排序方式: 共有10条查询结果,搜索用时 234 毫秒
1
1.
本文通过固相反应方法制备了具有钙钛矿结构的稀土掺杂锰氧化物La0.875Sr0.125MnO3(LSMO)块材,并用磁控溅射方法在LaAlO3衬底上生长了厚度为50nm的单晶薄膜.X射线衍射仪分别对LSMO块材和薄膜材料进行分析,表明薄膜和衬底具有相同的钙钛矿结构;通过研究该薄膜光诱导效应和磁场下输运行为,发现其输运性质明显改变,表明外场改变体系的电子自旋输运特性,引起双交换作用减弱和增强,分别导致电阻率的增加和减小. 相似文献
2.
射频磁控溅射法制备了La2/3Ca1/3MnO3纳米薄膜(LCMO).该薄膜发生FM-PM相变的转变点温度为Tc≈308K(近似为电阻峰值温度Tp);在不同温度下的光电导性质实验表明所制备的LCMO薄膜在连续激光作用时低温段(TTc时,ΔR/R<0,即光电导效应.调制激光脉冲光响应实验发现,光致信号强度和温度及偏置电流之间存在非线性关系:光致电阻率增大信号极大值为偏置电流的二次函数,而极大值对应的温度和偏置电流成线性关系,同时,光响应有一个截止温度,并且存在最佳光响应偏置电流和温度条件.分析认为LCMO薄膜的光致电阻率变化特性和材料的eg↓自旋电子的状态以及与此相应的小极化子的形成有关. 相似文献
3.
4.
射频磁控溅射法制备了La2/3Ca1/3MnO3纳米薄膜(LCMO).该薄膜发生FM-PM相变的转变点温度为Tc≈308K(近似为电阻峰值温度Tp);在不同温度下的光电导性质实验表明所制备的LCMO薄膜在连续激光作用时低温段(Tc)表现为光致电阻率增大效应,即ΔR/R>0,并在R-T曲线拐点附近取得极大值,(ΔR/R)max=43.5%;当T>T关键词:
钙钛矿薄膜
光响应
电子自旋
小极化子 相似文献
5.
研究了在高气压、大体积、泵浦功率1.395 9 MW·cm-3抽运下,产生的XeCl*准分子激光光谱,波段307.7~308.5 nm,结果显示有两个谱线峰值307.98和308.19 nm,谱线最强的跃迁是B—X跃迁,脉冲宽度11.13 ns。在气体配比HCl∶Xe∶He=0.1%∶1%∶98.9%下,采用预电离初始电子,产生稳定辉光放电过程,获得了0.5~5 Hz,单脉冲能量450 mJ,束散角3 mrad, 短脉冲的准分子激光。 相似文献
6.
La0.67Sr0.33MnO3薄膜光响应特性研究 总被引:2,自引:0,他引:2
实验测量了在不同温度和电场下,超巨磁电阻CMR(colossal magnetoresistance)薄膜材料La0.67Sr0.33MnO3(LSMO)的光响应特性.发现样品被激光照射后,具有光诱导电阻变化的特性.在温度小于居里点Tc时,电阻随温度升高而增大,在Tc以上时,电阻则随温度升高而减小.通过对样品的光脉冲响应和偏置电场的关系分析,可认为其光响应特性的机理与激光激励下引起的自旋系统变化有关. 相似文献
7.
通过脉冲激光沉积(PLD)法在SiO2基片上制备了不同含量的Mn掺杂ZnO薄膜.X射线衍射、X射线能谱、原子力显微镜与紫外-可见分光光度计测试结果表明:少量的Mn离子的掺杂并没有改变薄膜的结构,薄膜具有(103)面的择优取向;PLD法制备的ZnO薄膜的成分与靶材基本一致,实现了薄膜的同组分沉积;薄膜表面比较平坦,起伏度小于80nm,颗粒尺寸主要集中在25nm附近;但是Mn离子的掺杂改变了ZnO薄膜的禁带宽度,随Mn掺杂含量的增加,ZnO薄膜的禁带宽度增加;当薄膜中Mn含量从6%增加到
关键词:
PLD
ZnO薄膜
Mn掺杂
吸收谱 相似文献
8.
9.
本文通过射频磁控溅射法制备了La2/3Ca1/3MnO3(LCMO)薄膜.该薄膜在接近峰值电阻温度Tp(Tp=308K)发生铁磁金属相-顺磁绝缘体相相变.磁场的作用下,电阻温度曲线较无磁场时发生右移,而且Tp点也向高温移动,(H=0.5T时,Tp≈314K;H=1.0T时,Tp≈318K);1T磁场所产生最大的磁电阻值为34%.激光作用下,电阻温度曲线向左移动,Tp变为300K,其最大的光致电阻变化相对值为43.5%.能带理论定性分析表明产生这一不同现象主要是由于eg电子的不同状态引起的. 相似文献
10.
1