室本 底杂质浓度,能满足 HL-2M 装置初始等离子体放电的壁条件需求。     

掺Ni的ZnO粉末的Raman光谱研究

利用拉曼(Raman)光谱对掺镍(Ni)氧化锌(ZnO)粉末的声子谱进行了研究.在掺杂样品的Raman光谱中仍能观察到未掺杂ZnO的声子模式,此外还观察到两个额外模式.掺杂粉末中观察到ZnO的E2(h)模式表明掺Ni的ZnO仍然保持六角对称结构.652 cm-1额外模式的起源是掺杂引起的ZnO本底缺陷.为了查明544 cm-1处额外模式的起源,分别对掺Ni,掺钴(Co),和掺锰(Mn)的ZnO粉末的Raman光谱进行了对比研究.结果表明544 cm-1额外模式起源于Ni相关的局域振动模式.对光谱中的其他声子模式的起源也进行了讨论;同时还报告了利用325nm激光作激发源观察到掺Ni样品的多重纵光学(LO)声子模式的结果.     

HL-2M初始等离子体放电阶段的辉光放电清洗系统电极的设计与分析

针对 HL-2M 装置初始等离子体放电阶段所需的直流辉光放电清洗系统的电极进行了设计。对辉光 放电清洗系统在不同工况下的系统负载进行了分析和拟定,并确定了电极结构设计分析标准。根据系统电极的结 构特点并结合系统负载规范与分析标准,依据不同的失效模式对电极进行了失效分析。分析结果表明,此针对初 始等离子体放电的电极设计能可靠安全运行,满足设计需求。     

Analysis of Local Structures around Ni Atoms Doped in ZnO-Based Diluted Magnetic Semiconductors by Fluorescence EXAFS

Zn1-xNixO （x = 0.001, 0.01, 0.02, 0.05 and 0.20） powders are prepared by sol-gel method. An extended x-ray absorption fine structure technique （EXAFS） for the Ni K.edge is employed to probe the local structures around Ni atoms doped in ZnO powders by fluorescence mode. The near edge EXAFS of the samples does not change in the range of Ni concentration from x = 0.001 to 0.05, which is consistent with the results of x-ray diffraction of the samples. The simulation results for the first shell EXAFS signals indicated that Ni atoms are substituted in Zn sites.     

利用光子晶体测量透明液体折射率

设计了用反Opal结构光子晶体测量透明液体折射率的实验.根据布拉格公式推导了用反Opal光子晶体测量透明液体折射率的公式.利用紫外-可见分光光度计分别测得光子晶体处于空气和透明液体中的透射谱,由透射谱分别确定光子晶体处于2种介质中的禁带中心波长,将中心波长代入测量公式即可得到透明液体折射率.实验测量了水和甘油的折射率,得到了与公认值相吻合的结果.     

Structural and Magnetic Properties of Codoped ZnO based Diluted Magnetic Semiconductors

Zn1-xCoxO （x = 0.01, 0.02, 0.05, 0.10 and 0.20） diluted magnetic semiconductors are prepared by the sol-gel method. The structural and magnetic properties of the samples are studied using x-ray diffraction （XRD）, extended x-ray absorption fine structure （EXAFS） and superconducting quantum interference device （SQUID）. The XRD patterns does not show any signal of precipitates that are different from wurtzite type ZnO when Co content is lower than x = 0.10. An EXAFS technique for the Co K-edge has been employed to probe the local structures around Co atoms doped in ZnO powders by fluorescence mode. The simulation results for the first shell EXAFS signals indicate that Zn sites can be substituted by Co atoms when Co content is lower than x = 0.05. The SQUID results show that the samples （x 〈 0.05） exhibit clear hysteresis loops at 300K, and magnetization versus temperature from 5 K to 350K at H = 100 Oe for the sample x = 0.02 shows that the samples have ferromagnetism above room temperature. A double-exchange mechanism is proposed to explain the ferromagnetic properties of the samples.     

基于主动流动控制的射流矢量偏转技术

本文介绍了一种基于主动流动控制技术的射流矢量偏转新方法和控制思路。通过在主射流出口两侧加装斜置扩张固壁板来降低射流两侧与固壁边界间的流体压力,将射流偏转由"不敏感-难控"转变成"敏感-易控",再在固壁板布置自行研制的斜出口合成射流激励器对主射流进行比例偏转控制。实验结果表明,射流最大偏转角可达15°。此外还研究了激励位置角度、激励频率、激励电压不同工作参数对射流矢量偏转控制的影响,实现了主射流偏转角的比例控制。当合成射流与主射流动量比为1∶43时,主射流偏转角可达13°,合成射流激励器消耗的能量为1.5W,初步实现了以小的能量消耗获取高的控制效益。     

Fe/Si多层膜亚层厚度比对β-FeSi2薄膜结构和表面形貌的影响

采用射频磁控溅射方法,在Si(111)和石英衬底上制备了Fe/Si亚层厚度比不同的多层膜.多层膜的总厚度为252 nm,Fe/Si亚层厚度比分别为1 nm/3.2 nm、2 nm/6.4 nm和20 nm/64 nm.在850 ℃, Ar气气氛中退火2 h后,Si衬底上的多层膜完全生成了β-FeSi2相.但石英衬底上同样Fe/Si亚层厚度比的多层膜除了生成β-FeSi2相,还生成了少量的ε-FeSi相.通过增加Si亚层的厚度至Fe/Si亚层厚度比为2 nm/7.0 nm,在石英衬底上也获得了单相的β-FeSi2薄膜, 其光学带隙为0.87 eV,表面均方根粗糙度为2.34 nm.     

氧气流量对射频磁控溅射制备Cu2O薄膜性能的影响

通过磁控溅射方法在玻璃衬底上制备Cu2O薄膜,采用X射线衍射(XRD)、分光光度计、原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XPS)等研究了氧气流量对Cu2O薄膜性能的影响.结果表明:氧气流量为4.2 sccm时,薄膜为单相的Cu2O,具有较高的结晶质量和可见光透过率,光学带隙为2.29 eV,薄膜的导电类型是p型且空穴浓度为2×1016 cm-3.通过XPS能谱分析Cu 2p3/2和O 1s结合能,确定了薄膜中Cu以+1价存在.