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氮化硅在常态下的两种已知物相(α和β相)均为六方结构,最近新发现第3种具有立方尖晶石结构的氮化硅(以下称立方氮化硅或γ-Si3N4)可通过高温高压条件合成得到,是继金刚石、立方氮化硼之后的又一种超硬材料。各国学者在合成立方氮化硅的研究中开展了积极的工作,然而,目前所用的技术手段仅能合成出极少量的γ-Si3N4粉体样品,无法进一步开展其块体材料的研究,并制约了该新材料在工业技术中的应用。 相似文献
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以Pb3O4、ZrO2 和TiO2 粉体为原料,利用柱面冲击波合成了单一的钙钛矿相Pb(Zr0.95Ti0.05)O3
(即PZT95/5)粉体,用X射线衍射(XRD)和X射线电子能谱(XPS)对PZT的物相、元素化学态、分子结构和
成分含量进行了表征。冲击合成粉体和制备陶瓷的XPS结果表明,除表面存在少量的吸附氧外,样品中存在
PZT结构中的Pb、Zr 和O,陶瓷的元素定量计算接近样品的配比。且冲击压缩造成PZT 中
Zr O 、Pb O 键的键长降低,引起冲击合成粉体的Pb4f、Zr3d结合能增大。利用固相合成粉体制备陶瓷
的Zr3dXPS比冲击合成粉体制备陶瓷的Zr3dXPS多2个峰,对应于少量游离ZrO2 被还原的低价锆离子。 相似文献
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Zr:Ti比为95:5的PZT陶瓷(简称PZT-95/5陶瓷)在冲击波作用下由铁电相转变成反铁电相去极化产生脉冲电流,可以作为脉冲电源发生器。这种电源基于PZT陶瓷在冲击波作用下去极化释放出束缚电荷而工作的,只有在冲击波作用下其内部不发生电击穿的条件下,才能在外电路形成电能输出,因此,PZT-95/5陶瓷在冲击波作用下的电击穿问题在其中起着非常关键的作用。 相似文献
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