高T_c氧化物Bi_(1.4)Pb_(0.6)Sr_2Ca_2Cu_3O_y大块超导体的弱连结和弱钉扎性质

掺Pb的Bi_(1.4)Pb_(0.6)Sr_2Ca_2Cu_3O_y氧化物是一个以110K 超导相为主的高 T_c 超导体,其零电阻 T_c 为107.1K. dc Meissner 效应表明,110K 相占样品体积的8.2%,85K 相占1.6%.不同磁场下的排磁通(Meissher)效应,超导体所占体积上限和下限的比较,不同磁场和测量电流的 R(T)超导转变,表明了样品中存在着丰富的弱连结超导电性.研究了弱连结超导体的 H_(c2)(T).直流磁化和 I_c(B)特性结果表明,大块 Bi_(1.4)Pb_(0.6)Sr_2Ca_2Cu_3O_y,是个弱钉扎Ⅱ类超导体,它的 H_(cl)(77K)=25Oe,且磁化曲线中有两个峰.加热实验表明,当温度升高到355K 时,样品的正常态电阻增加,零电阻超导 T_c 从107.1K 退化到99.5K.     

退火对非晶Ge/晶态Ag迭层膜性质的影响

本文利用X射线衍射,扫描电子显微镜和电阻温度关系的测量,研究了非晶Ge/晶态Ag迭层膜的退火行为。低温电阻的测量温区为80—300K,同时给出了室温电阻和退火温度的关系,实验发现一个新的互扩散现象:随着退火温度的升高,Ge不断晶化,同时,部分Ge由于扩散而溶于Ag中,退火温度再升高,扩散到Ag中的Ge又重新析出,利用电阻变化估算出Ge/Ag互扩散的激活能为0.15eV。本文还讨论了退火过程中各结构下的输运性质。 关键词：     

γ射线辐照下Nb/Fe双层膜的结构行为

本文利用扫描电镜和X光衍射方法研究了γ射线辐照下Nb/Fe双层膜的结构行为,指出由于溅射时样品衬底温度的升高,在Nb/Fe界面形成了Fe_2Nb化合物。在γ射线的辐照下Fe_2Nb要分解成Fe和Nb,同时在辐照的最初阶段促使了非晶Nb的晶化,之后随着辐照时间的不断延长,γ射线的辐照又破坏Nb晶粒使之细化,本文讨论了这些实验结果。     

Josephson隧道结的临界厚度

实验上我们测得对某些特定绝缘层厚度的Pb-I-Pb隧道结,在温度高于2.90K是典型的单电子隧道的I—V曲线;而在低于2.78K的温度下,这个结过渡到典型的Josephson结的I-V特性. 我们从理论上得到对于Josephson结存在一个临界厚度d_c,这个d_c随温度降低而增加,从而解释了上述实验现象.     

关于《理论力学》教学改革的做法

近几年来,我们在教学过程中碰到一些矛盾,归结起来主要是:教材内容越来越多,教学时数越来越少,教学要求越来越高。为了解决上述矛盾,我们对理论力学的课程改革作了一点探索,搞了一份"关于理论力学课程改革的初步设想",编了一套"理论力学讲课思路图表"。进行了两期教学试点。总的说来。试点情况是良好的,基本上达到了既减少学时又提高质量的目的。现将有关做法概述如下。     

高T_c氧化物超导体Tl4Ba3Ca3Cu4Oy中的磁通蠕动和磁通跳跃

高T_c氧化物Tl₄Ba₃Ca₃Cu₄O_y大块超导体,在H_C1以下的磁场范围内存在着磁化反常,零场冷却样品在H_p以上磁场中的磁化强度与时间的关系的测量表明,存在着大量的磁通蠕动,并且在磁通蠕动期间伴随着磁通跳跃的发生,磁通蠕动速率与温度有关,表明与热激活有关,讨论了磁通的热激活,并且在77K的热激活能U≈0.14eV,还讨论了产生磁通跳跃的可能原因。     

亚稳中间相的电导和其反常超导相变的机理

我们系统地测得了在低温凝聚InSb膜亚稳中间相的不同结构下其σ(T_a)与温度T的关系,发现相应于某些特定σ(T_a)的相变区,样品超导转变的R(T)曲线出现奇异的反常现象。本文提出一个类半导体相和亚稳金属相的混合态模型来解释这些现象,并且按此模型做了理论计算,理论曲线和实验数值较好地符合。 关键词：     

超导交叉膜隧道结的电流-电压滞迴

本文指出对于超导交叉膜隧道结,跨越结的隧道电流除引起结区温升外,同时在结区产生不均匀的自场。这将使结区超导膜进入中间态。用这个物理模型不仅可以解释超导Pb膜的不可逆非平衡电压曲线的滞迴以及实验上出现的阈值电流I_(t3)的存在,而且还可以得出通常的隧道I-V曲线中出现滞迴的奇异现象。 关键词：     

亚稳金属型InSb膜的电导和其超导相变反常的机理

本文用X光衍射测量了低温凝聚InSb膜相变过程中的结构,并同时测得在该结构下相应的电导。X光衍射指出,具有最高T_c的结构是六方晶系InSb相,它相应于125 kbar下的InSb结构。本文提出一个类半导体相和亚稳金属相的混合态导电模型,按此模型作了理论计算,理论较好地符合实验测得的电导温度关系并较好地解释了超导相交的反常。我们还从实验上测得亚稳金属相InSb膜和非晶态半导体InSb迭层膜的行为,解释了InSb膜亚稳中间相的T_c。     

高T_c氧化物Bi_(2-x)Pb_xSr_2Ca_2Cu_3O_y大块超导体的磁化和H_(c1)

高T_c氧化物 Bi_(2-x)Pb_xSr_2Ca_2Cu_3O_y(x=0.2,0.3,0.4,0.5)大块超导体的 Meissner 效应表明存在110K 和85K 两个超导相,并且以110K 相为主,抗磁转变起始于103K 附近.不同样品在77.3K 的磁化实验表明,当 x≤0.3时,H_(Cl)≈28Oe,当 x>0.3时,H_(cl)=25Oe.x=0.3的样品在不同温度下的磁化实验结果表明,在 T=77.3—95K 之间,H_(Cl)与 T 成线性关系,且 dH_(Cl)/dT=-1.07Oe/K.两个超导相的存在导致磁化曲线峰的拉宽,且拉宽程度与85K 相所占的比例有关.