悬点在铅垂方向振动的平面摆

这是弗·库帕斯《经典力学》教科书中的一道习题，当固定点在铅垂方向上、下振动时，悬挂单摆（摆锤在固定点下方）的最低点，不是稳定平衡位置；而竖立单摆（摆锤在固定点上方）向上竖直的位置是稳定平衡位置。这对一些仪器的设计或许有用．──译者     

用电子自旋共振波谱研究ZnS:Mn结构相变的对数直线法

本文提出用电子自旋共振(ESR)波谱的对数直线法确定ZnS:Mn的结构相变温度,在研究微量掺杂离子影响ZnS微晶结构相变温度的实验分析中取得满意的结果,克服了X射线衍射对Mn²⁺浓度在10^-3—10^-6g/g范围内ZnS相变温度不能区分的困难。     

AgI（Cr2O3）混合离子导体的ESR研究

本文报道Agl(Cr_2O_3)混合离子导体的电子自旋共振(ESR)实验结果。观测到一种新的稳定的ESR信号,它可能对应于Agl和Cr_2O_3界面层内与Ⅰ~-空位相关(类似F心)的缺陷,这种缺陷的存在可能是提高Ag~+电导率的重要因素。     

MgF2单晶中位错缺陷的ESR谱——含有130多条谱线

在室温条件下的激光晶体MgF2单晶中，实验发现含有130多条峰的电子自旋共振(ESR)波谱。两个样品分别取自MgF2单晶生长放肩的尖锥部位和MgF2:Co晶体.两个样品都没有经过任何辐照处理。两个样品具有相同的各向异性谱，说明掺入的Co2+离子引发了与MgF2单晶放肩部位相同的位错缺陷，产生了相同的多核固体自由基。这些顺磁固体自由基稳定且寿命长，产生的ESR信号是各向异性的。经初步计算拟合，谱线是由三种不同的多核自由基产生的。当磁场方向与晶体的[100]或[010]方向平行时，样品的ESR信号出现在磁场从0.2292特斯拉（T）到0.4654T的0.2362T范围内（相当于能带宽度为0.233eV）。最窄的线宽DH约为0.00128特斯拉，DH相当于相邻的能级差,是非常小的，仅有1.85×10-7eV 或1.46×10-3cm-1。这一事实表明其基态简并度是相当高的，在不太高的直流磁场下几乎是一个由准连续的能级组成的能带。这有可能成为可调谐的固体激光介质的新基点。     

LaBaMnO薄膜的铁磁共振

用电子自旋共振实验研究La_0.65Ba_0.35MnO₃(LBMO)薄膜的磁性,从磁性膜的各向异性铁磁共振谱得到不同角度θ_h时的共振磁场B_r,求出样品的等效磁场B_eff及旅磁比γ,并通过样品的饱和磁化强度M_s,求出各向异性常数K.     

BaCl2微晶辐照损伤的电子自旋共振研究

用电子自旋共振(ESR)方法研究发光基质材料BaCl₂的X射线和γ射线辐照损伤及其恢复的情况,发现样品由X射线引起的辐照损伤,在日光下仅两分钟便能完全恢复;而γ射线引起的辐照损伤则很难完全恢复。 关键词：     

ESR方法研究高TC氧化物的超导电性

用电子顺磁共振方法研究了一些高温超导氧化物样品的零场非共振吸收信号和正常的ＥＳＲ共振信号。认为这种方法可以作为鉴别样品进入超导态的实验判据之一。利用零场非共振吸收实验给出的下临界磁场Ｈｃ１（Ｔ）很好地遵多Ｈｃ１（Ｔ）＝Ｈｃ１（０）（１－Ｔ＆＾２／Ｔｃ＾２）。     

磁共振法研究(Fe1-xCox)84Zr3.5Nb3.5B8Cu1纳米晶薄带的磁各向异性

铁磁共振(FMR)实验研究(Fe1-xCox)84Zr3.5 Nb3.5B8Cu1(x=0.0,0.2,0.4,0.6, 0.8)合金薄带的各向异性,易轴在薄带的横向方向,同等宽度样品的各向异性常数K′随Co掺杂量的增加而减小, K′值在4.67×10-5 J/m(x=0.0)到2.54×10-5 J/m4(x=0.8)之间.由于磁化率的虚部χ″(H)随磁场强度H非线性变化,在低场(0-12 mT)有一个与FMR信号强度相当的低场非共振信号.特别是对Fe84Zr3.5 Nb3.5B8Cu1合金薄带的磁化,在可逆磁化(0-2.0 mT)和趋近饱和磁化(9.0-12 mT)区域, dχ″/dH=0;不可逆畴壁移动过程中,交流磁化率虚部χ″(H)与磁场强度的n次方即Hn(n≥3)有关;在磁畴转动过程中χ″(H)正比于H2(瑞利区),(dχ″)/(dH)为常数;而且发现,有不可逆畴壁移动-磁畴转动三段交替变化的过程,此过程对应三种磁畴的消失过程.     

BaF2中Vk心的ESR谱分析

电子自旋共振（ＥＳＲ）实验间接表明，γ射线辐照能在室温下在ＢａＦ２微晶中产生Ｆｒｅｎｋｅｌ激子这样的元激发，此元激发受热在１５０℃以下消失。γ射线辐照使ＢａＦ２微晶中Ｆ－离子上的２Ｐ电子跃迁到外层轨道，并与２Ｐ轨道的空穴形成紧束缚的电子－空穴对——Ｆｒｅｎｋｅｌ激子。激子中的电子受热脱离Ｆ原子，这种晶格上的Ｆ０是ＥＳＲ可探测的顺磁色心点缺陷——Ｖｋ心。受γ射线辐照的ＢａＦ２微晶中含有Ｆｒｅｎｋｅｌ激子，受热时Ｆｒｅｎｋｅｌ激子湮灭。Ｖｋ心增多的现象，表现为随温度增高Ｖｋ心的ＥＳＲ信号增强的反常现象。     

MgF2单晶的THz光谱研究

利用THz时域光谱技术对MgF₂晶体(样品1)和MgF₂：Co晶体(样品2)在0.5—2.5 THz的吸收特性进行了研究.在0.5—2.5 THz波段，样品1吸收系数α(ν)随频率ν增加而增大，最大值为24 cm^-1.样品2的吸收系数比样品1大得多，Co掺杂使晶格吸收带边向低频移动，而且样品2在1.9 THz有吸收峰，吸收系数达到70 cm^-1，由此求出F^--Co²⁺离子键伸缩振动的键力常数K为3.40×10^-2　N/cm.这一结果表明，THz光谱分析有可能成为研究晶体化学键的一种重要手段.利用光学常数之间的关系计算了两个样品在0.5—2.5 THz的介电函数的实部ε₁(ν)，得到样品1的ε₁(ν)值在4.67至4.73之间，样品2的ε₁(ν)值在4.62至5.01之间. 关键词： THz辐射 光谱 2晶体')" href="#">MgF₂晶体