BSRF白光动态形貌实验系统

介绍了北京同步辐射装置(BSRF)4W1A光束线及白光动态形貌实验系统的各个组成部分,主要包括白光形貌相机、高低温样品环境室及其控制系统、实时观察和录制系统、图像处理和输出系统等部分. 并对其部分实验结果进行了介绍.     

同步辐射—材料科学研究的强有力工具

同步辐射作为一种新型光源，为材料科学的研究提供了许多新的实验方法和手段，本文简要介绍了同步辐射光源的特点，并通过几个重要方面的应用，表明同步辐射对材料科学研究的重要性。     

温梯法Al2O3晶体位错形貌分析

用温度梯度法(Temperature Gradient Technique,简称温梯法或TGT法),定向籽晶[0001]方向,生长出φ110mm×80mm Al2O3单晶,晶体完整、透明.采用硼酸钠玻璃液作为Al2O3晶体的化学抛光和化学腐蚀剂,观察了晶体不同部位处(0001)、(112-0)晶片的化学腐蚀形貌相,(0001)切片的位错腐蚀坑呈三角形,位错密度为2×103～3×103/cm2;(112-0)切片位错腐蚀坑呈菱形,位错密度为7×103～8×103/cm2;而且等径生长部位的完整性比放肩处高.利用同步辐射X射线白光衍射实验分析了(0001)晶片的(2-021),(11-01)和(112-0)衍射面内的位错组态.确定了两组位错线的Burgers矢量,温梯法生长的Al2O3晶体中的位错主要是刃型位错.     

THE DISTRIBUTION OF Sb ATOMS IN δ-DOPED SILICON CRYSTAL

The distribution of Sb atoms in δ-doped silicon crystals grown by molecular beam epitaxy at different temperatures was measured using the technique of synchrotron radiation X-ray low angle reflection. The esults indicate that the doped Sb atoms are distributed exponentially in the epitaxial layers, and the 1/e decay lengths are 0.45, 0.95 and 3.5 nm for the samples grown at temperatures of 250, 300 and 350℃, respectively. For samples grown at 400℃, the 1/e decay length of the Sb atomic distribution increases drastically because of the segregation of Sb atoms during the growth process.     

同步辐射X射线干涉的实验研究

介绍在北京同步辐射装置上进行的国内首次LLL型X射线干涉实验研究,在X光底片上观察到了Moire干涉条纹,为进一步利用X射线干涉技术实现纳米测量打下了初步基础.